内存计算 - 电子工程专辑

内存计算

EnChargeAI在内存计算领域的新突破

点击蓝字关注我们最近，EnCharge AI宣布成功完成2170万美元A轮融资，由Anzu Partners、AlleyCorp、Scout Ventures、Silicon Catalyst Angels、Schams Ventures、E14 Fund和Alumni Ventures组成，用于推进其AI硬件加速器研发。Encharge AI有望提升效率，其测试芯片在8-b计算下性能可达150

SSDFans 2023-01-31 902浏览
三星HBM2内存计算技术介绍

HBM 是 GDDR 存储器的替代品，可用于 GPU 和加速器。GDDR 存储器旨在以较窄的通道提供更高的数据速率，进而实现必要的吞吐量，而 HBM 存储器通过 8 条独立通道解决这一问题，其中每条通道都使用更宽的数据路径（每通道 128 位），并以 2Gbps 左右的较低速度运行。因此，HBM 存储器能够以更低的功耗提供高吞吐量，而规格上比 GDDR 存储器更小。HBM2 是目前该类别中最常用的

智能计算芯世界 2022-07-09 1328浏览
ReRAM成为内存计算的新思路

本文由半导体产业纵横编译自EETimes 随着人们对人工智能和内存计算的兴趣显著增加，电阻式随机存取存储器（ReRAM）可能是解锁其模仿人脑能力的关键。去年的IEDM汇集了许多最近的研究论文，这些论文涉及推进各种记忆类型，包括新兴和现有记忆类型。毫不奇怪，其中很大一部分致力于内存如何改善内存计算，人工智能和机器学习。 ReRAM一直是神经计算的代名词。ReRAM提供了高密度的非易失性存储和高效内存

半导体产业纵横 2022-03-28 1108浏览
浅谈铁电存储器：如何实现下一代内存计算？

本文由半导体产业纵横编译自technews因应人工智能、物联网、5G、车载等新兴科技所迎来的巨量资讯分析需求，近年来各国政府及国际知名大厂皆积极地投注大量资源，加速开发兼具提升运算速度以及降低耗能的下世代存储器。而新兴存储器技术选项中，当属铁电存储器最被看好，其原理、技术挑战与未来机会为何？（本文出自中国台湾清华大学工程与系统科学系巫勇贤教授，于闳康科技“科技新航道合作专栏”介绍《铁电存储器的原理

半导体产业纵横 2022-02-23 6620浏览
三星展示全球首款基于MRAM的内存计算，未来可作为下载生物神经元网络的平台

三星电子昨天宣布展示世界上第一个基于 MRAM（磁阻随机存取存储器）的内存计算。有关这项创新的论文于 1 月 12 日由Nature在线发表，并将在即将出版的Nature印刷版中发表。这篇题为“用于内存计算的磁阻存储器件的交叉阵列”的论文展示了三星在内存技术方面的领先地位，以及它为下一代人工智能 (AI) 芯片合并内存和系统半导体的努力。（论文链接：https://www.nature.com/a

EETOP 2022-01-14 1407浏览

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