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砷化镓
砷化镓外延基板晶向
对于做激光应用的砷化镓基板,晶向有很重要的应用。关乎了激光芯片的成品质量和合格率,通过在wafer上划片,劈裂,我们得到了die,一颗完整的die如下图所以,这个只是芯片的一个端面。但是通常把这个面作为芯片的腔体面,也是激光器的解离面{110}晶面。侧边倾斜是由于砷化镓的100面的倾斜。定义: 再来看看die在晶圆中的晶向位置:(0-11)和(0-1-1)原本其实都可以作为出光面,但是实
芯片工艺技术
2025-02-21
146浏览
投资33.87亿元,广东首条砷化镓晶圆产线调通!
据“珠海高新区”消息,近日,珠海华芯微电子有限公司(以下简称“华芯微电子”)首条6英寸砷化镓晶圆生产线正式调通,并生产出第一片6英寸2um砷化镓HBT晶圆,将于2025年上半年实现大规模量产。据介绍,该砷化镓晶圆具备高增益、高效能的特性,可应用于先进5G Phase 7/8手机功率放大器模组以及Wi-Fi 6/7等设备。资料显示,华芯微电子于2023年在珠海高新区成立,专注于化合物半导体晶圆代工业
MEMS
2024-11-23
263浏览
33亿!广东首个砷化镓晶圆代工厂即将通线
近日,格创·华芯半导体园区、艾锐光电化合物半导体平台项目、中微公司临港产业化基地等3个化合物半导体相关项目披露了最新进展。总投资33.87亿元,格创·华芯半导体园区落成8月4日,据“珠海高新区”官微消息,格创·华芯半导体园区落成暨设备进机仪式于8月3日举行。source:珠海高新区据了解,格创·华芯半导体园区总投资33.87亿元。此次实现设备进机的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地主体工程项目——华芯微
化合物半导体市场
2024-08-05
739浏览
砷化镓GaAsHBT产业链与射频PA
关注 ▲射频美学▲ ,一起学习成长这是射频美学的第1089期分享。来源 | 整编;微圈 | 进微信群,加微信: RFtogether521;备注:昵称+地域+产品及岗位方向(如大魔王+上海+芯片射频工程师);宗旨 | 看到的未必是你的,掌握底层逻辑才是。作为第二代半导体的“扛把子”,砷化镓(GaAs)具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、高线性以及低噪声等特点,在光电和射频领域有着非常广泛的应用。
射频美学
2022-11-30
3092浏览
砷化镓基板晶向---终结章
上两篇主要了解了一下固体物理学的晶体结构的知识,晶向、晶面的区别和定义。 对于做激光应用的砷化镓基板,晶向有很重要的应用。关乎了激光芯片的成品质量和合格率,通过在wafer上划片,劈裂,我们得到了die,一颗完整的die如下图所以,这个只是芯片的一个端面。但是通常把这个面作为芯片的腔体面,也是激光器的解离面{110}晶面。侧边倾斜是由于砷化镓的100面的倾斜。定义: 再来看看die在晶圆中
芯片工艺技术
2022-11-09
1412浏览
涉及抛光液/抛光垫及砷化镓/射频滤波器中电四公司公布一批项目进展
近日, 中电四公司披露一批项目进展,其中包括烟台万华电子材料二期项目以及常州承芯二期机电项目。据悉,烟台万华电子材料二期项目桩基已于8月19日正式开工。该项目是“半导体新材料制备与应用技术”项目,项目建成后,将助力化学机械抛光液和抛光垫市场国产化进程。常州承芯二期机电项目已于9月28日提前完成洁净室正压送风节点。该项目建设内容为6英寸砷化镓晶圆代工、年产13.5亿颗射频滤波器。据悉,承芯半导体成立
半导体前沿
2022-10-22
1819浏览
重大突破!批量出货!已打造2条4英寸砷化镓线
免责声明:内容如有侵权,请联系本部删除!(手机微信同号15800497114)来源:去年6月,落户苏相合作区不到一年的苏州长瑞光电有限公司迎重大进展——其所研发生产的25G NRZ VCSEL(垂直腔面发射激光器)光芯片产品顺利出货该研发成果突破了“卡脖子”技术为国内光模块企业提供了“中国芯”就在近期这个国产VCSEL光芯片的领军企业在产品换代上又有 重大突破 企业自研新产品50G PAM4 VC
今日半导体
2022-07-06
1128浏览
【天生“我材”】“半导体贵族”砷化镓单晶材料
作为第二代半导体材料,砷化镓(GaAs)单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称,它是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。由于砷化镓禁带宽度宽、电子迁移率高、直接带跃迁,因而不仅可直接研制光电子器件,且在微电子方面,以半绝缘砷化镓为基体,用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管,具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点。当
半导体工艺与设备
2021-12-10
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【天生“我材”】 “半导体贵族”砷化镓单晶材料
作为第二代半导体材料,砷化镓(GaAs)单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称,它是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。由于砷化镓禁带宽度宽、电子迁移率高、直接带跃迁,因而不仅可直接研制光电子器件,且在微电子方面,以半绝缘砷化镓为基体,用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管,具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点。当
半导体工艺与设备
2021-12-01
1772浏览
恭喜!砷化镓大厂通过审议,Q4上市
*免责声明:转载仅为了传达一种不同的观点,不代表今日半导体对该观点赞同或支持,内容如有侵权,请联系本部删除!手机微信同15800497114。砷化镓IDM厂全讯科技通过审议Q4上市全讯科技是专业砷化镓、氮化镓微波集成电路(GaAs、GaN、MMIC)及功率放大器(PA)模块制造商,8月24日获国内证券交易所董事会通过上市案,主办承销商为台新证券,初次上市普通股股票承销案将采竞拍作业与申购,预计最快
今日半导体
2021-09-10
1472浏览
砷化镓基板对外延磊晶质量的影响
最近做芯片和外延的研究,发现同样的外延工艺和芯片工艺做出来的芯片性能差别很大,大到改变试验设计的“世界观”。基板衬底的质量好坏很关键。 今天专门扒一扒砷化镓GaAs系外延基板的问题,以及砷化镓外延。砷化镓目前体量最大的,主要用于通信领域(5G手机PA通信射频芯片),全球近百亿美金市场。磷化铟主要用于通讯领域的光电器材(如光模块里的发射芯片)。在光
芯片工艺技术
2021-08-11
3159浏览
总投资6亿!唐晶量子的砷化镓和磷化铟外延片项目开工
6月15日,西安高新区二季度重点项目集中开工仪式举行,会上集中开工项目共计51个,总投资约1165亿元,项目涉及先进制造业、服务业、新材料新能源、电子信息等领域。其中,化合物半导体延片研发生产项目、比亚迪西安研发中心项目和比亚迪年产20GWh动力电池项目都在此次会上开工。Source:西安高新01化合物半导体延片研发生产项目建设单位为西安唐晶量子科技有限公司,总投资额6亿元,项目将建设20条外延片
MEMS
2021-06-20
3486浏览
砷化镓衬底厂商通美晶体拟科创板IPO
免费入驻咨询热线:400-1027-270 6月6日,据北京监管局披露,海通证券发布关于北京通美晶体技术股份有限公司(简称“通美晶体”)首次公开发行股票并在科创板上市之辅导基本情况表。△Source:证监会公告截图据披露,海通证券和通美晶体于2021年4月签署《北京通美晶体技术股份有限公司与海通证券股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导协议》,通美晶体拟首次公开发行股票并在
半导体商城
2021-06-09
3064浏览
砷化镓晶圆代工大厂稳懋大幅扩产
近日,砷化镓晶圆代工大厂稳懋董事会通过百亿投资案。因应长期营运成长,将投资100亿元新台币(下同),在南部科学园区高雄园区路竹厂租地,建置晶圆厂及周边相关废水、机电等附属设施,今年中动工兴建,目标三年后量产。稳懋先前已取得南部科学园区高雄园区9.7公顷土地使用权,将扩产抢攻未来5G、6G以及电动车商机。稳懋短期步入传统淡季,营运较为平淡。但稳懋法人指出,今年5G手机渗透率提升,稳懋5G PA占手机
MEMS
2021-05-09
1724浏览
砷化镓材料制备工艺
免费入驻咨询热线:400-1027-270 从20世纪50年代开始,已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。目前主流的工业化生长工艺包括:液封直拉法(LEC)、水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)以及垂直梯度凝固法(VGF)等。 高纯砷 1、液封直拉法(Liquid Encapsulated Czochralski,简称
半导体商城
2021-03-15
2126浏览
砷化镓单晶的生产技术以及砷化镓单晶的发展前景
免费入驻咨询热线:400-1027-270 一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs,分子量144.63,属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路
半导体商城
2021-03-15
1393浏览
砷化镓基板晶向---终结章
上两篇主要了解了一下固体物理学的晶体结构的知识,晶向、晶面的区别和定义。 对于做激光应用的砷化镓基板,晶向有很重要的应用。关乎了激光芯片的成品质量和合格率,通过在wafer上划片,劈裂,我们得到了die,一颗完整的die如下图所以,这个只是芯片的一个端面。但是通常把这个面作为芯片的腔体面,也是激光器的解离面{110}晶面。侧边倾斜是由于砷化镓的100面的倾斜。定
芯片工艺技术
2021-01-29
794浏览
将投入氮化镓、砷化镓和特种封装等项目!三安光电70亿定增获批复
免费入驻咨询热线:4001-027-270 6月4日,三安光电发布公告称, 公司于6月3日收到中国证券监督管理委员会出具的《关于核准三安光电股份有限公司非公开发行股票的批复》文件, 核准公司非公开发行不超过400,916,380股新股,发生转增股本等情形导致总股本发生变化的,可相应调整本次发行数量。 根据此前的
半导体商城
2020-06-08
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