门极驱动 - 电子工程专辑

门极驱动

经典导读：IGBT门极驱动到底要不要负压

经典导读"经典导读"短视频专栏，致力于回顾并解读英飞凌工业半导体微信公众号上那些深受读者喜爱的经典文章。我们聚焦碳化硅SiC、IGBT、驱动等功率半导体应用主题等，英飞凌的资深工程师们通过视频真人导读方式，分享文章、视频等精彩内容中的技术要点与见解，与您一同重温这些经典之作，欣赏技术的魅力。本期英飞凌产品应用工程师郑姿清精心挑选了《IGBT门极驱动到底要不要负压》文章，驱动IGBT的时候，有的客户

英飞凌工业半导体 2024-06-25 579浏览
门极驱动正压对功率半导体性能的影响

/ 引言 /对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。1对导通损耗的影响无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型层强度越强，由门极电压而产生的沟道阻

英飞凌工业半导体 2023-12-22 692浏览
IGBT门极驱动设计规范

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 106513758高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2023-11-29 724浏览
干货|大电流mosfet的门极驱动峰值电流的计算方法

大电流mosfet的使用广泛，它们的导通电阻低，电流能力较大，适合在各种开关电源中应用，在具体的器件驱动电路设计中，需要注意其门极电容较大，适合的门极驱动器需要有足够的电流，去将门极电容充电，从而使电压达到Vth，进而在系统允许的时间内去完全导通。在门极驱动电路设计中，需要注意一些典型的错误，例如，不能混淆门即输入电容CISS和门极等效电容CEI之间的差异,不能简单的通过CISS和电容的基本公式来

电子工程世界 2023-01-19 1325浏览
【内部使用】IGBT门极驱动：电流和功率

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 892913659高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2022-10-09 792浏览
IGBT门极驱动到底要不要负压

先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关，在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极，使门极电压抬升

英飞凌工业半导体 2022-05-12 2432浏览
IGBT门极驱动设计规范

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电力电子技术与新能源 2022-05-01 937浏览
IGBT门极驱动设计规范

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电力电子技术与新能源 2021-07-18 1355浏览
IGBT门极驱动设计规范

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电力电子技术与新能源 2021-04-02 1159浏览

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我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

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