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GaN
GaN是氮化镓的英文缩写,是一种具有宽禁带和高电子迁移率特性的半导体材料,常用于制造高效、高频、高温的电子器件.
安森美收购一家GaN晶圆厂
近日,据多家外媒报道,安森美以2000万美元(约合人民币1.46亿)的价格收购了位于纽约州德威特的原 NexGen Power Systems 氮化镓晶圆制造厂,并计划雇用多达 100 名员工来运营该工厂。据“行家说三代半”此前报道,该氮化镓晶圆厂由纽约州斥资近 1 亿美元(约合人民币7.3亿)建造,但之前的两家租户却相继撤出/倒闭:2013 年 11 月,纽约州为Soraa提供了9000万美元(
第三代半导体风向
2024-12-31
135浏览
英诺赛科正式敲钟上市,国内GaN第一股诞生
12月30日,英诺赛科(苏州)科技股份有限公司正式在香港联合交易所主板挂牌上市,股票简称“英诺赛科”,股票代码02577.HK。当天,众多英诺赛科公司领导及员工共同敲响上市宝钟,一同见证这一里程碑性时刻。在敲钟仪式上,英诺赛科创始人、董事长骆薇薇博士表示:“英诺赛科是全球功率半导体革命的领导者,也是全球最大的氮化镓晶片制造企业。此次在香港交易所的上市,是公司发展历程中的一个重要里程碑,标志着我们将
第三代半导体风向
2024-12-30
589浏览
北大团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
GaN基功率器件具有临界击穿电场高、电子迁移率高、极限工作温度高等特性,在新一代移动通讯、服务器集群、新能源技术、电动汽车等领域有重大应用, 是半导体科学技术的研究前沿和全球高科技竞争的关键领域之一。北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心魏进研究员与物理学院沈波教授带领的研究团队过去5年面向GaN基功率器件的频率瓶颈、可靠性瓶颈、耐压瓶颈这三大技术挑战开展了系统的研究工作,攻克了GaN基功率
DT半导体材料
2024-12-25
67浏览
GaN“上车”进程提速:1200VMOS、800V模块
氮化镓技术在电动汽车领域的应用潜力在日益显现,研发热度不断上涨。近日,国外多家企业/机构向公众展示了“GaN上车”的最新研究成果:桑迪亚国家实验室:展示1.2kV车规级垂直GaN MOSFET12月19日,美国能源部(DOE)披露了桑迪亚国家实验室在车规级垂直氮化镓器件上取得了最新研究突破——他们展示了1200V GaN MOSFET,这种器件集成了二氧化铪(HfO2)栅介质,属业界首次。此前,由
第三代半导体风向
2024-12-24
194浏览
这一GaN企业即将解散
12月19日,据Semiconductor Today报道,美国GaN企业Odyssey已进入清算分配程序,他们表示将于12月23日左右向登记在册的股东进行唯一一次资产分配,每股可获得0.11美元(约合人民币0.8元)。据了解,Odyssey于6月3日举行了股东特别大会,根据其批准的全面清算、解散和资产分配计划,此次分配将导致所有已发行的资本股票被彻底赎回和注销。截至12月17日,Odyssey的
第三代半导体风向
2024-12-20
34浏览
技术干货|无辅助绕组GaN反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题
点击蓝字 关注我们人们对更小、更高效电源的需求不断增长,进而推动着基于氮化镓 (GaN) 的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式转换器,通过功能越来越强大但尺寸越来越小的适配器,帮助扩大 USB Type-C® 接口的市场规模。虽然这令人振奋,但与此同时,电源设计人员必须降低系统成本和复杂性。借助反激式转换器设计中的最新创新成果,无需使用辅助绕组即可实现器件
德州仪器
2024-12-17
70浏览
该GaN工厂已竣工,将量产8吋1200V产品
12月16日,据韩媒庆尚北道本地消息,韩国Apro Semicon公司在龟尾市高科技谷国家产业区新建的氮化镓工厂已竣工。资料显示,Apro Semicon成立于2020年7月,自成立以来一直致力于GaN的开发。去年12月,Apro Semicon签署了600亿韩元(约3.05亿人民币)投资谅解备忘录,将在龟尾高科技谷国家工业园区投资建设GaN功率半导体工厂,主要生产GaN外延片;在该工厂生产的外延
第三代半导体风向
2024-12-17
46浏览
这些SiC/GaN企业荣耀登榜!2024行家极光奖揭晓
12月12日晚,“2024行家极光奖”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕,数百家SiC&GaN企业代表联袂而来,共同见证第三代半导体产业的新风采、新进步。经过数月时间的紧密筹划,专家组委会和众多行业人士投票评选,2024行家极光奖各大榜单正式出炉。本届行家极光奖特别设立了【十强企业榜单】、【年度企业】、【年度优秀产品】三大奖项,力图为第三代半导体行业树立标杆,提升企业品牌认知度和影响力,为行业发展注入创新
第三代半导体风向
2024-12-12
404浏览
瞭望新能源变革,SiC&GaN年会完美收官
12月12日,行家说三代半年会“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”持续进行中,今天的会议主题是 “SiC & GaN技术应用创新”。会议现场、围绕SiC、GaN两大高新技术,聚焦新能源汽车、光储充等市场应用,英飞凌、安世半导体、罗姆半导体、纳微半导体、平湖实验室 、华润微、意法半导体、芯联集成 、士兰微 、快克芯 、三安半导体、悉智科技、晶能微共13家国内外一线厂商将带来行业前沿
第三代半导体风向
2024-12-12
108浏览
ROHM与台积电合作开发GaN功率半导体电动车
日本知名电子元件制造商罗姆(ROHM)计划进一步扩大与晶圆代工龙头台积电的合作关系,将电动车(EV)等车用氮化镓(GaN)功率半导体生产外包给台积电,目标于 2026 年度实现量产。这一举措旨在提升投资效率,强化 ROHM 在车用半导体市场的竞争力。此次合作将把 ROHM 的器件开发技术与 TSMC 的硅基氮化镓工艺技术相结合,以满足功率器件对 GaN 优于硅的卓越高压和高频特性日益增长的需求。G
DT半导体材料
2024-12-11
109浏览
华灿光电GaN项目延后
12月11日,华灿光电发布公告称,公司于2024年12月10日审议通过《关于部分募集资金投资项目再次延期的议案》。同意公司在募集资金投资项目实施主体、规模及募集资金用途不发生变更的情况下,将2020年向特定对象发行股份募投项目“GaN基电力电子器件的研发与制造项目”达到预计可使用状态的日期再次进行调整,由2024年12月31日延长至2025年12月31日。此前华灿光电通过向特定对象发行人民币普通股
WitDisplay
2024-12-11
60浏览
深度|GaN还是SiC,电气工程师该如何选择?
/ 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体,相比于传统的硅材料功率半导体,他们都具有许多非常优异的特性:耐压高,导通电阻小,寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性:氮化镓晶体管的极小寄生参数,极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动,高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品,对他们
英飞凌工业半导体
2024-12-11
50浏览
SiC&GaN年会明天开幕!4大亮点不容错过
明天(12月11日),为期2天的行家说三代半年会——『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』将在深圳隆重开幕,来自各产业链环节的实力玩家、汽车&光储充等终端厂商代表、投资机构人员将齐聚一堂,共襄盛举!作为一年一度的第三代半导体产业盛会,本次活动汇聚了英飞凌、罗姆、意法半导体、芯联集成、三安半导体、士兰微、安世半导体、南砂晶圆、烁科晶体、同光股份等近40家国内外厂商,将聚焦8英寸先进工
第三代半导体风向
2024-12-10
64浏览
平湖实验室:功率GaN技术与市场展望
12月11-12日,行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开,平湖实验室已正式确认出席本次大会。届时,平湖实验室GaN首席科学家David Zhou将出席,并带来《功率GaN技术与市场展望》的主题报告。据了解,深圳平湖实验室建有全国首条集8吋SiC/GaN科研和中试于一体的功率半导体开放共享平台,覆盖第三代功率半导体衬底、外延、器件制备、封装测试、失效分
第三代半导体风向
2024-12-10
145浏览
40家SiC/GaN头部企业空降!深圳有大事发生?
12月11日-12日,『2024行家说第三代半导体年会』“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”将在深圳举行。本届年会有哪些亮点?有哪些产业界“大佬”参会?今天,行家说三代半给大家剧透一下。加入碳化硅大佬群,请加微信:hangjiashuo999亮点一:9家SiC衬底/外延大厂出席12月11日,围绕“8英寸SiC量产技术”,烁科晶体、同光股份、南砂晶圆、三安半导体、合盛新材料、中电化合物、S
第三代半导体风向
2024-12-09
152浏览
纳微半导体:GaN&SiC开启服务器与车载电源设计新篇章
12月11-12日,行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开,纳微半导体已正式确认出席本次大会。届时,纳微半导体高级主任现场应用工程师况草根将出席,并带来《GaN&SiC开启服务器与车载电源设计新篇章》的主题报告。值得一提的是,纳微半导体于今年11月5日发布了全球首款8.5kW AI数据中心服务器电源,其采用了氮化镓和碳化硅技术的混合设计,实现了>97.
第三代半导体风向
2024-12-06
165浏览
国内一GaN项目宣布投产,明年大规模推广
插播:12月11-12日,合盛新材料、芯联集成、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、纳微半导体、罗姆、晶能微、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备以及悉智科技等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。近日,京东方华灿光电宣布旗下GaN募投项目投产,并披露了其浙江义乌GaN功率器件产线的相关进展。“行家说三代半”还汇总了国内
第三代半导体风向
2024-11-26
318浏览
国产OBC采用GaN!可节省1500元
插播:12月11-12日,合盛新材料、芯联集成、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、纳微半导体、罗姆、晶能微、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备以及悉智科技等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。11月25日,汇川联合动力在官微宣布,他们正式推出了新一代6.6 kW GaN车载二合一电源产品,该产品将车载充电器与车载直
第三代半导体风向
2024-11-25
123浏览
该GaN企业拟出售子公司
插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、悉智科技、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请扫下方二维码↓↓↓11月18日,位于英国的化合物半导体材料供应商IQE在官网透露,他们正在考虑是否要全面出售台湾子公司 IQE
第三代半导体风向
2024-11-21
89浏览
投票啦!超100家SiC/GaN企业竞逐,谁能摘得年度大奖?
插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、悉智科技、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。为了发掘出SiC和GaN行业内实力强、口碑好、质量优的标杆企业,表彰引领产业进步的创新技术和优秀产品,“2
第三代半导体风向
2024-11-19
212浏览
合计超17亿,新增4个GaN项目
插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。近期,国内外4个GaN项目传新动态,详情请看:镓宏半导体:氮化镓器件项目竣工据“方正环保”官网披露,9月11日,江苏
第三代半导体风向
2024-11-15
214浏览
纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案
作为当下热门的第三代半导体技术,GaN在数据中心、光伏、储能、电动汽车等市场都有着广阔的应用场景。和传统的Si器件相比,GaN具有更高的开关频率与更小的开关损耗,但对驱动IC与驱动电路设计也提出了更高的要求。 按照栅极特性差异,GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异,GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针
纳芯微电子
2024-11-14
294浏览
产品|Navitas推出首款采用GaN和SiC供电的8.5kWAI数据中心电源
Navitas 今日发布消息称,公司开发出了世界上第一款用于数据中心应用的 8.5 kW 电源装置 (PSU)。该设计采用了三相 LLC 拓扑中的砷化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 晶体管,实现了 98% 的效率,为下一代 AI 和超大规模芯片提供动力。54V 输出 PSU符合 开放计算项目 (OCP) 和开放机架 v3 (ORv3) 规范,并使用650V GaNSafe和 650V Ge
碳化硅芯观察
2024-11-06
285浏览
金刚石/GaN键合技术大盘点
目前,金刚石与GaN功率器件的集成通常从两方面进行,一是GaN顶部的器件层散热,主要应用金刚石钝化散热技术,金刚石钝化散热是直接在器件顶部沉积金刚石,提高热点 顶部的热扩散,同时起到增大换热面积的作用;二是GaN底部金刚石衬底散热,主要有GaN底部异质外延金刚石、金刚石表面异质外延GaN和键合技术。键合技术是实现两者集成的关键方法之一。下面为大家详细介绍金刚石/GaN键合技术的相关研究进展。
DT半导体材料
2024-11-05
228浏览
1万伏!国产AlN基GaN新突破,已实现制造全流程贯通
近日,西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队与松山湖材料实验室王新强教授、袁冶副研究员团队,以及广东致能科技有限公司联合攻关,成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaN HEMTs晶圆。得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108cm-2数量级), AlGaN缓冲层厚度降至350 nm,外延成本大幅下降,且有效控制晶圆翘曲。这是我国在大尺寸新型衬底制备
第三代半导体风向
2024-11-04
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小瑞不熬夜
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2024-12-27
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怎么看不了啊
小心大雄
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2024-12-20
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