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米勒电容
MOSFET的米勒电容Cgd很重要,1400字教你两种方式准确计算出电路中的米勒电容值
▼关注微信公众号:硬件那点事儿▼Part 01前言在之前的文章中,我们介绍了两种方式计算出米勒平台电压值,也说明了MOSFET的米勒效应对于MOSFET的电路设计以及器件选型有很重要的影响,米勒效应使得MOSFET栅极电压的变化变得较慢从而会影响MOSFET的开关速度,其次米勒效应导致的栅极电流的增加和电容充电过程会增加开关损耗,同时栅极电压的变化可能导致MOSFET的不稳定工作,特别是在高频或快
硬件那点事儿
2025-01-13
1453浏览
米勒电容杂谈
我们先看看图(1)。图(1) 这个电路,可以说是最简单的非纯电阻电路,仅有一个电阻和一个电容。 如果输入(IN端)信号是个阶跃函数(某些教材中称亥维赛函数),即时刻零之前电压为零,时刻零之后为1(当然也可以为某个确定的不变数值,这只要乘以一个常数即可),而且电容在时刻零之前没有存储电荷,那么电容两端电压是逐渐上升的。大致如图(2)。图(2)中,红色曲线是输入信号(阶跃函数),蓝色曲线是
电子工程世界
2023-11-21
690浏览
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策
搞电力电子的同学想必经常被“米勒效应”这个词困扰。米勒效应增加开关延时不说,还可能引起寄生导通,增加器件损耗。那么米勒效应是如何产生的,我们又该如何应对呢?我们先来看IGBT开通时的典型波形:上图中,绿色的波形是GE电压,蓝色的波形是CE电压,红色的波形是集电极电流IC。在开通过程中,GE的电压从-10V开始上升,上升至阈值电压后,IGBT导通,开始流过电流,同时CE电压下降。CE电压下降过程中,
英飞凌工业半导体
2023-03-01
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