美光 - 电子工程专辑

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美光仍是赢家，但需警惕NAND风险

作者 |Gary Alexander编译 | 华尔街大事件过去几周，科技行业绝大部分股票都经历了大幅回调，其中包括人工智能领域最大的宠儿之一英伟达。但在充满挑战的背景下，美光科技公司( NASDAQ: MU ) 却顶住了行业日益增长的悲观情绪，尤其是数据中心需求旺盛，继续推动其 DRAM 业务大幅增长。美光公布第二财季（1 月季度）业绩后，其股价小幅上涨。自今年年初以来，美光股价已上涨逾 20%，

美股研究社 2025-03-21 51浏览
美光数据中心营收翻三倍

美国最大规模的计算机存储芯片制造商美光科技公司(MU.US)发布了强劲的业绩数据以及当前季度业绩展望，主要得益于在全球大型企业与各政府部门纷纷斥巨资布局AI的这股AI基建狂热浪潮中，与人工智能训练/推理系统密切相关的存储芯片需求仍然无比火爆，推动包括HBM存储系统与企业级SSD在内的美光数据中心业务营收猛增。此外，自2022年美联储加息周期以来需求持续疲软的智能手机与PC端存储芯片，在AI智能手机

WitDisplay 2025-03-21 74浏览
美光、SK海力士公布新型SOCAMM内存模组，将用于英伟达GB300平台

3月19日，美光、SK 海力士两大 DRAM 内存原厂正式公布了新的 SOCAMM 内存模组。美光称该型内存条将被用于英伟达 GB300 Grace Blackwell Ultra 超级芯片，预计作为 Grace CPU 的可更换内存使用。SOCAMM 全称 Small Outline Compression Attached Memory Module，意即外形更为小巧的 CAMM 压缩附加内存

52RD 2025-03-20 111浏览
美光官宣向英伟达供12层HBM3E

外媒报导，美光、SK海力士和三星等存储器制造商一直在为英伟达的 Blackwell 资料中心 GPU 提供最强大的存储器产品。而随着 SK 海力士推出其 HBM3E 和 SOCAMM 存储器产品，美光也在 GTC 2025 活动上宣布，推出基于 12 层堆栈 HBM3E 和 LPDDR5X 的 SOCAMM 存储器。wccftech 报导表示，虽然 SK 海力士先前一直是英伟达的 HBM3 存储器

WitDisplay 2025-03-20 112浏览
2025世界移动通信大会｜美光展示未来移动AI技术

关注美光获取动态近日，世界移动通信大会 (MWC) 在西班牙巴塞罗那拉开帷幕。作为移动创新的展示中心，今年的 MWC 展示了诸多推动未来移动 AI 发展的前沿技术，包括由 AI 驱动的 5G 医疗解决方案（例如用于白内障检测的 Telefónica CatEye）、可在文本和视频之间流畅切换的多模态代理，以及各种硬件创新（例如柔性显示屏和可折叠手机）。在 MWC 上，我们看到了移动生态系统令人振

美光科技 2025-03-20 98浏览
华大九天拟购买芯和半导体控股权；消息称美光对NAND闪存新订单平均涨价11%；禾赛科技或将开设首家海外工厂|新闻速递

五分钟了解产业大事每日头条芯闻华大九天拟购买芯和半导体控股权瑞芯微回应“RV1126/1109机器视觉领域芯片缺货并大幅涨价”，称已通过多种手段全力保障供应消息称美光对NAND闪存新订单平均涨价11%消息称麦格纳将在奥地利为小鹏、广汽组装SKD汽车，从而规避欧盟高额关税禾赛科技或将开设首家海外工厂光庭信息拟收购楷码科技100%股权，计划整合日本客户资源传小米汽车在德国慕尼黑设立研发中心宝马宣布与华

TechSugar 2025-03-18 143浏览
用科技播种希望，以运动激发潜能丨美光再度走进北京光爱学校

关注美光获取动态2025年3月8日，北京光爱学校的校园里春意盎然，阳光明媚。这座由石青华校长倾心创办的公益学校，迎来了美光团队的又一次暖心到访。继2024年美光首次讲授芯片课程、助力孩子们的科技启蒙后，今年美光团队不仅携带15000元善款再次踏入校园，为校舍租金和教学设备的升级注入力量，还通过一场别开生面的运动会，为孩子们带来了希望与欢乐。捐赠仪式：责任与初心的对话美光全球客户技术支持副总裁Bo

美光科技 2025-03-13 261浏览
美光1γ制程\xa0DDR5送样，仅一层用EUV

存储器大厂美光（Micron）发表 1γ（gamma）先进制程后，2 月送样给英特尔（Intel）和 AMD 等客户 1γ（gamma）DDR5，为存储器第一家达成里程碑的企业。韩媒朝鲜日报报导，美光送样 1γ（gamma）DDR5，只用一层极紫外光（EUV）微影曝光设备，因美光计划减少 EUV 使用，加速量产先进制程 DRAM，降低成本。美光选择减少依赖 EUV，转用成熟氩氟浸没式光刻（ArFi

WitDisplay 2025-03-11 91浏览
被低估的扩张潜力，美光为何成今年唯一股价上涨的半导体巨头？

作者 | Dair Sansyzbayev编译 | 华尔街大事件美光(NASDAQ:MU )于 12 月 18 日发布了最新季度收益，业绩超出市场预期。在经历了 2023 财年因不利发展而陷入困境后，美光继续表现出强劲的收入增长反弹。因此，2025 财年第一季度收入同比增长 84%，达到 87.1 亿美元。如此稳健的收入增长可归因于数据中心的顺风，因为美光是 AI 基础设施存储解决方案的主要参与者

美股研究社 2025-03-10 101浏览
惊人的27GB/s读取速度！美光全球最快PCIe6.0SSD首秀

美光推出了一款新的基于PCIe 6.x协议的固态硬盘原型产品，顺序读取速度达到了惊人的27GB/s，成为目前全球最快的PCIe 6.x SSD。这一速度不仅超越了美光去年推出的26GB/s的PCIe 6.x SSD，更是将现有PCIe 5.0 SSD的性能远远甩在身后。在数据中心连接解决方案提供商Astera Labs的展示中，美光的PCIe 6.x SSD原型搭配了Astera Labs的Sco

文Q聊硬件 2025-03-08 235浏览
Allegro拒绝安森美的收购要约；SK海力士将关闭CIS图像传感器部门；台积电前董事长刘德音加入美光董事会|新闻速递

五分钟了解产业大事每日头条芯闻Allegro拒绝安森美69亿美元的收购要约英国监管机构批准新思科技350亿美元收购Ansys交易SK海力士将关闭CIS图像传感器部门AMD推出完全开源的3B参数语言模型Instella，媲美Llama-3.2-3B和Qwen2.5-3B台积电前董事长刘德音加入美光董事会中国团队发布全球首款通用型AI智能体Manus新加坡将投资5亿新元设半导体研发制造设施，初期聚焦先

TechSugar 2025-03-07 179浏览
刘德音加盟美光，加速HBM4突破

存储器大厂美光科技（Micron）宣布任命前台积电董事长刘德音出任董事，以助美光因应AI带动成长。这也是刘德音于去年年中退休后，首度出任国际半导体大厂董事职。这被解读为HBM领域的后来者美光有意加强与台积电的合作，迅速赶超市场领先者SK海力士。美光将加强与台积电的合作，预计将提升其未来即将发布的定制产品“HBM4(第6代)”的产能。刘德音任美光董事，会不会有违反竞业禁止条款的问题？台积电回应没有，

WitDisplay 2025-03-06 264浏览
台积电前董事长刘德音加盟美光出任董事：全球存储芯片格局生变

2025年3月5日，全球存储芯片巨头美光科技（Micron）宣布一项重磅人事任命：台积电前董事长刘德音（Mark Liu）正式加入其董事会。这一消息迅速引发行业震动，被视为存储芯片行业技术路径与竞争逻辑变革的重要信号。作为半导体行业最具影响力的华人领袖之一，刘德音的跨界选择不仅标志其个人职业生涯的新起点，更可能成为全球存储芯片产业格局重塑的催化剂。一、刘德音履历：从技术专家到产业领袖刘德音的职业生

芯通社 2025-03-06 346浏览
台积电前董事刘德音，将加入美光董事会！

3 月 6 日，半导体存储巨头美光科技（Mcron）宣布，任命台积电前董事长刘德音（Mark Liu）为企业董事。刘德音在台积电任职超过30年，目前是J&M Copper Beech Ventures董事长。美光科技董事长、总裁暨执行长Sanjay Mehrotra发布新闻稿说：「刘德音是一位具有远见的领导者，拥有深厚的技术专业知识和商业敏锐度。他在全球最先进精密的半导体公司担任领导职位已有数十年

皇华电子元器件IC供应商 2025-03-06 162浏览
台积电前董事长入职美光！

● 第六届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于2025年3月19日在浙江杭州召开，会议由亚化咨询主办。● 中石油、润晶科技、金宏气体、上海市集成电路行业协会、中科院过程所、华为电子材料实验室、江苏集萃、浙江省化工研究院、东华大学等企业的领导与专家领衔作报告3月6日消息，美光宣布，任命前台积电董事长刘德音为公司董事。此次也是刘德音退休后，首度出任半导体公司的董事职位！美光指出，刘德音在台积电工作30

半导体前沿 2025-03-06 152浏览
突发！台积电前董事长入职美光！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓3月6日消息，美光宣布，任命前台积电董事长刘德音为公司董事。此次也是刘德音退休后，首度出任半导体公司的董事职位！美光指出，刘德音在台积电工作30多年，担任重要领导职务，包括高级副总裁 (2004~2012 年)、共同营运长(2012~2013 年)、总裁兼共同执行长(2013~2018 年)、公司董

中国半导体论坛 2025-03-06 158浏览
台积电前董事长加盟美光！

据美光官网消息，存储巨头美光当地时间昨日宣布，任命去年卸任的台积电前董事长刘德音（Mark Liu）为企业董事。刘德音在台积电工作了30多年，期间担任过多个越来越重要的领导职务，包括高级副总裁（2004-2012年）、联合首席运营官（2012-2013年）、总裁及联合首席执行官（2013-2018年）以及执行董事长（2018-2024年）。在他的领导下，台积电成为了全球最大的半导体代工厂。目前，他

EETOP 2025-03-06 81浏览
刘德音加盟美光，出任董事！

存储巨头美光宣布，任命去年卸任的台积电前董事长刘德音（Mark Liu）为企业董事。刘德音现担任多元策略投资基金J&M Copper Beech Ventures的创办人和董事长，以及加州大学伯克利分校工程顾问委员会成员，拥有台大电子工程学学士、加州伯克利电子工程与计算机科学硕士和博士学位。与此同时，美光宣布世界四大会计师事务所之一德勤（Deloitte）的高级审计和保证合伙人Christie S

芯极速 2025-03-06 107浏览
安森美启动重组计划拟裁员2400人；特斯拉收购德国Manz部分资产；美光首推采用EUV技术的1γDDR5芯片|新闻速递

五分钟了解产业大事每日头条芯闻安森美启动重组计划，拟裁员约2400人SK海力士宣布龙仁半导体产业园首座晶圆厂开建特斯拉收购德国Manz部分资产三星推出业界首款抗量子解密芯片S3SSE2A，保护手机关键数据美光首家推出采用EUV技术的1γ DDR5 DRAM芯片三星计划到2030年实现1000层NAND，并推出400层晶圆键合技术库克仍未接任苹果董事长CountPoint称国补引爆中国手机市场：1月

TechSugar 2025-02-27 140浏览
美光DDR5内存升级1γnm工艺首次EUV！轻松单条128GB9200MHz

美光宣布，基于最新1γ纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片已经投产，性能、能效、密度等各项指标都大幅提升。DRAM内存行业的节点工艺一直不标注具体数值，而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ这样的迭代顺序，越来越先进，其中1a比较接近20nm，1γ则接近10nm。这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的B

硬件世界 2025-02-26 269浏览
美光新款DDR5已送样，赶超三星SK海力士

存储器大厂美光（Micron）推出首度采用极紫外光（EUV）微影技术的1γ（1-gamma；第六代10奈米级节点）制程新款DDR5DRAM，目前已开始向NB与服务器制造业者提供样品供验证，强调将比 1β（1-beta）效能更高、功耗更低且位元密度更高的三大特点，将支援资料、手机、AI PC、智慧车和游戏等五大应用。美光表示，随着资料中心和边缘装置纷纷导入 AI，存储器的需求已飙升至史上新高。美光

WitDisplay 2025-02-26 299浏览
美光首家采用EUV技术制造DDR5DRAM芯片！

美光科技宣布已开始向部分生态系统合作伙伴和客户出货1γ（1-gamma）16Gbit DDR5 DRAM芯片。美光声称，它是第一个采用1-gamma（1γ）节点的公司，该节点指的是DRAM工艺技术的第六代，最小几何尺寸在19nm~10nm之间。随着DRAM制造商开始制造10nm级DRAM，他们放弃了纳米测量，转而采用1x、1y、1z，现在是1α、1β和1γ。得益于美光此前在1α和 1β DRAM节

飙叔科技洞察 2025-02-26 193浏览
美光宣布1γDRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

关注美光获取动态2025 年 2 月 26 日中国上海美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存样品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM节点的领先优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI

美光科技 2025-02-26 250浏览
美光移动解决方案助力三星GalaxyS25系列AI体验再创新高

关注美光获取动态2025年2月24日中国上海美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，三星Galaxy S25系列的部分设备已搭载美光业界前沿的LPDDR5X内存和UFS 4.0。该系列引入多模态AI助理，开创性地为用户带来直观且能够感知语境的移动AI体验。此外，美光已首次向市场出货能效领先的LPDDR5X内存，其功耗降低幅度超过 10%。1借助全新的One UI 7系统，三星G

美光科技 2025-02-24 113浏览
三星首次展示HBM4E，赶超SK海力士、美光

三星电子将其下一代HBM（高带宽存储器）4E的目标带宽提高了25%。其策略是通过展示比 SK Hynix和美光高出一个级别的速度来扭转 HBM 市场的局面。三星电子还宣布成功开发出全球最快移动DRAM，展现了通过“速度竞赛”巩固内存市场第一地位的决心。三星电子2月20日(当地时间)在美国旧金山举办的2025年国际半导体会议(ISSCC)上展示了带宽达每秒2.5TB(兆兆字节)的HBM4E。到目前为

WitDisplay 2025-02-21 539浏览

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最后输出电阻的计算应该有问题，正确的应该是RO=（((R1//R2)+rbe)/(1+beta)) //R3,约等于（((R1//R2)+rbe)/(1+beta))

jy1900 评论文章 2025-03-21

一篇短文搞定共集电极放大电路
NMOS和PMOS的D、S极都是反的，搞错了吧，全网的图全是错的，我以为是个人认知的错误，结果通过Deepseek搜索的答案是我的想法是一致的。

retsen 评论文章 2025-03-20

电路又冒烟了，如何防反接？

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