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SK海力士第六代10nm等级1c制程良率达八成,即将量产
韩国媒体 Hankooki 报导,存储器大厂 SK 海力士第六代 10 奈米等级 1c 制程 DRAM 良率达 80%,较 2024 下半年 60% 明显提升,如期进入量产。DRAM 存储器制程良率达 80%~90% 时就可量产,故 SK 海力士第六代 10 奈米等级 1c 制程快达量产水平。SK 海力士 2024 年 8 月宣布,成功开发全球首款第六代 10 奈米等级 1c 制程 DDR5 DR
WitDisplay
2025-04-10
97浏览
英特尔1.8nm良率极低!
4月1日消息,英特尔曾宣称其Panther Lake和Clearwater Forest的Intel 18A(1.8nm)CPU已顺利启动并展现出良好的健康状况。然而,最近有消息披露,该工艺的良率仅为10%,这一消息在市场上引起了广泛关注。不过,CEO陈立武表示,18A工艺技术仍按计划进行,接近第一批外部流片,预计将在今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。由于英特尔
芯通社
2025-04-02
240浏览
英特尔1.8nm良率仅10%!
4月1日消息,英特尔曾宣称其Panther Lake和Clearwater Forest的Intel 18A(1.8nm)CPU已顺利启动并展现出良好的健康状况。然而,最近有消息披露,该工艺的良率仅为10%,这一消息在市场上引起了广泛关注。不过,CEO陈立武表示,18A工艺技术仍按计划进行,接近第一批外部流片,预计将在今年下半年首发该工艺的Panther Lake处理器将进行大批量生产。由于英特尔
半导体前沿
2025-04-01
215浏览
英特尔1.8nm良率极低!
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、放眼世界!关注世界半导体论坛↓↓↓4月1日消息,英特尔曾宣称其Panther Lake和Clearwater Forest的Intel 18A(1.8nm)CPU已顺利启动并展现出良好的健康状况。然而,最近有消息披露,该工艺的良率仅为10%,这一消息在市场上引起了广泛关注。不过,CEO陈立武表示,18A工艺技术仍按计划进行,接近第一
中国半导体论坛
2025-04-01
234浏览
良率超99%!国产8英寸GaN迎来新突破
插播:5月15日,“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办,演讲或摊位咨询请联系许若冰(hangjiashuo999)。近日,九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓高电子迁移率材料的制备,在高频、高功率器件等领域,有望为前沿技术发展及产业化落地提供有力支撑:3月22日,九峰山实验室在官微公布了其GaN系列成果,包括国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底(N
第三代半导体风向
2025-03-24
1019浏览
台积电2nm制程良率已超60%!
据外媒wccftech报道,台积电正计划将第一批2nm测试晶圆快速交付给客户,并表示台积电2nm制程的良率已经超过了60%,预计明年苹果iPhone 18系列所搭载的A20系列处理器才会采用台积电的2nm制程代工。到目前为止,台积电在晶圆代工技术方面一直是占据领先地位,此前有报告称台积电的2nm试产良率已经达到了60%,并有望在今年年底实现量产。作为高端智能手机市场的领导厂商,以及台积电的第一大客
皇华电子元器件IC供应商
2025-03-24
368浏览
高良率(95%)车规级磁存储芯片MRAM研究进展
▲ 点击上方蓝字关注我们,不错过任何一篇干货文章!近年来,随着磁性隧道结(MTJ)存储器件的持续创新,磁性随机存储器(MRAM)在高可靠高性能MCU及SoC 中逐步实现应用,并将扮演越来越重要的角色。半导体头部代工厂如台积电(TSMC)、三星(Samsung)、格罗方德(Globalfoundries)等已纷纷推出eMRAM IP, 其早期客户主要来自于物联网、可穿戴及人工智能(AI)等领域,如今
电子工程世界
2025-03-18
268浏览
Intel18A良率正常!酷睿Ultra300今年下半年如期发布
Intel投资者关系副总裁John Pitzer澄清了有关Panther Lake处理器推迟发布的传闻,明确表示Panther Lake仍按计划于2025年下半年发布,发布时间并未改变。此前郭明錤指出,Panther Lake的量产时间可能会推迟到第四季度中期,但Intel方面强调,Panther Lake的良率水平甚至优于同期Meteor Lake开发阶段的表现。值得注意的是,2023年下半年发
文Q聊硬件
2025-03-08
753浏览
令人失望!英特尔1.8nm良率曝光!
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、放眼世界!关注世界半导体论坛↓↓↓2月25日消息,据最新消息显示,英特尔18A(1.8nm)已处理器的良品率"令人失望",目前仅为20%-30%!按照这位分析师的说法,英特尔Panther Lake样品显示18A工艺良品率目前约为 20%-30%,可能无法在2025年下半年实现量产,据称该公司在转向大规模生产的过程中将面临巨大障碍。
中国半导体论坛
2025-02-25
182浏览
英特尔18A良率令人失望!
近期,因为传闻台积电将接管英特尔晶圆制造部门,导致英特尔内部员工反弹,认为Intel 18A节点制程较台积电N2节点制程更具优势,把晶圆制造业务交台积电掌管是一大错误的情况。甚至,传出英特尔的Intel 18A准备较N2更早进入量产阶段的消息。 对此,中资天风证券知名分析师郭明錤就表示,Intel 18A 的样品测试良率不如预期,加上组织设置与供应链管理文化瓶颈、这都让台积电能够进一步胜出。郭明錤
EETOP
2025-02-25
448浏览
三星3纳米开始量产Exynos2500,良率太低,每月仅5000片
据韩国媒体 Thebell 报道,三星已经开始量产新一代旗舰移动处理器Exynos 2500,晶圆测试最早将于3月开始,可能将首发于三星2025年下半年发布的入门级折叠屏幕新机Galaxy Z Flip FE。但由于3纳米GAA良率低的问题依然存在,因此目前无法扩大规模,初期的产能只有每月5,000片。报道称,三星电子曾计划于2024年下半年量产Exynos 2500并将其搭载在Galaxy S2
EETOP
2025-02-24
423浏览
三星4nm良率已近80%!
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、放眼世界!关注世界半导体论坛↓↓↓2月21日消息,据韩媒报道,三星电子的4nm先进制程良率已升至接近 80%,并在近期陆续获得了来自中国企业的 ASIC 代工订单!报道指出,在先进制程连续遭遇商业困境后三星电子的新管理层调整了先进制程战略,不再一味地同台积电展开“纳米竞赛”,而是将工作重心放在以可靠良率赢得客户信任上,保障能从非最前
中国半导体论坛
2025-02-21
327浏览
良率高达99.99%!韩国LCSquare突破MicroLED转印技术
会议推介2025中国国际LED产业发展大会暨首届JM Insights春茗会 主办单位:JM Insights 支持单位:深圳市平板显示行业协会 论坛时间:2025年2月20日 论坛地址:深圳·国展皇冠假日酒店G层 商务咨询:Gary:13423929770 Smith:13430891796限时福利,开年盛会免费报名啦!日前,韩国科研团队成功研发出一项突破性技术
JMInsights集摩咨询
2025-02-13
258浏览
传英特尔将与台积电合资,由台积电助其提升良率!
● 第六届半导体湿电化学品与电子气体论坛将于3月19日在杭州召开 ● 中石油、润晶科技、金宏气体、中科院过程所、华为电子材料实验室、江苏集萃、浙江省化工研究院、东华大学等企业的领导与专家领衔作报告美国副总统JD Vance强调,最强大的AI芯片应坚持在美国设计与制造,这一表态带动了相关股价的上涨。随后,市场传出了最新重磅消息:英特尔计划拆分其晶圆制造业务,并与台积电成立合资企业。受此消息影响,英特
半导体前沿
2025-02-13
170浏览
重磅消息:传英特尔将与台积电合资,由台积电助其提升良率!
美国副总统JD Vance强调,最强大的AI芯片应坚持在美国设计与制造,这一表态带动了相关股价的上涨。随后,市场传出了最新重磅消息:英特尔计划拆分其晶圆制造业务,并与台积电成立合资企业。受此消息影响,英特尔股价再度大涨超过7%,收盘时达到22.48美元,两天内累计涨幅超过13%。据《华尔街日报》报道,市场分析师Robert W. Baird在最新报告中指出,正陷入财务危机的英特尔正与台积电就成立合
EETOP
2025-02-13
563浏览
MicroLED转印技术突破,良率99.99%
知识酷Pro 👆学显示行业知识找小酷!第1847篇推文韩国科研团队成功研发出一项突破性技术,能够高效地将尺寸小于发丝的微型发光二极管(LED)芯片——即Micro LED,以极高的良率进行精准转印。转印过程涉及将Micro LED从原始晶圆上精准分离,并转移至电路基板之上,这一技术的进展对于简化Micro LED显示屏的制造流程具有重要意义,因此备受业界瞩目。2月11日,LC Square公司宣布
BOE知识酷
2025-02-13
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韩国LCSquare突破MicroLED转印技术,良率高达99.99%,高效降低显示屏制造成本
CINNO Research产业资讯,韩国科研团队成功研发出一项突破性技术,能够高效地将尺寸小于发丝的微型发光二极管(LED)芯片——即Micro LED,以极高的良率进行精准转印。转印过程涉及将Micro LED从原始晶圆上精准分离,并转移至电路基板之上,这一技术的进展对于简化Micro LED显示屏的制造流程具有重要意义,因此备受业界瞩目。2月11日,LC Square公司宣布,其已成功研发出
CINNOResearch
2025-02-12
371浏览
三星Exynos2600开发顺利,2nm芯片试生产良率约为30%
● 第六届半导体湿电化学品与电子气体论坛将于3月19日在杭州召开 2月8日消息,三星电子为下一代旗舰平台Exynos 2600投入了大量资源,以确保其按时量产。此前,三星 Galaxy S25 系列因 Exynos 2500 SoC 存在良率问题,全球范围内采用了高通骁龙 8 Elite 芯片,三星为避免在芯片领域再次受挫,加大了对 Exynos 2600 的投入。Exynos 2600使用三星2
半导体前沿
2025-02-10
269浏览
三星2nm芯片试生产良率约为30%!
2月8日消息,三星电子为下一代旗舰平台Exynos 2600投入了大量资源,以确保其按时量产。此前,三星 Galaxy S25 系列因 Exynos 2500 SoC 存在良率问题,全球范围内采用了高通骁龙 8 Elite 芯片,三星为避免在芯片领域再次受挫,加大了对 Exynos 2600 的投入。Exynos 2600使用三星2nm工艺制程,试生产良率约为30%左右,高于内部预期,该公司计划在
飙叔科技洞察
2025-02-09
664浏览
台积电美国厂良率超越台厂
近日,台积电在美国的建厂计划迎来了积极进展,不仅成功获得美国政府的补助,位于亚利桑那州凤凰城的第一座晶圆厂的良率也超越了位于中国台湾的同级厂房,为即将到来的量产奠定了基础。 台积电位于亚利桑那州的美国子公司TSMC Arizon近期获得了66亿美元的美国政府补助,用于生产半导体,此外还获得了50亿美元的低息贷款。 台积电美国分部总裁Rick Cassidy日
52RD
2024-12-30
1594浏览
国产HBM2内存重大突破!DDR5良率明年底可达90%
据花旗银行的分析报告,CXMT当初在DDR4上的初期良品率只有20-30%,成熟后达到了90%。得益于DDR4上的丰富经验,CXMT DDR5从一开始的良品率就有40%,目前稳定在80%左右,而且还在继续改进,预计到明年底可以提升到90%左右。CXMT目前在合肥有两座内存工厂,Fab 1主要生产DDR4,使用的是19nm工艺,每月产能约10万块晶圆。Fab 2专注于DDR5,用的是17nm工艺,当
硬件世界
2024-12-29
816浏览
国产HBM2内存重大突破!DDR5良率明年底可达90%
CXMT低调推出DDR5内存以来,更多内幕被挖掘出来,好消息也是接连不断,甚至第二代HBM2高带宽内存也有了重大突破。据花旗银行的分析报告,CXMT当初在DDR4上的初期良品率只有20-30%,成熟后达到了90%。得益于DDR4上的丰富经验,CXMTDDR5从一开始的良品率就有40%,目前稳定在80%左右,而且还在继续改进,预计到明年底可以提升到90%左右。CXMT目前在合肥有两座内存工厂,Fab
文Q聊硬件
2024-12-29
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英特尔遭重挫!良率仅10%!
12月6日消息,据外媒报道称,英特尔代工业务面临重大挑战,其备受期待的18A制程工艺良率表现不佳,目前良率不足10%,无法量产!据悉,18A制程被视为英特尔复兴战略的重要支柱,但其目前的良率远低于业界标准,使得主要客户Broadcom对该技术失去信心。据称,Broadcom的工程师认为18A制程无法支持大规模生产,已取消相关订单,并开始寻求其他供应商。这一消息为英特尔原本陷入困境的代工业务再添压力
ittbank
2024-12-09
115浏览
突发!台积电嘉义科学园区发生事故!2nm良率达60%,超预期!
中国台湾嘉义科学园区12月7日晚传出施工事故,台积电工地日夜接连赶工,疑似工地地面不平,大型吊车不慎倾倒翻车,打到一旁工地脚手架,导致许多脚手架倒塌,幸未有人员伤亡,目前正在排除倒塌脚手架。据报道,工人见状后,赶紧打电话报案,警察和消防人员获报后,立即赶抵现场救援,经了解,所幸这起工安事故并未造成任何人员伤亡,目前正在排除倒塌脚手架,至于详细事故原因,仍有待进一步调查厘清。台积电在嘉义科学园区规划
飙叔科技洞察
2024-12-08
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英特尔遭重挫!良率仅10%!
国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业! 不拘中国、放眼世界!关注世界半导体论坛↓↓↓12月6日消息,据外媒报道称,英特尔代工业务面临重大挑战,其备受期待的18A制程工艺良率表现不佳,目前良率不足10%,无法量产!据悉,18A制程被视为英特尔复兴战略的重要支柱,但其目前的良率远低于业界标准,使得主要客户Broadcom对该技术失去信心。据称,Broadcom的工程师认为18A制程无法
中国半导体论坛
2024-12-06
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