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三星公司

三星公司年底正式开启HBM4芯片流片进程

8月19日消息，据韩媒报道，三星电子将于今年底启动下代 HBM4 内存的流片，为明年底的 12 层堆叠 HBM4 产品量产做准备。考虑到从流片到测试产品的推出还需要 3 到 4 个月的时间，三星电子的 HBM4 12H 样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺，改进后的样品将向主要客户出样。韩媒在报道中确认，三星电子将在 HBM4 内存上采用 1c nm 制程 DR

半导体前沿 2024-08-19 562浏览

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