纳米压印 - 电子工程专辑

纳米压印

纳米压印技术公司Morphotonics获得3M资金支持，加速AR微光学元件量产

据麦姆斯咨询报道，总部位于荷兰埃因霍温的初创公司Morphotonics致力于开发一种用于微光学元件的卷对平（roll-to-plate，R2P）纳米压印工艺，该公司表示，其目标是在今年年底前完成B+轮的融资，材料巨头3M已承诺提供资金支持。Morphotonics认为，其大面积纳米压印技术将释放3D显示器的潜力，并使每个人都能用上经济实惠的增强现实（AR）智能眼镜。该公司还计划为移动设备提供节能

MEMS 2024-09-23 683浏览
基于纳米压印超构透镜阵列的增强现实

研究人员基于超薄纳米压印超构透镜阵列开发出一种透视增强现实（AR）原型，开创了一种全彩、视频速率和低成本的3D近眼显示方案。据麦姆斯咨询介绍，集成成像（Integral imaging，II）显示是一种光场显示形式，利用透镜/针孔阵列来捕获和再现光场，是诺贝尔奖获得者Gabriel Lippmann在一个多世纪前的发明。这项技术通过大量小透镜阵列来重建整个图像，类似于苍蝇眼睛的机制。生成的图像包括

MEMS 2024-05-15 599浏览
两种超构透镜量产制造技术：深紫外光刻和纳米压印

超构透镜（Metalens）是一种能够操控光线的人工纳米结构，提供了一种相比传统透镜显著缩小光学元件尺寸和厚度的技术。该技术在近红外波段尤其有效，在被称为“自动驾驶汽车眼睛”的激光雷达（LiDAR）、微型无人机以及医用探测器等领域具有广阔的应用前景。尽管潜力巨大，但以目前的技术即使制造指甲盖大小的超构透镜也造价不菲，这为其商业化带来了挑战。据麦姆斯咨询介绍，韩国近期的一项研究突破表明，其生产成本有

MEMS 2024-04-09 1038浏览
佳能纳米压印设备最快今年交付，可制造5nm芯片

据媒体报道，佳能负责新型光刻机的高管在接受采访时表示，采用纳米压印技术的佳能光刻设备FPA-1200NZ2C目标今年或明年出货。去年10月中旬，佳能公司宣布推出基于纳米压印的FPA-1200NZ2C，佳能表示，该设备采用不同于复杂的传统光刻技术的方案，可以制造5nm芯片。佳能表示，这套设备的工作原理和ASML的光刻机不同，并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印

52RD 2024-01-29 564浏览
佳能：纳米压印技术有望制造2nm半导体

第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开，详见后文日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印（NIL）半导体制造设备。佳能CEO Fujio Mitarai曾表示，该公司的新纳米压印技术将为小型半导体制造商生产先进芯片开辟一条道路，目前这种技术几乎完全属于该行业最大的公司。在解释纳米压印技术时，佳能半导体设备业务部长岩本和德（Iwamoto Kaz

半导体前沿 2023-12-25 873浏览
ASML是绝对的霸主，纳米压印的影响近乎零

近来，因为佳能发布了号称可以生产2nm的新一代纳米压印光刻机，引起了大家对其与ASML竞争的广泛讨论。不过，semiwiki的作者Robert Maire在其文章中毫不客气地抨击了大家的这种观点。他首先表示，过去几周对佳能过度反应和当初对应用材料的Sculpta一样。他同时指出，纳米压印虽然已经取得了巨大进步，但仍然没有竞争力。在他看来，一些参与这个讨论的专家对技术基本缺乏了解。他同时还强调，芯片

半导体工艺与设备 2023-10-28 863浏览
佳能纳米压印技术挑战EUV，台积电、联电、光罩有机会受益

第六届半导体大硅片论坛将于12月7-8日在上海召开，将参观新昇半导体（上海硅产业集团）与超硅半导体，详见后文日本半导体设备大厂佳能日前宣布推出采用纳米压印 (Nano-imprint Lithography，NIL) 技术的光刻设备FPA-1200NZ2C。佳能表示纳米压印光刻设备可用来生产最先进的5纳米存储器芯片，期望改良后可以进一步用于生产2纳米的产品，试图挑战半导体设备龙头厂ASML的地位。

半导体前沿 2023-10-22 1228浏览
佳能猪突猛进，纳米压印取得重要进展

日本佳能公司10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，该设备执行电路图案转移。佳能据介绍，佳能的纳米压印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。Nanoimprint

芯片工艺技术 2023-10-13 1437浏览
钙钛矿太阳能电池制绒——辊纳米压印蜂窝织构抗反射涂层

在太阳能电池中，如何减少入射光在电池器件中的反射是研究人员工作的重点之一。在平面钙钛矿太阳能电池器件中减少反射损失的一种常见方法是沉积折射率在1.3到1.4之间的单层抗反射涂层（ARC），通常选择的材料是氟化镁（MgF2)。然而，在应用了抗反射涂层后仍然保留钙钛矿的形貌仍然是一个主要的挑战。来自华沙大学（University of Warsaw）和弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer

DT半导体材料 2023-10-12 849浏览
专注纳米压印技术，璞璘科技获得数千万天使轮投资

近期，璞璘科技（杭州）有限公司（简称：璞璘科技）完成数千万元天使轮融资，由峰瑞资本独家投资；本轮融资主要用于扩充团队人员，完善量产型纳米压印设备研发、纳米压印材料产线搭建。纳米压印技术出现于1995年，当时DUV光刻遭遇100nm分辨率的技术瓶颈，为突破这一瓶颈，美国工程院院士、华裔科学家周郁(Stephen Y. Chou)教授首次提出了基于高分子模压工艺的全新超高分辨率（

MEMS 2023-10-11 1129浏览
纳米压印技术助力手性成像超构器件

光的偏振是一种有价值的信息通道，在光学器件中得到了广泛的研究。但是，目前在开发易于集成和大规模生产的低折射率对比度、大面积手性超构器件（meta-device）方面的进展非常有限。据麦姆斯咨询报道，近日，香港城市大学（City University of Hong Kong）的科研团队在Advances Functional Materials期刊上发表了以“Nanoimprint Meta-De

MEMS 2023-08-01 584浏览
纳米压印，终于走向台前？

现如今，ASML几乎成了光刻机的代名词。尤其是随着EUV、甚至High-NA EUV光刻机的推出，ASML更是独霸高端光刻机市场。众所周知，光刻是芯片制造过程中最重要、最复杂也最昂贵的工艺步骤，其成本占总生产成本的30%以上，同时占据了将近50%的生产周期。数十年来，在DUV、EUV光刻机的支持下，摩尔定律得到了延续。然而，迭代至今，面对芯片晶体管线宽已趋近物理极限，以及EUV光刻机产能有限、成本

传感器技术 2023-05-19 1653浏览
纳米压印，中国企业有哪些？

欢迎关注硬科技的投资人和创业者加入“创道硬科技”平台，微信riseen001虽然高端光刻机领域，ASML一路绝尘，但是全球光刻机厂商，绝非ASML一家，能够在这个舞台上亮个相的，还有日本的尼康和佳能。但尼康和佳能的光刻机产品，主要集中在i-line、KrF、ArF等类别，只能够完成7nm级更成熟的工艺制程，而对于大家熟悉的EUV光刻机，也都无能为力。但我们今天讨论的不是光刻机，而是日本企业在这样的

科创之道 2022-11-28 2855浏览
基于纳米压印技术的柔性生物传感器，用于新冠病毒检测

目前国际上广泛采用的新冠病毒（COVID-19）检测技术多基于聚合酶链式反应（PCR）。这种方法需要预先制备的具有病毒特异性抗体的探针，还需要训练有素的操作人员，在标本采集时需要与患者密切接触，这增加了疫情传播的风险。据麦姆斯咨询报道，近日，约翰斯·霍普金斯大学（Johns Hopkins University）的研究人员开发了一种基于表面增强拉曼光谱（SERS）与机器学习相结合的新冠病毒检测技术

MEMS 2022-05-12 1662浏览
面向大批量光学元件制造，EVG推出全新的多功能微纳米压印解决方案

EVG®7300 SmartNIL®纳米压印和晶圆级光学系统据麦姆斯咨询报道，MEMS、纳米技术及半导体市场晶圆键合和光刻设备领先供应商EV Group（EVG），近日推出了EVG®7300自动化SmartNIL®纳米压印和晶圆级光学系统。EVG7300是EVG当前最先进的解决方案，在单个平台上结合了多种紫外工艺能力，包括纳米压印光刻（NIL）、透镜成型和透镜堆叠（UV键合）等。这款为产业应用做好

MEMS 2022-01-27 1329浏览
铠侠、佳能推动纳米压印的应用

本文由半导体产业纵横编译自日本经济新闻高端半导体绘制电路时必须要用"光刻技术"，日本企业从中看到了机遇。铠侠、佳能和日本印刷将在 2025 年将“纳米压印”投入实际使用。预计部分工序将不再必要，资本投资将达到数百亿日元，目标工序的制造成本降低多达40%。之前被剥夺了光刻领域份额的日本，很有可能再次增加存在感。这三家公司自 2017 年以来一直在铠侠所在的四日市工

半导体产业纵横 2021-10-18 2264浏览

正在努力加载更多...

广告

今日新闻

热门文章排行

广告

最新评论更多>>

一般喜欢标榜“打破垄断”“国x领先”的都死的比较快。嘴比手厉害

56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

资料

文库

帖子

博文

在线研讨会

EE直播间

第三代功率半导体器件测试解决方案直播时间：03月06日 10:00

E聘热招职位