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闪存技术
SSD闪存技术基础知识全解(星球版)
编者注:应知识星球的星友要求,笔者与版权方协商提供知识星球版本(SSD闪存技术基础知识全解),已经上传至星球,请星友免费下载(仅用于学习用途),下载地址:SSD闪存技术基础知识全解(知识星球版)、服务器基础知识全解(知识星球版),存储系统基础知识全解(知识星球版)。原版资料及版权归架构师技术书店所有,有需要的朋友请参考获取SSD闪存技术基础知识全解(终极版)、服务器基础知识全解(终极版)和存储系统
智能计算芯世界
2024-11-11
407浏览
美光宣布量产第九代NAND闪存技术产品
关注美光 获取动态2024 年 7 月 31 日,美光科技股份有限公司(纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技术的 SSD 产品已开始出货,成为业界首家实现这一里程碑的厂商之一。美光 G9 NAND 技术具备高达 3.6 GB/s 的数据传输速率,提供卓越的数据读写带宽。该项 NAND 新技术为人工智能(AI)及其他数据密集型应用场景带来出色的性能,适用于个人设备
美光科技
2024-07-31
548浏览
被垄断的NAND闪存技术
▲ 更多精彩内容 请点击上方蓝字关注我们吧!随着密度和成本的飞速进步,数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此,与半导体行业的其他产品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。这是因为 NAND不再依赖光刻来图案化更小的单元。相反,NAND 依赖于不同的架构,也就是 3D NAND,该架构于 2013 年首次商业化。此后,NAND 制造商通过添加越来越多的存储单元层来
电子工程世界
2023-07-20
781浏览
NAND闪存技术和市场分析(附下载)
东芝在1989年推出了NAND闪存架构。这些存储器的访问方式与块设备(例如硬盘)非常相似。每个块由许多页面组成。这些页面的大小通常为512或2,048或4,096字节。与每个页面相关联的是几个字节(通常是数据大小的1/32),可用于存储纠错码(ECC)的校验和。 一、NAND介绍 NAND闪存包括SLC NAND, MLC NAND, TL
智能计算芯世界
2021-04-11
4048浏览
闪存技术的50多年发展史!
相对于许多计算机技术而言,闪存的发展史相对短暂,但它可以说是应巨大且快速变化的存储市场要求而迅速成长的一项技术。起源于60年代末,80年代初提出概念,在过去的数十年发展中已然成熟,现在让我们回溯时光,去探知一段属于闪存的辉煌发展史。1967年。贝尔实验室江大原(Dawon Kahng,韩裔)和施敏博士(Simon Sze)共同发明了浮栅MOSFET,即所有闪存,EEPROM和EPROM的基础。位于
ittbank
2019-09-16
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