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迁移率
技术分享|京都大学:在碳化硅p沟道MOSFET中反掺杂对阈值电压和迁移率的影响
写在前面:大家周三晚上好呀~不知道你们看不看二堡老师,他最近在连载他对日本富士碳化硅沟槽MOSFET器件结构的研究和看法。此前他还在分享海外的企业纷纷向沟槽栅布局的趋势和结构,以及国内的进展。建议感兴趣的朋友都可以去看看二堡老师的日常碎碎念。无奈我不懂技术,只能看个热闹。但是我也还是想各个渠道找些好的技术文章给你们分享,我们共同学习一起进步!今天这篇报告来自京都大学电子科学与工程系的教师和研究生们
碳化硅芯观察
2024-10-30
350浏览
SiCMOS新技术,沟道迁移率有望提升5倍
众所周知,SiC MOSFET的研发重点之一就是提高栅氧界面(SiO2/SiC)的沟道迁移率,以及降低界面缺陷以提升器件可靠性。近日,业界又有一项新技术在这方面实现了新的突破。东京大学、三菱电机的研究人员在《AlP Advances》期刊上发表了一篇名为《SiO2/4H–SiC界面掺入硼浓度与陷阱钝化减少的关系》的文章,探讨了硼元素在碳化硅氧化后退火工序中的重要作用。该研究表明:● 采用硼元素对S
第三代半导体风向
2024-07-08
976浏览
高载流子迁移率胶体量子点红外探测器
短波红外和中波红外波段是两个重要的大气窗口。在该波段范围内,碲化汞胶体量子点表现出良好的光响应。此外,胶体量子点具有易于液相加工制备以及与硅基工艺兼容等优势,因此有望显著降低红外光电探测器的成本。然而,目前胶体量子点红外光电探测器在比探测率、响应度等核心性能方面与传统块体半导体红外探测器相比仍存在一定差距。有效地调控掺杂和迁移率等输运性质是提升量子点红外光电探测器性能的关键。据麦姆斯咨询报道,近期
MEMS
2023-10-14
829浏览
NatureMaterials:锂在固态电解质表面的迁移率
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!01导读固态电解质克服了当今锂离子电池的许多挑战,如安全隐患和枝晶的形成。然而,由于缺乏具有化学和界面特异性的原位测量技术,人们对其中所涉及的锂动力学尚不了解。02成果简介近日,Nature Materials期刊上发表了一篇题为“Probing lithium mobility at a solid electrolyte surface”的文章,该文章用极
锂电联盟会长
2023-05-12
1014浏览
NatureElectronic丨褶皱衬底提高二维半导体载流子迁移率
近日,新加坡科技局材料工程研究院吴靖博士团队与香港理工大学应用物理系的杨明博士团队创新性地利用褶皱衬底,极大地提高了二硫化钼晶体管的室温载流子迁移率。该工作以“Improving carrier mobility in two-dimensional semiconductors with rippled materials”为题目发表在国际著名期刊 《Nature Electronics》上,新
DT半导体材料
2022-06-14
2065浏览
迁移率提升4倍!JDI研发出新型OS-TFT,可用于8代线
3月30日,JDI宣布,在茂原工厂(千叶县茂原市)的第 6 代 (G6) 量产线中,JDI对传统氧化物半导体薄膜晶体管的创新特性进行改进,在世界上首次成功开发出背板技术(OS-TFT)。此外,JDI决定今天将这项新技术商业化。 新技术包含高迁移率氧化物半导体(HMO,High Mobility Oxide)技术,其场效应迁移率是传统OS-TFT技术的两倍以上;以及超高迁移率氧化物半导体(UHMO,
WitDisplay
2022-03-30
1595浏览
迁移率提高4倍!JDI在6代线开发出新一代氧化物半导体TFT背板技术
CINNO Research产业资讯,据JDI(日本显示器公司)3月30日官网发布消息称,其位于千叶县茂原的G6工厂,成功开发出全球首个背板革新技术,从根本上改善了目前传统氧化物半导体薄膜晶体管 (OS-TFT) 的性能。进一步将立即开始推进该技术的商业化。1. 新技术概要 新技术的可生成场效应迁移率,是传统 OS-TFT 技术2 倍以上的高迁移率氧化物半导体 (HMO,High Mobility
CINNOResearch
2022-03-30
1358浏览
韩某研究院通过ALD技术实现高迁移率 IGZO
CINNO Research产业资讯,Display Daily大约六个月前的一篇文章,详细总结了目前高性能 IGZO的六个主要技术驱动类别以及显示器中更高性能(氧化物)半导体材料的基本原理。 据介绍,进一步提升IGZO的性能通常包括如下几种方法,这些方法对应不同的机制:1、工艺优化;2、TFT结构;3、结晶方法;4、栅极改变和电介质钝化;5、控制栅极绝缘体和IGZO 之间界面的粗糙度,
CINNOResearch
2021-11-08
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