输出特性 - 电子工程专辑

输出特性

干货|前馈电容是如何影响buck电路的输出特性的？

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！如下图为典型的DCDC电路：上图为DCDC典型应用电路，CIN为输入滤波电容，CBOOT是上管驱动“自举”电容，L是储能电感，R1和R2是反馈电阻，CFF是前馈电容，COUT是输出滤波电容，RT是内部运放补偿器件。一、理论分析没有前馈电容如果没有前馈电容，内部补偿DC-DC转换器的反馈网络由两个反馈电阻组成，用于设置转换器的输出电压，如图1所示。输出电压

电子工程世界 2023-08-11 936浏览
前馈电容是如何影响buck电路的输出特性的？

点击上方名片关注了解更多如下图为典型的DCDC电路：芯片是台湾省立琦科技的。上图为DCDC典型应用电路，CIN为输入滤波电容，CBOOT是上管驱动“自举”电容，L是储能电感，R1和R2是反馈电阻，CFF是前馈电容，COUT是输出滤波电容，RT是内部运放补偿器件。一、理论分析没有前馈电容如果没有前馈电容，内部补偿DC-DC转换器的反馈网络由两个反馈电阻组成，用于设置转换器的输出电压，如图1所示。输出

硬件笔记本 2022-09-20 964浏览
周末连载|逆变器输出特性与非线性负载——看似简单的整流电路详解（六）

逆变器输出特性与非线性负载摘要六期连载，解读UPS标准，研究线路阻抗对整流电容滤波这类非线性负载的影响，同时讨论针对整流电容滤波这类非线性负载逆变器输出特性的设计对策和测试方法。前几讲的讨论是为了解决整流电容滤波电路的设计问题，发现如果滤波电感比较小的话，波形系数就比较大，有效值高于平均值的3倍以上，而峰值电流更是非常大。这样的负载对电网不友好，接在逆变器输出，对容量有限的逆变器是个挑战。所以我们

英飞凌工业半导体 2022-09-10 1512浏览
干货｜前馈电容是如何影响buck电路的输出特性的？

点击上方蓝字关注我吧如下图为典型的DCDC应用电路，CIN为输入滤波电容，CBOOT是上管驱动“自举”电容，L是储能电感，R1和R2是反馈电阻，CFF是前馈电容，COUT是输出滤波电容，RT是内部运放补偿器件。一、理论分析没有前馈电容如果没有前馈电容，内部补偿DC-DC转换器的反馈网络由两个反馈电阻组成，用于设置转换器的输出电压，如图1所示。输出电压公式为：Vout=Vfb*（1+R1/R2）图

皇华电子元器件IC供应商 2022-06-29 1144浏览
前馈电容是如何影响buck电路的输出特性的？

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凡亿PCB 2022-06-13 1617浏览
微热通道电极结构宽条形半导体激光器输出特性

来源《发光学报》摘要:为了抑制宽条形半导体激光器的热透镜效应，提高慢轴光束质量，本文提出并制作了一种微热通道电极结构激光器｡该芯片p面注入区电极处被设计为较厚的高热导率的电极结构，封装后激光器两侧与热沉之间形成空气间隙，抑制激光器有源区横向热流，使激光器内温度分布均匀，有效地降低慢轴发散角｡对该激光器的封装模型进行了稳态热分析，优化了微热通道电极结构的厚度和宽度，并制作了波长为940nm的微热通道

DT半导体材料 2021-08-16 1155浏览
载流子存储层掺杂浓度对CSTBT输出特性的影响1

（1）CSTBT结构（2）CS层掺杂浓度对输出IV特性的影响 2.1 NCS=5E14 2.2 NCS=1E16 2.3 NCS=5E16 NCS=5E14~1E17 ###################################################### 为进一步改善IGBT导

半导体技术人 2021-04-09 2969浏览
载流子注入增强型IGBT输出特性研究1

（1）CSTBT结构（2）CS结构对输出IV特性的影响 VGS=15V，VDS=10V VGS=15V，VDS=50V ###################################################### 为进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能，可采用发射极载流子增强技术。传统载流子增强技术

半导体技术人 2021-04-08 2026浏览
IGBT稳态输出特性

1、结构 2、稳态输出特性（1）VGE=3V （2）VGE=15V ############################################### 工作原理: IGBT是双极型三极管和MOS管结合在一起的产物，双极型三极管具有低频（10KHz以下）大电流能力，MOSFET具有高频（100KHz

半导体技术人 2021-03-30 1907浏览
达林顿晶体管输出特性仿真

（1）达林顿晶体管结构：（2）输出特性仿真 1、IB=1mA 2、VBE1=1.5V，VE1=0~1.5V ############################################ 硅双极型晶体管、晶闸管及其衍生器件具有电导调制效应，可改善大电流情况下的饱和压降，降低其通态损耗。其中硅双极型功

半导体技术人 2021-03-27 1287浏览
IGBT基本器件结构和输出特性

########################################## 对称阻断IGBT结构通常被称为非穿通(NPT)IGBT结构，因为电场不会扩展到N-漂移区轻掺杂部分的整个宽度。非对称IGBT结构被优化用于直流电路中，其中没有反向偏置，只工作在I-V特性的第一象限。非对称IGBT结构的主要特点是在N漂移区引入了N缓冲层。在非对称IGBT结构中，正向阻

半导体技术人 2021-01-27 3689浏览
高压大电流DMOS结构和输出特性仿真设计

功率MOS场效应晶体管电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。直流参数包括：漏源击穿电压BVDSS，静态漏源导通电阻RDS(on)，栅阈值电压VGS(th)，正向跨导gfs等;交流参数包括：输入电容Ciss、输出电容Coss，反向传递电容Crss，开关时间ton、ts、tf等；极限参数包括：连续电流ID和脉冲漏电流IDM，最大耗散

半导体技术人 2020-12-29 1085浏览

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