湿法刻蚀 - 电子工程专辑

湿法刻蚀

干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解

在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“晶体管的集成密度将在1.5到2年内翻一番”的预测（俗称“摩尔定律”）起到了推动作用。蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”

半导体工艺与设备 2024-03-17 1683浏览
干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解

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BOE知识酷 2024-03-07 878浏览
晶片湿法刻蚀

硅湿法刻蚀1、酸性蚀刻液：Si+HNO3 +6HF → H2 SiF6 +HNO2 +H2O+H22、硅的碱性刻蚀液：氢氧化钾、氢氧化氨或四甲基羟胺（TMAH）溶液，晶片加工中，会用到强碱作表面腐蚀或减薄，器件生产中，则倾向于弱碱，如SC1清洗晶片或多晶硅表面颗粒，一部分机理是SC1中的NH4OH刻蚀硅，硅的均匀剥离，同时带走表面颗粒。随着器件尺寸缩减会引入很多新材料（如高介电常数和金属栅极），那

半导体工艺与设备 2023-06-14 1603浏览
干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解

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半导体工艺与设备 2023-02-04 2506浏览
【原创】湿法刻蚀及其均匀性技术探讨

湿法刻蚀是化学清洗方法中的一种，是化学清洗在半导体制造行业中的应用，是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。其基本目的是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形，有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。从半导体制造业一开始，湿法刻蚀就与硅片制造联系在一起。虽然湿法刻蚀已经逐步开始被干法刻蚀所取代，但它在漂去

半导体工艺与设备 2021-12-28 1992浏览
设备｜晶洲装备G8.5湿法刻蚀设备量产设备交付

2021年，晶洲装备迎来新的家园，站在新的高度，踏上了新的征程。新厂竣工伊始，晶洲接获某大客户大尺寸显示基地示范工厂G8.5刻蚀设备订单，历时130余天，G8.5刻蚀设备较之标准生产周期提前50天超前完成生产，顺利下线。这是我司新工厂投入使用后首批交付的主工艺设备，该订单的接获，体现了行业标杆企业对晶洲研发设计以及生产能力的认可。湿法刻蚀设备主要应用于平板显示制程的阵列(Array)段，其原理是利

CINNOResearch 2021-09-11 1771浏览
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半导体工艺与设备 2021-07-30 5862浏览

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