量子阱 - 电子工程专辑

量子阱

南京大学实现半导体量子阱高速泵浦-探测成像

近日，南京大学电子科学与工程学院王枫秋教授团队首次实现了基于单腔双梳光源的高速泵浦-探测成像，完成了对大尺寸半导体样品的快速扫描，单点泵浦-探测测量时间短于6 ms。相关成果发表于光学领域知名期刊IEEE Photonics Technology Letters, 37, 405 (2025)。泵浦-探测（pump-probe spectroscopy）是一种被广泛使用的超快光学表征技术，用以获得

MEMS 2025-04-20 125浏览
基于IV族多量子阱异质结构的近红外激光器

IV族半导体是半导体研究中的重要组成部分，因其在光通信、光计算和传感器等领域的应用受到广泛关注。特别是在硅光子学（SiPh）技术中，基于硅的光子集成电路（PIC）被视为未来信息和通信技术的关键。然而，传统的硅光子学技术存在一个重大瓶颈，即缺乏高效的电驱动光源。尽管III-V族材料如GaInAsSb/AlGaAsSb在中红外波长范围内成功实现了激光发射，但由于其生长难度、兼容性问题和污染问题，难以与

MEMS 2025-01-01 439浏览
用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究

硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征，是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产，具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点，广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器外，硅基光探测器、硅基光调制器等硅基光电子器件技术已经基本成熟，但作为最有希望实现低成本、大尺寸单片集成的硅基外延激光器仍然面临着诸多挑战。据麦姆斯咨询报道，北京邮电大学信息光子学

MEMS 2024-04-20 806浏览
非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究

量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。据麦姆斯咨询报道，近期，上海理工大学和中国科学院上海技术物理研究所的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究”为主题的文章。该文章第一作者为苏家平，通讯作者为陈平平和陈泽中。本工作是面向焦平面（FPA）非

MEMS 2023-12-17 857浏览
量子阱调制双波长光泵浦VECSEL

双波长输出半导体激光器在干涉测量、光谱分析、干涉成像以及差频太赫兹等领域有重要应用前景。垂直外腔面发射半导体激光器（Vertical External Cavity Surface-Emitting Laser，VECSEL）结合了固体激光器高光束质量和半导体激光器波长丰富的特点，可以同时实现高输出功率、良好的光束质量、大的覆盖波长范围等。同时，VECSEL拥有灵活的外腔腔型，可以通过在腔内加入光

MEMS 2023-04-23 906浏览
太赫兹量子阱探测器研究进展

太赫兹波段在电磁波谱中是远红外波段的拓展，该波段的探测器在光谱检测、外差探测和无线通信领域也有良好的表现。太赫兹量子阱探测器（THz QWP）具有皮秒级的响应时间和1GHz以上的高速调制性能，是太赫兹快速成像和高速无线通信应用领域非常有前景的探测器。基于光子学原理的THz QWP具有体积小、易集成、响应速度快和灵敏度高等优点，是太赫兹大规模焦平面成像的理想器件。THz QWP与大功率THz QCL

MEMS 2022-06-21 1147浏览

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