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驱动电路设计
驱动电路设计(十)——栅极电荷和应用
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景,然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。MOSFET功率半导体是电压型驱动,驱动的本质是对栅极端口的电容充电,驱动峰值电流是受功率器件驱动电阻和驱动器内阻影响的,而驱动功率则由栅极电荷、驱动电
英飞凌工业半导体
2025-04-14
164浏览
MOSFET驱动电路设计时,为什么可以“慢”开,但是要“快”关呢?
▼关注微信公众号:硬件那点事儿▼Part 01前言MOSFET作为开关器件,在驱动电路中主要用于控制电流的通断,比如在DC-DC转换器、电机驱动或者功率放大电路中。它的开关过程(开和关)会直接影响电路的效率、发热和可靠性。“慢开快关”的这个设计原则,背后有什么电路设计原理呢?咱们从MOSFET的工作原理和实际应用场景来分析分析一下。MOSFET的开关过程中开和关的本质是什么呢?MOSFET的开关过
硬件那点事儿
2025-04-09
365浏览
驱动电路设计(九)——栅极钳位
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景,然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。现在市场上功率半导体器件IGBT,MOSFET,SiC MOSFET和GaN,大都是电压栅控器件,驱动起来比电流型双极性晶体管BJT容易得多,只需要有限
英飞凌工业半导体
2025-04-07
84浏览
驱动电路设计(八)——米勒钳位杂谈
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章将以杂谈的形式讲述技术背景,然后详细讲解如何正确理解和应用驱动器的相关功能。什么是误导通图1是最基本的半桥电路,上管开通的波形如图2所示,这时下管VT2驱动电压为零,已经关断了。图1. IGBT半桥电路由图2可以看出IGBT V
英飞凌工业半导体
2025-03-31
325浏览
驱动电路设计(七)——自举电源在5kW交错调制图腾柱PFC应用
随着功率半导体IGBT,SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化,电平位移驱动电路应用场景越来越广,电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A,可驱动中功率IGBT,包括Easy系列模块。目标10kW+应用,如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机。本文就来介绍一个设计案例,采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET 5kW交
英飞凌工业半导体
2025-03-24
230浏览
驱动电路设计(六)——驱动器的自举电源动态过程
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能。自举电路在电平位移驱动电路应用很广泛,电路非常简单,成本低,而且有很多实际案例可以抄作业,不过,由于系统往往存在特殊或极端工况,如设计不当调制频率或占空比不足以刷新自举电容器上电荷,电容上的
英飞凌工业半导体
2025-03-17
321浏览
驱动电路设计(五)——驱动器的自举电源稳态设计
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能。自举电路在电平位移驱动电路应用很广泛,电路非常简单,成本低,而且有很多实际案例可以抄作业。不过,由于系统往往存在特殊或极端工况,如设计不当调制频率或占空比不足以刷新自举电容器上电荷,电容上的
英飞凌工业半导体
2025-03-10
503浏览
驱动电路设计(四)---驱动器的自举电源综述
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能。驱动电路有两类,隔离型的驱动电路和电平位移驱动电路,他们对电源的要求不一样,隔离型的驱动电路需要隔离电源,驱动集成电路一般都支持正负电源,而电平位移驱动电路一般采用非隔离的自举电源,一般是单
英飞凌工业半导体
2025-03-03
649浏览
驱动电路设计(三)---驱动器的隔离电源杂谈
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章以阅读杂谈的方式讲解如何正确理解和应用这些功能,也建议读者收藏和阅读推荐的资料以作参考。驱动电路有两类,隔离型的驱动电路和电平移位驱动电路,他们对电源的要求不一样,隔离型的驱动电路需要隔离电源,驱动集成电路一般都支持正负电源,而
英飞凌工业半导体
2025-02-24
530浏览
驱动电路设计(二)——驱动器的输入侧探究
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章以阅读杂谈的方式讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能,也建议读者阅读和收藏文章中推荐的资料以作参考。驱动器的输入侧一个可靠的功率半导体驱动电路设计要从输入侧开始,输入端可能会受到干扰,控制电路也会发生逻辑错误,可能的误触发会造成
英飞凌工业半导体
2025-02-17
371浏览
驱动电路设计(一)——驱动器的功能综述
驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章将详细讲解如何正确理解和应用这些驱动器的功能。每一个功率开关都需要一个驱动器,功率开关在系统中会承受高压大电流,如何使得功率半导体优雅地开通和关断,驱动电路功不可没。另外,驱动电路还需要承担功率开关保护的重任,检测短路工况,快速
英飞凌工业半导体
2025-02-10
1007浏览
MOSFET规格书中安全工作区SOA在MOS驱动电路设计时用处很大,1000字搞懂它
▼关注微信公众号:硬件那点事儿▼Part 01前言打开MOSFET规格书,往下拉,你会发现MOSFET规格书里有一个曲线叫安全工作区曲线,很多人在进行MOSFET选型时,一般只关注前面的电气参数,往往会忽略后面的各种特性曲线,这样做就会忽略MOSFET选型的重要曲线。MOSFET的安全工作区英文叫Safe Operating Area,也就是SOA,是指MOSFET在特定条件下能够安全运行的电压、
硬件那点事儿
2025-01-22
910浏览
GaN和SiC驱动电路设计
欢迎加入技术交流QQ群(2000人):电力电子技术与新能源 867433881高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验,欢迎关注微信公众号:电力电子技术与新能源(Micro_Grid),论坛:www.21micro-grid.com,建立的初衷就是为了技术交流,作为一个与产品打交道的技术人员,市场产品信息和行业技术动态也是必不
电力电子技术与新能源
2024-04-25
555浏览
电机驱动电路设计与PCB设计实战视频教程
扫码免费观看长按识别课程介绍:电机驱动电路原理设计讲解本次直播主要讲解了大学生智能车竞赛的电机驱动电路设计方法,详细地讲解电机工作原理、H桥及H桥驱动电路的设计方法、单片机控制电路的设计方法以及开关电源电路的设计方法等等。以上的每个电路模块,直播均会详细地讲解元器件的计算、选型以及性能的评估,以让同学们快速地学会如何设计一个电机控制电路。1)电机的工作原理2)H桥工作原理3)H桥驱动电路的设计4)
凡亿PCB
2024-04-10
1066浏览
IGBT驱动电路设计
文章首尾冠名广告正式招商,功率器件:IGBT,MOS,SiC,GaN,磁性器件,电源芯片,DSP,MCU,新能源厂家都可合作,有意者加微信号1768359031详谈。说明:本文来源网络;文中观点仅供分享交流,不代表本公众号立场,转载请注明出处,如涉及版权等问题,请您告知,我们将及时处理。电力电子技术与新能源通讯录:重点如何下载《IGBT驱动电路设计》板块内高清PDF电子书点击文章底部阅读原文,访问
电力电子技术与新能源
2023-12-25
810浏览
MOS管驱动电路设计
MOS管因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管,其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。1、电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。②了解MOS管的寄生电容,如图C1、C2的值,这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比
电源研发精英圈
2023-08-25
1000浏览
MOS管驱动电路设计
点击上方名片关注了解更多MOS管因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管,其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。1、电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。②了解MOS管的寄生电容,如图C1、C2的值,这个寄生电容越小越
硬件笔记本
2023-08-24
762浏览
蜂鸣器驱动电路设计
点击上方名片关注了解更多下面就 3.3V NPN 三极管驱动有源蜂鸣器设计,从实际产品中分析电路设计存在的问题,提出电路的改进方案,使读者能从小小的蜂鸣器电路中学会分析和改进电路的方法,从而设计出更优秀的产品,达到抛砖引玉的效果。常见错误接法上图为典型的错误接法,当 BUZZER 端输入高电平时蜂鸣器不响或响声太小。当 I/O 口为高电平时,基极电压为 3.3/4.7*3.3V≈2.3V,由于三极
硬件笔记本
2023-08-04
1227浏览
MOSFET栅极驱动电路设计注意事项
点击👆一点电子👇关注我,右上角“...”设为 ★星标★,技术干货第一时间送达!1、栅极-发射极尖峰电压防护在 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个外部齐纳二极管,可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但要注意,齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响。图 1 栅极尖峰电压的防护2、 最佳的栅极电阻器开关速度根据栅极电阻器值而有所不同。增大栅极电阻器值会降低MOSFET 的开关速度,并增大其开关损耗
一点电子
2023-04-15
1969浏览
MOS管驱动电路设计,如何让MOS管快速开启和关闭?
关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总
凡亿PCB
2023-03-17
1210浏览
MOS管驱动电路设计细节
点击👆一点电子👇关注我,右上角“...”设为 ★星标★,技术干货第一时间送达! 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话,MOS管开关速度越快越好,因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电
一点电子
2023-02-03
1598浏览
GaN和SiC驱动电路设计
欢迎加入技术交流QQ群(2000人):电力电子技术与新能源 436308744高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验,欢迎关注微信公众号:电力电子技术与新能源(Micro_Grid),论坛:www.21micro-grid.com,建立的初衷就是为了技术交流,作为一个与产品打交道的技术人员,市场产品信息和行业技术动态也是必不
电力电子技术与新能源
2022-12-28
879浏览
隔离驱动电路设计
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电力电子技术与新能源
2022-12-26
875浏览
非隔离驱动电路设计
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电力电子技术与新能源
2022-12-25
951浏览
MOS管驱动电路设计,如何让MOS管快速开启和关闭?
关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总
电源研发精英圈
2022-11-28
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