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GaN
GaN是氮化镓的英文缩写,是一种具有宽禁带和高电子迁移率特性的半导体材料,常用于制造高效、高频、高温的电子器件.
国内一GaN项目宣布投产,明年大规模推广
插播:12月11-12日,合盛新材料、芯联集成、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、纳微半导体、罗姆、晶能微、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备以及悉智科技等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。近日,京东方华灿光电宣布旗下GaN募投项目投产,并披露了其浙江义乌GaN功率器件产线的相关进展。“行家说三代半”还汇总了国内
第三代半导体风向
2024-11-26
265浏览
国产OBC采用GaN!可节省1500元
插播:12月11-12日,合盛新材料、芯联集成、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、纳微半导体、罗姆、晶能微、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备以及悉智科技等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。11月25日,汇川联合动力在官微宣布,他们正式推出了新一代6.6 kW GaN车载二合一电源产品,该产品将车载充电器与车载直
第三代半导体风向
2024-11-25
80浏览
该GaN企业拟出售子公司
插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、悉智科技、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请扫下方二维码↓↓↓11月18日,位于英国的化合物半导体材料供应商IQE在官网透露,他们正在考虑是否要全面出售台湾子公司 IQE
第三代半导体风向
2024-11-21
70浏览
投票啦!超100家SiC/GaN企业竞逐,谁能摘得年度大奖?
插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、悉智科技、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。为了发掘出SiC和GaN行业内实力强、口碑好、质量优的标杆企业,表彰引领产业进步的创新技术和优秀产品,“2
第三代半导体风向
2024-11-19
195浏览
合计超17亿,新增4个GaN项目
插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。近期,国内外4个GaN项目传新动态,详情请看:镓宏半导体:氮化镓器件项目竣工据“方正环保”官网披露,9月11日,江苏
第三代半导体风向
2024-11-15
199浏览
纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案
作为当下热门的第三代半导体技术,GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比,GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗,但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。 按照栅极特性差异,GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异,GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针
纳芯微电子
2024-11-14
239浏览
产品|Navitas推出首款采用GaN和SiC供电的8.5kWAI数据中心电源
Navitas 今日发布消息称,公司开发出了世界上第一款用于数据中心应用的 8.5 kW 电源装置 (PSU)。该设计采用了三相 LLC 拓扑中的砷化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 晶体管,实现了 98% 的效率,为下一代 AI 和超大规模芯片提供动力。54V 输出 PSU符合 开放计算项目 (OCP) 和开放机架 v3 (ORv3) 规范,并使用650V GaNSafe和 650V Ge
碳化硅芯观察
2024-11-06
208浏览
金刚石/GaN键合技术大盘点
目前,金刚石与GaN功率器件的集成通常从两方面进行,一是GaN顶部的器件层散热,主要应用金刚石钝化散热技术,金刚石钝化散热是直接在器件顶部沉积金刚石,提高热点 顶部的热扩散,同时起到增大换热面积的作用;二是GaN底部金刚石衬底散热,主要有GaN底部异质外延金刚石、金刚石表面异质外延GaN和键合技术。键合技术是实现两者集成的关键方法之一。下面为大家详细介绍金刚石/GaN键合技术的相关研究进展。
DT半导体材料
2024-11-05
197浏览
1万伏!国产AlN基GaN新突破,已实现制造全流程贯通
近日,西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队与松山湖材料实验室王新强教授、袁冶副研究员团队,以及广东致能科技有限公司联合攻关,成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaN HEMTs晶圆。得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108cm-2数量级), AlGaN缓冲层厚度降至350 nm,外延成本大幅下降,且有效控制晶圆翘曲。这是我国在大尺寸新型衬底制备
第三代半导体风向
2024-11-04
519浏览
德州仪器扩大氮化镓(GaN)半导体自有制造规模,产能提升至原来的四倍
点击蓝字 关注我们新闻亮点:德州仪器增加了 GaN 制造投入,将两个工厂的 GaN 半导体自有制造产能提升至原来的四倍。德州仪器基于 GaN 的半导体现已投产上市。凭借德州仪器品类齐全的 GaN 集成功率半导体,能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。德州仪器已成功开展在 12 英寸晶圆上应用 GaN 制造工艺的试点项目。德州仪器(TI)(纳斯达克股票代码:TXN)近日宣布,公司基于氮化镓(G
德州仪器
2024-11-01
293浏览
新增8吋GaN工厂:产能提升400%、已研发12吋产品
插播:合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、思锐智能、三义激光、中电化合物、森国科、清软微视、清连科技、弘信新材、高泰新材、创锐光谱、士兰微、意法半导体、西湖仪器等已正式参编《2024碳化硅(Si
第三代半导体风向
2024-10-25
358浏览
金刚石/GaN异质外延技术:突破与挑战
在半导体技术的前沿领域,金刚石/GaN异质外延技术正受到广泛关注。异质外延技术通常需要在外延表面沉积缓冲层,包括金刚石异质外延GaN技术和GaN底面异质外延金刚石技术。它为解决 GaN功率器件的散热问题提供了新的思路和方法,但同时也面临着一系列技术挑战。下面将为大家详细介绍金刚石异质外延GaN技术的相关研究进展。 金刚石异质外延GaN技术金刚石衬底散热技术——异质外延技术,因金刚石与GaN的晶
DT半导体材料
2024-10-23
375浏览
金刚石/GaN键合技术大解密!
目前,金刚石与GaN功率器件的集成通常从两方面进行,一是GaN顶部的器件层散热,主要应用金刚石钝化散热技术,金刚石钝化散热是直接在器件顶部沉积金刚石,提高热点顶部的热扩散,同时起到增大换热面积的作用;二是GaN底部金刚石衬底散热,主要有GaN底部异质外延金刚石、金刚石表面异质外延GaN和键合技术。键合技术是实现两者集成的关键方法之一。下面为大家详细介绍金刚石/GaN键合技术的相关研究进展。 键
DT半导体材料
2024-10-22
358浏览
这家GaN突破3300V!投资15亿建3条芯片线
插播:22024【极光奖】申报开始啦!欢迎大家踊跃申报!!详情请点文末“阅读原文”近日,一家GaN企业宣布了其在高压氮化镓功率器件领域的突破,电压等级达3300V——10月18日,据“泰克科技”官微消息,近日,远山半导体发布了新一代高压氮化镓功率器件,并送往泰克科技进行了测试。目前,远山半导体的产品线包括700V、1200V、1700V、3300V等多种规格的蓝宝石基氮化镓功率器件,这些器件采用了
第三代半导体风向
2024-10-18
317浏览
超快激光剥离助力半极性面GaN基LED发展
在商用生产中,蓝宝石通常被用作氮化镓(GaN)外延生长的衬底。然而,由于GaN与蓝宝石之间存在显著的晶格失配(GaN和蓝宝石的晶格常数差异约为16%)和热失配,导致外延层中产生大量位错缺陷和其他结构缺陷。这些缺陷会严重影响GaN基器件的性能和可靠性。此外,蓝宝石材料本身存在导电性(1011 Ω·cm)和热导率较低(约35 W·m⁻¹·K⁻¹)的局限性,无法有效满足高功率和高热负荷下的器件需求。这使
DT半导体材料
2024-10-16
342浏览
从SiC到GaN,硬脆材料激光剥离技术该往何处发展?
透明硬脆材料由于其出色的机械强度、热稳定性、抗腐蚀性以及优良的光电性能,已被广泛应用于半导体和电子器件制造领域。然而,传统的切片工艺,如金刚线切割,存在效率低、材料浪费严重等问题,这在很大程度上限制了这些材料的进一步应用与推广。硬脆材料的切割难度主要来源于其高硬度和脆性,在切割过程中容易产生裂纹和碎屑,导致材料损耗和精度下降。近年来,激光剥离技术作为一种新兴的透明硬脆材料切片方法,受到了广泛关注。
DT半导体材料
2024-10-15
435浏览
SiC和GaN器件如何老化?
SiC和GaN器件在比硅器件更高的应力水平下工作。半导体和汽车行业对此有严格的资格测试。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)宽带隙(WBG)技术在许多高功率领域都以其优于硅(Si)的性能优势而闻名,包括其高效率和高开关频率。然而,与单晶硅不同的是,SiC和GaN具有独特的设计和应用问题,工程师在将这些技术用于设计时需要解决这些问题。与Si相比,SiC和GaN的独特之处SiC和GaN WBG功率器件用
线束世界
2024-10-15
357浏览
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
近期,微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下,在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。在高频高效率器件方向,团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题,在连续波测试条件中,30GHz的功率附加效率(PAE)为4
DT半导体材料
2024-10-11
544浏览
GaN主驱电控即将面世?这几家企业联手了
插播:10月17日,吉利、英搏尔、盛弘股份、中汽研、优优绿能、三安、士兰微、博世、芯聚能、泰克科技等邀您参加深圳“新型功率半导体大会”,详情请点击文末【阅读原文】。继宣布将出售部分股权后(.点这里.),罗姆还公布了在GaN领域的新合作;此外,“行家说三代半”还汇总了近期GaN行业的多起合作案,详情请看:罗姆&台积电:加强GaN器件代工合作10月8日,据日经新闻报道,罗姆宣布将在GaN功率半导体领域
第三代半导体风向
2024-10-10
355浏览
微电子所GaN器件研究取得重要进展!
汽车芯片设计资料包近期,微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下,在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。在高频高效率器件方向,团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm 栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题,在连续波测试条件中,30GHz的功率附加
EETOP
2024-10-10
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SiC/GaN评选再度启航!谁能问鼎行业十强?
插播:合盛新材料、芯聚能、安海半导体、三安半导体、烁科晶体、天岳先进、青禾晶元、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、泰坦未来、东尼电子、科友半导体、长联半导体、瑶芯微、致领半导体、奥亿达新材料、瑞霏光电、才道精密、亿值旺、纯水一号、中科光智、成都炭材、思锐智能、三义激光、中电化合物、森国科、士兰微、清软微视、清连科技、弘信新材、高泰新材、创锐光谱等已正式参编《2024碳化硅(SiC)产业调研白皮书》,
第三代半导体风向
2024-09-27
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涨知识丨GaN功率器件的功能与优点有哪些?
点击蓝字 关注我们GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及,大大提升了电源的效率和功率密度,其优点和用量递增,也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美(onsemi)新推出的iGaN NCP5892x系列,集成eGaN与驱动电路一体化,让电源工程师在GaN的应用更简单容易。在近日的研讨会中,安森美产品营销工程师Edward Weng详细介绍了NCP5892x的功能和优点,分享不同应用的参
安森美
2024-09-26
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深圳GaN半导体大厂完成新一轮融资
根据公司官网新闻,近日,晶通半导体(深圳)有限公司成功完成了六千万元的Pre-A轮融资,此轮投资人包括了知名投资机构赛富投资基金、天使投资人,以及现有股东GRC富华资本的超额认购。根据36氪信息,此前公司已经完成多轮融资。公开资料显示,晶通半导体成立于2020年,专注于氮化镓功率器件、氮化镓集成驱动芯片和氮化镓肖特基二极管的研发、生产及销售。公司核心团队来自英飞凌、意法半导体、PI及Cree等
集成电路IC
2024-09-25
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士兰微:车规SiC率先批量供应,IGBT/GaN上车在即
8月28-30日,PCIM Asia 2024展在深圳举行。“行家说”进行了为期2天的探馆,合计报道了200+碳化硅相关参展企业。其中,“行家说”还重点采访了士兰微等众多企业,深入了解了他们在碳化硅领域的最新技术进展、产品创新以及市场战略。行家说三代半:本次展会上士兰微展示了哪些产品?能够为我们介绍一下核心产品的创新点和优势吗?士兰微:本次展会士兰微带来的亮点产品包括已经上车的B3D和B3G 两款
第三代半导体风向
2024-09-18
811浏览
这家GaN企业获应用材料、台湾工研院投资
法国氮化镓(GaN)公司Wise -integration近日宣布,投资基金Applied Ventures-ITIC Innovation Fund ( AVITIC )加入到了该公司的B轮融资之中。source:Wise -integration据了解,AVITIC是Applied Ventures, LLC(应用材料的风险投资部门)和 ITIC-Taiwan(中国台湾工研院旗下的投资公司)的
化合物半导体市场
2024-09-14
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