量子阱 - 电子工程专辑

量子阱

基于IV族多量子阱异质结构的近红外激光器

IV族半导体是半导体研究中的重要组成部分，因其在光通信、光计算和传感器等领域的应用受到广泛关注。特别是在硅光子学（SiPh）技术中，基于硅的光子集成电路（PIC）被视为未来信息和通信技术的关键。然而，传统的硅光子学技术存在一个重大瓶颈，即缺乏高效的电驱动光源。尽管III-V族材料如GaInAsSb/AlGaAsSb在中红外波长范围内成功实现了激光发射，但由于其生长难度、兼容性问题和污染问题，难以与

MEMS 2025-01-01 104浏览
用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究

硅基光电子技术以光电子与微电子的深度融合为特征，是后摩尔时代的核心技术。硅基光电子芯片可以利用成熟的微电子平台实现量产，具有功耗低、集成密度大、传输速率快、可靠性高等优点，广泛应用于数据中心、通信系统等领域。除硅基激光器外，硅基光探测器、硅基光调制器等硅基光电子器件技术已经基本成熟，但作为最有希望实现低成本、大尺寸单片集成的硅基外延激光器仍然面临着诸多挑战。据麦姆斯咨询报道，北京邮电大学信息光子学

MEMS 2024-04-20 661浏览
非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究

量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。据麦姆斯咨询报道，近期，上海理工大学和中国科学院上海技术物理研究所的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究”为主题的文章。该文章第一作者为苏家平，通讯作者为陈平平和陈泽中。本工作是面向焦平面（FPA）非

MEMS 2023-12-17 715浏览
量子阱调制双波长光泵浦VECSEL

双波长输出半导体激光器在干涉测量、光谱分析、干涉成像以及差频太赫兹等领域有重要应用前景。垂直外腔面发射半导体激光器（Vertical External Cavity Surface-Emitting Laser，VECSEL）结合了固体激光器高光束质量和半导体激光器波长丰富的特点，可以同时实现高输出功率、良好的光束质量、大的覆盖波长范围等。同时，VECSEL拥有灵活的外腔腔型，可以通过在腔内加入光

MEMS 2023-04-23 806浏览
太赫兹量子阱探测器研究进展

太赫兹波段在电磁波谱中是远红外波段的拓展，该波段的探测器在光谱检测、外差探测和无线通信领域也有良好的表现。太赫兹量子阱探测器（THz QWP）具有皮秒级的响应时间和1GHz以上的高速调制性能，是太赫兹快速成像和高速无线通信应用领域非常有前景的探测器。基于光子学原理的THz QWP具有体积小、易集成、响应速度快和灵敏度高等优点，是太赫兹大规模焦平面成像的理想器件。THz QWP与大功率THz QCL

MEMS 2022-06-21 1024浏览

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xxdg 评论文章 2025-01-05

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小瑞不熬夜评论文章 2024-12-27

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