设计基础 - 电子工程专辑

设计基础

功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》和《功

英飞凌工业半导体 2024-12-23 88浏览
功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为

英飞凌工业半导体 2024-12-16 105浏览
功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲清瞬态热阻曲线的应用。浪涌电流二极管

英飞凌工业半导体 2024-12-10 153浏览
功率器件热设计基础（七）——热等效模型

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的

英飞凌工业半导体 2024-12-02 203浏览
功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——Rth/Zth基础：IEC 60747-9即GB/T 29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体

英飞凌工业半导体 2024-11-25 77浏览
功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容Cth像热阻Rth一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的

英飞凌工业半导体 2024-11-18 206浏览
功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给

英飞凌工业半导体 2024-11-11 374浏览
功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的

英飞凌工业半导体 2024-11-04 249浏览
功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做

英飞凌工业半导体 2024-10-28 359浏览
功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温

英飞凌工业半导体 2024-10-21 482浏览
【技研】塑料件设计基础

戳蓝字“汽车技研”即可关注我们！【免责声明】内容来源网络，仅供参考学习，版权归原创作者所有，如因作品内容、版权等存在问题，烦请联系汽车技研小编进行删除或洽谈版权使用事宜。小编微信号：QCJYLB。

汽车技研 2024-07-24 442浏览
雷击浪涌抑制电路设计基础

点击上方名片关注了解更多雷电压/电流的特性1.2/50uS雷电压脉冲波形(IEC61000-4-5)1.2/50uS雷电压脉冲波形(IEC61000-4-5)雷击浪涌防护器件各自的优缺点气体放电管半导体放电管压敏电阻TVS防雷模块（SPD）气体放电管伏安特性应用中存在的问题优缺点半导体放电管伏安特性优缺点压敏电阻伏安特性优缺点瞬态电压抑制器（TVS）伏安特性优缺点几种保护器件的比较防雷电路设计

硬件笔记本 2024-05-31 475浏览
最全硬件工程师笔试面试必刷题库-芯片设计基础

本题库会更新硬件工程师笔试面试各个模块。从基本元器件开始，后面更新模电数电，电源，运放，PCB等各方面的设计知识，供相关行业笔试面试参考用。如果各位有好的题库，也可以留言，私信提供，后续一起编排进来，方便硬件工程师刷题用。 1、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。（未知） 2、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步

启芯硬件 2024-05-03 657浏览
这60个硬件设计基础问题，你都知道吗？

硬件是一个非常复杂的系统，在设计过程中都会遇到或多或少的问题，AMEYA360在本文中总结了非常基础的60个问题，供大家参考。 01 1、请说明一下滤波磁珠和滤波电感的区别。磁珠由导线穿过铁氧体组成，直流电阻很小，在低频时阻抗也很小，对直流信号几乎没有影响。在高频（几十兆赫兹以上）时磁珠阻抗比较大，高频电磁场在铁氧体材料上产生涡流，使高频干扰信号转化为热量消耗掉。磁珠常用于高频电路模块的电源滤波和

皇华电子元器件IC供应商 2024-04-11 721浏览
雷击浪涌抑制电路设计基础

点击👆一点电子👇关注我，右上角“...”设为 ★星标★，技术干货第一时间送达！雷电压/电流的特性1.2/50uS雷电压脉冲波形(IEC61000-4-5)1.2/50uS雷电压脉冲波形(IEC61000-4-5)雷击浪涌防护器件各自的优缺点气体放电管半导体放电管压敏电阻TVS防雷模块（SPD）气体放电管伏安特性应用中存在的问题优缺点半导体放电管伏安特性优缺点压敏电阻伏安特性优缺点瞬态电

一点电子 2023-10-25 706浏览
多层印制板设计基础，PCB板的堆叠与分层

点击👆一点电子👇关注我，右上角“...”设为 ★星标★，技术干货第一时间送达！一．概述多层印制板为了有更好的电磁兼容性设计。使得印制板在正常工作时能满足电磁兼容和敏感度标准。正确的堆叠有助于屏蔽和抑制EMI。二．多层印制板设计基础多层印制板的电磁兼容分析可以基于克希霍夫定律和法拉第电磁感应定律。根据以上两个定律，我们得出在多层印制板分层及堆叠中应遵徇以下基本原则：① 电源平面应尽量靠近接地平面，并

一点电子 2023-09-18 702浏览
锂电池极片设计基础、常见缺陷和对电池性能的影响

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！一、极片设计基础篇锂电池电极是一种颗粒组成的涂层，均匀的涂敷在金属集流体上。锂离子电池极片涂层可看成一种复合材料，主要由三部分组成：(1)活性物质颗粒；(2)导电剂和黏结剂相互混合的组成相(碳胶相)；(3)孔隙，填满电解液。各相的体积关系表示为：孔隙率 + 活物质体积分数 + 碳胶相体积分数=1锂电池极片的设计是非常重要的，现针对锂电池极片设计基础知识进行简单

锂电联盟会长 2023-06-30 1424浏览
锂电池极片设计基础、常见缺陷和对电池性能的影响

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！一、极片设计基础篇锂电池电极是一种颗粒组成的涂层，均匀的涂敷在金属集流体上。锂离子电池极片涂层可看成一种复合材料，主要由三部分组成：(1)活性物质颗粒；(2)导电剂和黏结剂相互混合的组成相(碳胶相)；(3)孔隙，填满电解液。各相的体积关系表示为：孔隙率 + 活物质体积分数 + 碳胶相体积分数=1锂电池极片的设计是非常重要的，现针对锂电池极片设计基础知识进行简单

锂电联盟会长 2023-05-20 929浏览
干货：硬件设计基础60条

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 796911266高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2023-05-15 1259浏览
总结：硬件设计基础60条

点击👆一点电子👇关注我，右上角“...”设为 ★星标★，技术干货第一时间送达！硬件是一个非常复杂的系统，在设计过程中都会遇到或多或少的问题，本文中总结了非常基础的60个问题，供大家参考。 01 1、请说明一下滤波磁珠和滤波电感的区别。磁珠由导线穿过铁氧体组成，直流电阻很小，在低频时阻抗也很小，对直流信号几乎没有影响。在高频（几十兆赫兹以上）时磁珠阻抗比较大，高频电磁场在铁氧体材料上产生涡流，使高频

一点电子 2023-05-09 888浏览
硬件工程师设计基础100题

点击上方名片关注了解更多1请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。电阻：美国：AVX、VISHAY 威世日本：KOA 兴亚、Kyocera 京瓷、muRata 村田、Panasonic 松下、ROHM 罗姆、susumu、TDK中国台湾： LIZ 丽智、PHYCOM 飞元、RALEC 旺诠、ROYALOHM 厚生、SUPEROHM 美隆、TA-I 大毅、TMTEC 泰铭、TO

硬件笔记本 2023-05-08 1464浏览
【收藏】硬件工程师设计基础“100例”！

点击👆一点电子👇关注我，右上角“...”设为 ★星标★，技术干货第一时间送达！1请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。电阻：美国：AVX、VISHAY 威世日本：KOA 兴亚、Kyocera 京瓷、muRata 村田、Panasonic 松下、ROHM 罗姆、susumu、TDK中国台湾： LIZ 丽智、PHYCOM 飞元、RALEC 旺诠、ROYALOHM 厚生、SUPE

一点电子 2023-04-24 1661浏览
【收藏】硬件工程师设计基础“100例”！

1请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌）。电阻：美国：AVX、VISHAY 威世日本：KOA 兴亚、Kyocera 京瓷、muRata 村田、Panasonic 松下、ROHM 罗姆、susumu、TDK台湾： LIZ 丽智、PHYCOM 飞元、RALEC 旺诠、ROYALOHM 厚生、SUPEROHM 美隆、TA-I 大毅、TMTEC 泰铭、TOKEN德键、TYOHM 幸亚

电源研发精英圈 2023-04-04 1618浏览
【技研】汽车基础构造-总布置设计基础

戳蓝字“汽车技研”即可关注我们！文章来源：网络文章来源：网络‍【免责声明】内容来源网络，仅供参考学习，版权归原创作者所有，如因作品内容、版权等存在问题，烦请联系汽车技研小编进行删除或洽谈版权使用事宜。小编微信号：QCJYLB。

汽车技研 2023-02-20 753浏览
RF设计基础：驻波比、回波损耗和失配损耗

第一期进入实操阶段！“版图就业&提升班” 第二期开启报名小班线上授课、线下实训！了解电压驻波比 (VSWR)、回波损耗和失配损耗，这有助于表征射频 (RF) 设计中的波反射。当电波在其中传播过程中，遇到的介质的阻抗发生变化时会产生反射。当我们打算将功率从信号链中的一个模块传输到下一个模块时，这些反射是非常不希望的。在本文中，我们将了解两个参数，即驻波比和回波损耗，它们使我们能够表征RF设计中的波反

EETOP 2023-02-07 1535浏览

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xxdg 评论文章 2025-01-05

强大的JTAG边界扫描2-BSDL文件
好神经的网站，一直登陆阅读完全文，也不跳转，明明登陆了，神经

小瑞不熬夜评论文章 2024-12-27

自动驾驶多车协同与人机协同现状详细总览

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