内存芯片 - 电子工程专辑

内存芯片

内存芯片要涨价？全球关税对电视、电脑、手机、平板影响分析丨传多家笔电厂商暂停对美供货

据路透社报道，美光通知美国客户，将于4月9日起对部分产品（内存条和固态硬盘等）征收与关税相关的附加费。其亚洲区NAND业务负责人表示："关税成本无法由企业自行消化，必须由客户来承担。"美光目前在全球有11个生产制造基地，其中日本和中国台湾地区主要为DRAM生产及封装测试基地，新加坡主要为NAND Flash生产及封装测试基地，美国主要为研发、生产和掩膜版制造，中国大陆、马来西亚、印度主要为封装测试

芯存社 2025-04-09 1013浏览
2024年新突破大盘点：第三种内存芯片要来了！

点击蓝字关注我们在过去的一年里，从电动汽车到混合现实技术等多个技术领域取得了显著进展，但人工智能（AI）一直是讨论的焦点。尽管为Windows Copilot、ChatGPT等提供动力的基于神经网络的大型语言模型在 2024 年取得了极大进步，但这一年人工智能令人不安的风险变得越来越清晰。另一个即将发生剧变的领域是量子计算，每个月都有新的突破。机器不仅变得更大、更强大，而且越来越可靠，科学家们正逐

SSDFans 2025-01-13 280浏览
技术解析｜MarvellStructeraA内存芯片

芝能智芯出品2024 年，Marvell 在其分析师日活动中推出了具备革命性创新意义的 Structera A 内存扩展控制器。这款基于 CXL（Compute Express Link）技术的设备，引入了 16 个高性能 Arm Neoverse V2 核心，还通过支持 DDR5 内存和 PCIe Gen5 的 CXL 接口，为数据中心提供了灵活扩展计算和内存能力的全新解决方案。我们可以看到 C

汽车电子设计 2024-12-18 94浏览
台积电要用5nm先进封装HBM4内存芯片？

点击蓝字关注我们台积电HBM4内存的推出将带来多项重大变革，其中最引人注目的就是其内存接口的大幅扩展。第四代内存技术接口从1024位扩展到2048位，这标志着HBM4内存的设计和生产将面临新的挑战，为了适应这一变化，芯片制造商必须采用更新、更高级的封装技术。在2024年的欧洲技术研讨会上，台积电透露了其为HBM4制造的base die一些细节，这些芯片将采用逻辑工艺制造，台积电计划利用其N12和N

SSDFans 2024-10-14 560浏览
HBM内存芯片:AI革命的无名英雄！

点击蓝字关注我们像DRAM这样长期受周期性趋势影响的存储芯片，现在正瞄准一个更稳定的市场：人工智能(AI)，如全球第二大存储芯片供应商SK海力士。三星电子CFO Kim Woo-hyun表示:“三星将通过引领变革和提供定制化解决方案，成长为全面的人工智能存储器供应商。”三星电子已经成功地将其高带宽内存(HBM)设备与英伟达的H100 GPU等配对，用于处理生成式AI中的大量数据。像ChatGPT这

SSDFans 2024-09-02 919浏览
消息称三星HBM内存芯片通过英伟达测试，将开始大规模生产

韩媒 NewDaily 报道称，三星电子通过了英伟达的 HBM3e（高带宽内存）质量测试。三星即将开始大规模生产 HBM 内存芯片，并就供应问题与英伟达展开谈判。▲ 三星电子 HBM3e 12 层产品三星电子最近收到了来自英伟达的 HBM3e 质量测试 PRA（产品准备批准）通知。这是三星应英伟达要求，派遣负责 HBM 内存开发的高管前往美国一个多月后取得的成果。今年 3 月，英伟达 CEO 黄仁

52RD 2024-07-04 590浏览
假芯片？内存芯片经过SMT回流焊接后居然裂开了

这是一颗异步静态随机存储器（SRAM）。品牌：ISSI芯成；型号IS61LV25616AL-10TL；容量256K字节从经销商（非代理或原厂）处采购了一批芯片该内存芯片分别是（10年37周）和（11年06周） SMT贴片后生产调试中发现该IC不良率较高，拆开不良芯片发现基乎每一个IC背面都出现了不同程度鼓起且有裂痕的现象。随即将仓库还没有用完的该批芯片以及板上暂没有出现问

阿昆谈DFM 2024-06-28 608浏览
三星否认自家HBM内存芯片未通过英伟达测试

此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒 Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24

52RD 2024-05-27 546浏览
国产芯片唯一！市场份额超50%；全球内存芯片标准制定者和领先者！

从2023年年底开始，半导体存储产业逐步进入上行周期，存储芯片巨头们三星、SK海力士、美光等都赚得盆满钵满。但巨头们吃肉的时候，他们还得依赖中国一家国产芯片厂商，那就是澜起科技！一、2024年一季度，业绩暴涨10倍根据澜起科技4月10日的公告，澜起科技2024年第一季度营收7.37亿，同比增长76%；净利润2.1-2.4亿元，同比增长9.65-11.17倍。其实，澜起科技2023年收入就在节节高升

飙叔科技洞察 2024-04-23 1781浏览
AI时代内存芯片竞速，三星、美光新品打响“近身战”

三星电子推出了一款速度能够达到10.7Gbps的LPDDR5X存储芯片；仅仅三天前，美光刚宣布同类产品实现功耗优化。作者 | 史正丞随着人工智能应用的战场逐渐从网页端大模型渗透到“AI PC”和“AI手机”，一场围绕着移动端高速内存的战争已经打响。存储芯片巨头三星电子周三发布公告称，公司开发出了“业界最快”的LPDDR5X存储芯片，速度能够达到10.7Gbps，并在内存容量、能耗等指标上也刷新了业

科创板日报 2024-04-17 560浏览
DDR5内存芯片成主流，预计PCB厂商出货增加！

2023年全球半导体存储芯片大厂积极减产并取得成效，预计2024年下半年市场需求迈向复兴，且DDR5有望成为PC搭载主流。中国台湾业界认为，在PCB厂商中，竞国、定颖、健鼎都将因存储模组出货的增加而受惠。健鼎内存条PCB板已由DDR4延伸至DDR5，正在出货中。该公司表示，目前健鼎订单较多的产品包括存储模组板、汽车PCB板以及服务器PCB板。至于消费电子应用的订单仍保持低点。健鼎产品比重方面，汽车

深圳飙叔 2024-01-29 837浏览
三星宣布开发业界首款车用级5nmeMRAM，和业界密度最高内存芯片！

单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片三星电子在昨天的三星存储技术日中，展示了内存和闪存产品线的最新路线图和时间表并发布针对高性能计算（HPC）市场的 HBM3E 内存芯片。三星在会上表示其已在 2023 年 5 月开始量产 12nm 级 DRAM，11nm 级正在开发中，它将提供业界最高密度。同时三星还在为亚 10nm DRAM 准备新的 3D 结构从而实现超过 10

深圳飙叔 2023-10-22 497浏览
内存芯片最高涨20%！存储巨头已与手机客户签署协议

小米、OPPO及谷歌等均已签署该内存供货协议。韩国内存芯片厂商已决定提高其最新芯片的价格，涨价可能会持续到四季度。上游多家原厂已拉高晶圆合约价，终端开始抢货，消费性SSD、存储卡，手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。编辑 | 郑远方存储再次吹起涨价的风。据《韩国经济日报》援引知情人士消息称，三星近期与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格

科创板日报 2023-09-13 752浏览
HBM内存芯片又火了！全球科技巨头排队抢购

今年ChatGPT爆火，带动AI服务器需求激增，HBM内存芯片的价格也水涨船高。 HBM是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，它就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠，将多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现更高带宽、更高位宽、更低功耗、更小尺寸。 HBM是当下数据处理速度最快的DRAM产品，NVIDIA、AMD、Intel等高端AI芯片大多选择搭载HBM。据Tr

小猫芯城 2023-07-11 2524浏览
ChatGPT呼唤高性能内存芯片HBM报价飞涨三星、海力士接单量大增

高效且大量的运算能力、高容量的内存，是AI学习与推论模型的根基。编辑|宋子乔ChatGPT等新兴AI产品对高性能存储芯片的需求与日俱增。据韩国经济日报报道，受惠于ChatGPT，三星、SK海力士高带宽内存（high bandwidth memory，HBM）接单量大增。HBM是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，它就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计，信息交换的时间将会缩短。这些

科创板日报 2023-02-14 871浏览
大浪淘沙：一文看懂内存芯片的发展史

1958年9月12日，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。次年7月，美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Norton Noyce），基于硅平面工艺，成功发明了世界上第一块硅集成电路。杰克·基尔比（左），罗伯特·诺伊斯（右）正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要的意义。集成电路的

云脑智库 2022-11-01 982浏览
大浪淘沙：一文看懂内存芯片的发展史

1958年9月12日，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。次年7月，美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Norton Noyce），基于硅平面工艺，成功发明了世界上第一块硅集成电路。杰克·基尔比（左），罗伯特·诺伊斯（右）正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要的意义。集成电路的

全芯时代 2022-10-24 1161浏览
三星计划增加非内存芯片外包生产，有望与力积电和世界先进合作

据韩媒报道，三星正计划增加非内存芯片的外包生产，包括显示驱动IC和图像传感器。据了解，中国台湾代工厂联电可能会向三星提供更多的图像传感器和显示驱动IC产能，而三星代工部门则继续生产智能手机应用处理器等更先进的产品，其目的是通过供应渠道多元化来增加芯片采购的稳定性，另外力积电和世界先进也有希望成为三星新的合作伙伴。除此之外，三星也在专注于汽车芯片的研发。随着汽车电子智能化和自动驾驶的发展，汽车行业芯

芯通社 2022-10-20 906浏览
一文看懂内存芯片的发展史

1958年9月12日，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。次年7月，美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Norton Noyce），基于硅平面工艺，成功发明了世界上第一块硅集成电路。杰克·基尔比（左），罗伯特·诺伊斯（右）正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要的意义。集成电路

ittbank 2022-10-10 1798浏览
大浪淘沙：一文看懂内存芯片的发展史

本文来源：鲜枣课堂1958年9月12日，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。次年7月，美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Norton Noyce），基于硅平面工艺，成功发明了世界上第一块硅集成电路。杰克·基尔比（左），罗伯特·诺伊斯（右）正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要

物联传媒 2022-10-09 1256浏览
一文看懂内存芯片发展史

1958年9月12日，来自德州仪器公司的杰克·基尔比（Jack Kilby），成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起，制作了世界上第一块锗集成电路。次年7月，美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Norton Noyce），基于硅平面工艺，成功发明了世界上第一块硅集成电路。杰克·基尔比（左），罗伯特·诺伊斯（右）正如大家现在所知，这两位大佬的发明，拥有极为重要的意义。集成电路的

电子工程世界 2022-10-09 1024浏览

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