失效机理 - 电子工程专辑

失效机理

【光电集成】封装有关的失效机理

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光引未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光引未来----来源：中国科学院半导体研究所申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人

今日光电 2025-03-04 93浏览
大功率半导体激光器电极失效机理研究

度大等优点在激光泵浦、激光武器、工业加工等领域具有广泛的应用。然而，大功率半导体激光器在长期工作的情况下或在高温等恶劣环境下往往达不到长效稳定的工作要求，即性能发生退化，直接影响了激光器的可靠性和系统模块的稳定性。电极退化是导致大功率半导体激光器失效的主要因素之一。欧姆接触不良是现阶段大功率半导体激光器在制造及应用方面一个亟待解决的问题。欧姆接触电极品质的好坏，欧姆接触电极比接触率的大小，会直接影

芯片工艺技术 2024-10-08 602浏览
NCM811+硅碳电池过充失效机理研究！

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！本文通过对NCM811+硅碳体系的锂离子电池进行不同条件的过充现象开展了相关研究，采用气相色谱研究了过充后电池内部分解产生的气体、解剖后观察极片状态，采用SEM观察材料以及隔膜表面微观形貌变化，采用XRD分析正极材料的变化等，分析出导致NCM811+硅碳体系过充失效的主要原因为正极结构塌陷、金属离子溶出、电解液分解等副反应产热导致电芯内部温度较高，最后隔膜融化

锂电联盟会长 2024-08-19 898浏览
乔羽教授、林彦谷博士、谷林教授，ACSEnergyLetters文章：4.6V高压钴酸锂的失效机理研究

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！文章信息揭示钴酸锂在4.6V以后的演变第一作者：吴子欣通讯作者：乔羽*，蒯笑笑*，林彦谷*，谷林*单位：厦门大学，台湾同步辐射研究中心，清华大学研究背景商业化最早的钴酸锂电池以其高理论容量、长循环寿命和优秀的倍率性能而闻名，至今仍是新时代高容量锂电池中最具潜力的候选之一，备受学术界的重点关注。提高工作电压可以显著提升钴酸锂的能量密度，然而这也伴随着

锂电联盟会长 2023-10-27 1900浏览
欧阳明高院士EES：硫化物全固态电池的两种不同高温热失效机理：气-固反应v.s.固-固反应

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！【研究背景】全固态电池是当下动力电池领域的前沿研究热点。使用不可燃固态电解质替换传统液态电解液、匹配更高比能的正负极材料体系，其有望彻底解决人们所关注的“安全隐患”与“里程焦虑”，这是发展全固态电池的初衷。然而，电解质自身的可燃性、热稳定性并非电池是否安全的决定性因素。现有的研究已经初步证实，固态电解质与满电态正负极材料在极端条件下仍会发生放热、产气的危害行为

锂电联盟会长 2023-08-01 1906浏览
MOSFET的失效机理：dV/dt失效和雪崩失效

本文的关键要点・当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时，会造成击穿并引发雪崩击穿。・发生雪崩击穿时，会流过大电流，存在MOSFET失效的危险。・ MOSFET雪崩失效包括短路造成的失效和热量造成的失效。・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。・dV/dt是单位时间内的电压变化量，VDS的

面包板社区 2022-11-14 1966浏览
干货|常见的电子元器件失效机理与分析

点击上方“皇华电子元器件”关注我们电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。硬件工程师调试爆炸现场所以掌握各类电子元器件的实效机理与特性是硬件工程师比不可少的知识。下面分类

皇华电子元器件IC供应商 2022-07-29 2893浏览
SiP失效模式和失效机理

SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔（TSV）失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装（PoP）结构失效、芯片倒装焊失效等，这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。一、TSV失效模式和机理 TSV是SiP组件中一种系统级架构的新的高密度内部互连方式，采用TSV通孔互连的堆叠芯片封装结构，如图1所示。TSV的工艺缺陷是导致其通孔互连失效的主要原因，有关TSV的工艺缺陷主要有

云脑智库 2021-05-01 2098浏览
SiP失效模式和失效机理

SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔（TSV）失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装（PoP）结构失效、芯片倒装焊失效等，这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。一、TSV失效模式和机理TSV是SiP组件中一种系统级架构的新的高密度内部互连方式，采用TSV通孔互连的堆叠芯片封装结构，如图1所示。TSV的工艺缺陷是导致其通孔互连失效的主要原因，有关TSV的工艺缺陷主要有以下3种

可靠性杂坛 2021-04-27 1040浏览
SiP失效模式和失效机理

SiP组件的失效模式主要表现为硅通孔（TSV）失效、裸芯片叠层封装失效、堆叠封装（PoP）结构失效、芯片倒装焊失效等，这些SiP的高密度封装结构失效是导致SiP产品性能失效的重要原因。一、TSV失效模式和机理 TSV是SiP组件中一种系统级架构的新的高密度内部互连方式，采用TSV通孔互连的堆叠芯片封装结构，如图1所示。TSV的工艺缺陷是导致其通孔互连失效的主要原因，有关TSV的工艺缺陷主要有

可靠性杂坛 2021-04-27 3717浏览
HIC失效模式和失效机理

本文节选自<电子微组装可靠性设计(基础篇)>，本篇的思维导图如下混合集成电路（HIC）的主要失效模式包括厚薄布线基板及互连失效、元器件与布线基板焊接/黏结失效、内引线键合失效、基板与金属外壳焊接失效、气密封装失效和功率电路过热失效等。一、HIC的失效类型混合集成电路的失效，从产品结构上划分失效主要分为两大类：组装、封装互连结构失效、内装元器件失效。其中，组装互连结构是指

可靠性杂坛 2021-04-10 2003浏览
【收藏】工程师必知的那些元器件失效机理

元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。温度导致失效环境温度是导致元件失效的重要因素。温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响，其关系为：

凡亿PCB 2021-02-01 1969浏览
工程师必知的哪些元器件失效机理

元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。温度导致失效环境温度是导致元件失效的重要因素。温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响，其关系为：

电源Fan 2021-01-28 1505浏览
【收藏】工程师必知的哪些元器件失效机理

元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。温度导致失效环境温度是导致元件失效的重要因素。温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少

Murata村田中文技术社区 2021-01-28 944浏览
元器件的失效机理有哪些？

失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。 1、温度导致失效： 1.1环境温度是导致元件失效的重要因素。温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响，其关系为：式中：ICQ―――温度

21ic电子网 2021-01-05 1350浏览
元器件失效机理有哪些？

元件的失效直接受湿度、温度、电压、机械等因素的影响。 1、温度导致失效： 1.1环境温度是导致元件失效的重要因素。温度变化对半导体器件的影响：构成双极型半导体器件的基本单元P-N结对温度的变化很敏感，当P-N结反向偏置时，由少数载流子形成的反向漏电流受温度的变化影响，其关系为：

电源Fan 2020-09-15 1208浏览
干货 | 常见的电子元器件失效机理与分析

电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。硬件工程师调试爆炸现场所以掌握各类电子元器

电子工程世界 2020-04-23 2973浏览
从未见过如此实用的干货！常见的电子元器件失效机理与分析

电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间，有时甚至炸机。硬件工程师调试爆炸现场所以掌握各类电子元器

电源Fan 2020-04-23 2755浏览

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