米勒效应 - 电子工程专辑

米勒效应

【艾睿方案】MOS管开通过程的米勒效应及应对措施

MOS管开通过程的米勒效应及应对措施在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。米勒效应的成因在讲这个之前需要先回顾下MOS的开通过程。图一从t1开始时刻，Vgs开始上升的时候，Vds和Id保持不变，这个过程中驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升。一直到t1结束，Vgs上升到V

艾睿电子 2025-03-25 38浏览
IGBT米勒效应的解决方法

当 IGBT 在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G 与集电极C 之间的耦合，在IGBT 关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE 间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1)。寄生米勒电容引起的导通在半桥拓扑中，当上管IGBT(S1)正在导通，产生变化的电压dV/dt 加在下管IGBT(S1

电力电子技术与新能源 2024-12-09 377浏览
功率MOS管烧毁的原因(米勒效应)

关注公众号，点击公众号主页右上角“ ··· ”，设置星标，实时关注智能汽车电子与软件最新资讯MOS在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。MOS主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，MOS即会正

智能汽车电子与软件 2024-01-19 858浏览
功率MOS管烧毁的原因(米勒效应)

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智能汽车电子与软件 2024-01-17 568浏览
使用共源共栅拓扑消除半导体开关中的米勒效应

由于存在物理学定律，电阻、电容和电感将继续成为挑战。我们对此无能为力，所以自热离子真空管问世以来，电子设计人员就学会了通过开发巧妙的电路拓扑来解决这些问题。事实证明，物理学就是物理学，过去适用于真空管的理论同样适用于如今的高性能半导体。了解更多信息。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家

Qorvo半导体 2023-05-22 1053浏览
MOS管的米勒效应(8)--感性负载差异点解析

▼关注公众号：硬件微讲堂▼大家好，我是硬件微讲堂。这是我的第70篇原创文章。欢迎关注公众号，通过问题面试后加入免费技术交流群，抱团取暖，共同进步！关于MOS管的米勒效应，前面已经发了7篇：(点击标题可访问)MOS管的米勒效应（1）MOS管的米勒效应（2）MOS管的米勒效应(3)--如何减小米勒平台MOS管的米勒效应(4)--文末彩蛋，求锤MOS管的米勒效应(5)--如何预防寄生导通MOS管的米勒效

硬件微讲堂 2023-04-11 1369浏览
MOS管的米勒效应(7)--感性负载

▼关注公众号：硬件微讲堂▼大家好，我是硬件微讲堂。这是我的第69篇原创文章。欢迎关注公众号，通过问题面试后加入免费技术交流群，抱团取暖，共同进步！关于MOS管的米勒效应，前面已经发了6篇：(点击标题可访问)MOS管的米勒效应（1）MOS管的米勒效应（2）MOS管的米勒效应(3)--如何减小米勒平台MOS管的米勒效应(4)--文末彩蛋，求锤MOS管的米勒效应(5)--如何预防寄生导通MOS管的米勒效

硬件微讲堂 2023-03-26 2038浏览
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策

搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的，我们又该如何应对呢？我们先来看IGBT开通时的典型波形：上图中，绿色的波形是GE电压，蓝色的波形是CE电压，红色的波形是集电极电流IC。在开通过程中，GE的电压从-10V开始上升，上升至阈值电压后，IGBT导通，开始流过电流，同时CE电压下降。CE电压下降过程中，

英飞凌工业半导体 2023-03-01 1706浏览
MOS管的米勒效应(4)--文末彩蛋，求锤

▼关注公众号：硬件微讲堂▼大家好，我是硬件微讲堂。这是我的第65篇原创文章。欢迎关注公众号，通过问题面试后加入免费技术交流群，抱团取暖，共同进步！关于MOS管的米勒效应，前面已经发了3篇：MOS管的米勒效应（1）MOS管的米勒效应（2）MOS管的米勒效应(3)--如何减小米勒平台其中(1)和(3)收录在“器件篇”付费专辑中。尤其第3篇通过仿真数据来验证如何减少米勒平台，总结的3种策略切实有效。今天

硬件微讲堂 2023-02-20 1762浏览
MOS管的米勒效应（2）

▼关注公众号：硬件微讲堂▼大家好，我是硬件微讲堂。这是我的第63篇原创文章。欢迎关注公众号，通过问题面试后加入免费技术交流群，抱团取暖，共同进步！上周和同学们聊了《MOS管的米勒效应（1）》，相信认真阅读的同学应该清楚意思到栅-漏极电容Cgd在此过程中的影响。这里面涉及一个重要计算，在上一篇中篇幅有限，今天和大家一起讨论下。一道问题照例，先抛出一个问题：在MOS管的等效电路中，栅-漏电容Cgd等效

硬件微讲堂 2023-02-06 884浏览
搞懂MOS管，你不得不知道的米勒效应

一、认识米勒电容如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。其中：输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压

面包板社区 2023-01-04 3508浏览
干货|详谈米勒效应对MOSFET开关过程的危害

引言MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功

电子工程世界 2022-10-25 2040浏览
干货|搞懂MOS管，你必须知道的米勒效应

一、认识米勒电容如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。其中：输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压

电子工程世界 2022-10-06 3188浏览
功率MOS管烧毁的原因(米勒效应)

点击上方图片跳转至9周年活动文章mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态

电源研发精英圈 2022-08-16 1392浏览
知识分享：MOS管开关时的米勒效应！

米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱

电子芯期天 2022-04-16 1593浏览
【通俗易懂】MOS管开关时的米勒效应！

米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱

电源研发精英圈 2022-04-14 2279浏览
4种减缓米勒效应的技术对比，你会用哪一种？

序言当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1）。图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通寄生米勒电容引起的导通在半桥拓扑中，当上管IGBT(S1)正在导通，产生变化的电

可靠性杂坛 2022-02-07 8641浏览
MOS管开关时的米勒效应！

米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱

电源Fan 2021-10-27 1445浏览
MOS管开关时的米勒效应！

米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱

面包板社区 2021-10-20 1387浏览
MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型入手

要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用中，N沟道MOS管占绝大多数，所以下面以N沟道MOS管为例进行讲解（如图1中Q3，栅极-G；漏极-D

面包板社区 2021-07-16 2639浏览
臭名昭著的MOS管米勒效应

来源：记得诚如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？

EETOP 2021-02-08 3002浏览
臭名昭著的MOS管米勒效应

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？

嵌入式客栈 2020-09-05 3054浏览
臭名昭著的MOS管米勒效应

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ MOS管Vgs小平台

21ic电子网 2020-08-16 1323浏览
臭名昭著的MOS管米勒效应

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ MOS管Vgs小平台

记得诚 2020-08-11 1248浏览
功率MOS管烧毁的原因(米勒效应)

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距

面包板社区 2020-04-20 1914浏览

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学到了！！！

青青水草评论文章 2025-03-25

刷到一个分离元器件搭建的电路，据说这个电路已经量产，成本低，电路简单，且同时实现了三种功能
我搞错了，你是对的

jy1900 评论文章 2025-03-23

一篇短文搞定共集电极放大电路

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