离子注入 - 电子工程专辑

离子注入

思锐智能：打造第三代半导体制造关键设备—原子层沉积和离子注入

12月11-12日，行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开，思锐智能已正式确认出席本次大会。届时，思锐智能副总经理陈祥龙将出席，并带来《打造第三代半导体制造关键设备—原子层沉积和离子注入》的主题报告。本次演讲，思锐智能将着重探讨第三代半导体材料如碳化硅和氮化镓在高温、高压和高频应用中展现出巨大的潜力，如何选择合适的薄膜沉积设备，匹配不断发展的宽禁带半导

第三代半导体风向 2024-11-28 63浏览
【光电集成】半导体行业知识专题三：半导体离子注入工艺

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----来源：半导体行业前沿申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，

今日光电 2024-07-07 424浏览
这家公司明年将推出SiC离子注入设备

5月16日，据日媒导报，住友重工子公司—住友重工离子技术公司最早将于2025年在市场上推出用于碳化硅(SiC)功率半导体的离子注入机。source：住友重工离子技术公司报介绍，离子注入设备将磷、硼等杂质离子注入晶圆中，以改变其电特性。对于硅晶片，在离子注入后进行热处理以恢复结晶度。但对于SiC来说，仅用离子注入后的热处理也难以恢复结晶性。惯用的方法是将SiC晶片加热至约500摄氏度之后，再进行离子

化合物半导体市场 2024-05-16 428浏览
【半导体】干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍

传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。碳化硅功率器件掺杂工艺中，常用的掺杂元素有：N型掺杂，主要为氮元素和磷元素；P型掺杂，主要为铝元素和硼元素，它们的电离能

DT半导体材料 2024-01-23 2189浏览
干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍

传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。碳化硅功率器件掺杂工艺中，常用的掺杂元素有：N型掺杂，主要为氮元素和磷元素；P型掺杂，主要为铝元素和硼元素，它们的电离能

半导体工艺与设备 2024-01-12 1540浏览
干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍

传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。碳化硅功率器件掺杂工艺中，常用的掺杂元素有：N型掺杂，主要为氮元素和磷元素；P型掺杂，主要为铝元素和硼元素，它们的电离能

半导体工艺与设备 2024-01-02 941浏览
InAs/GaSbII类超晶格材料的Si离子注入研究

II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测，而通过离子注入实现横向PN结，一方面材料外延工艺简单，同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运，且易于制作高密度平面型阵列。据麦姆斯咨询报道，近期，上海理工大学、中国科学院上海技术物理研究所和国科大杭州高等研究院的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“InAs/GaSb II类超晶格材料的Si离子注入研

MEMS 2023-12-20 594浏览
InAs/GaSbII类超晶格材料的Si离子注入研究

II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测，而通过离子注入实现横向PN结，一方面材料外延工艺简单，同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运，且易于制作高密度平面型阵列。据麦姆斯咨询报道，近期，上海理工大学、中国科学院上海技术物理研究所和国科大杭州高等研究院的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“InAs/GaSb II类超晶格材料的Si离子注入研

MEMS 2023-12-02 646浏览
碲镉汞离子注入温度研究

离子注入工艺是对高能离子进行分析、聚焦与调节后，以一种特定的扫描模式，将其均匀地注入芯片上。在离子注入的过程中，温度是PN结成型的重要参数，注入温度对增强扩散和晶格缺陷的影响很大。对于碲镉汞的离子注入工艺而言，由于碲镉汞的特殊性，注入区原子的扩散过程不仅仅出现在热处理工艺中。如果注入工艺本身温度较高，那么原子的扩散过程在注入中就会发生。碲镉汞离子注入工艺本身就能直接形成较好的n⁺n⁻p结。因此，注

MEMS 2023-09-16 823浏览
一文看懂离子注入工艺及其设备系统

离子注入工艺是一种在半导体制造中起到关键作用的技术，它能够将绝缘体转变为具有导电性的半导体材料。通过离子注入，我们可以将外层电子数不同的杂质引入纯净的硅晶体中，从而改变硅的微观结构，实现导电性。通常情况下，硅晶体的外层电子数为4，无法形成自由移动的电流。为了使硅能够导电，我们需要掺入其他元素。最常用的方法是掺入外层电子数为5的磷元素或外层电子数为3的硼元素。这样，硅晶体就分为了多余电子形成的n型区

半导体工艺与设备 2023-09-12 6281浏览
电科装备实现离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖！

据科技日报报道，中电科电子装备集团有限公司（以下简称“电科装备”）实现离子注入装备28纳米工艺制程全覆盖。报道指出，离子注入机是芯片制造中的关键装备，28纳米则是当前芯片应用领域中覆盖面最广的成熟制程。电科装备连续突破光路、控制、软件等关键模块的核心技术，形成中束流、大束流、高能及第三代半导体等全系列离子注入机产品格局，实现28纳米工艺制程全覆盖。电科装备系中国电子科技集团旗下企业，已具备从产品设

半导体前沿 2023-07-03 856浏览
半导体离子注入工艺基础详解(131页PPT中文版）

半导体工艺与设备 2022-11-07 2124浏览
沟槽型SiCMOSFET工艺流程及SiC离子注入

^1.沟槽型SiC MOSFET 工艺流程在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能；为了获得更高的性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。然而，目前市场上商用p型4H-SiC衬底具有相对较高的电阻率（约2.5Ω-cm），比n型衬底的电阻率高出约两个数量级。如果使用高电阻率的p型衬底，n沟

DT半导体材料 2022-10-26 3032浏览
应变掺杂为金刚石半导体应用开辟新道路：氦离子注入实现金刚石能带调控

近日，来自香港城市大学、上海大学、格罗宁根大学和南方科技大学等校的研究团队在金刚石物理性能调控研究领域取得了重要进展。首次通过高温下氦离子注入工艺实现金刚石内含二维固态氦的大范围“深度弹性应变工程”，相关成果以《Creating two-dimensional solid helium via diamond lattice confinement》为题，发表在国际期刊《Nature Commun

DT半导体材料 2022-10-18 2039浏览
一文搞懂离子注入工艺

来源 | 中国半导体论坛智库 | 云脑智库(CloudBrain-TT)云圈 | 进“云脑智库微信群”,请加微信:15881101905,备注您的研究方向来源：中国半导体论坛－ The End －声明：欢迎转发本号原创内容，转载和摘编需经本号授权并标注原作者和信息来源为云脑智库。本公众号目前所载内容为本公众号原创、网络转载或根据非密公开性信息资料编

云脑智库 2021-11-21 1299浏览
一文搞懂离子注入工艺

云脑智库 2021-11-21 1120浏览
2021年中国半导体离子注入设备行业概览

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今日半导体 2021-10-12 995浏览
半导体工艺仿真——离子注入

（1）离子注入模型参数包括GAUSS, PEARSON, FULL.LAT, MONTECARLO以及BCA。（2）CRYSTAL 和 AMORPHOUS：当采用掩蔽层材料时，需要定义 AMORPHOUS来避免沟道效应。（3）FULL.DOSE 定义用于调整补偿倾角的注入剂量。通常用于高剂量的离子注入。Adjusted Dose = DOSE/cos(TILT) （4）FULL

半导体技术人 2021-05-11 2812浏览
半导体工艺仿真——离子注入

（1）离子注入模型参数包括GAUSS, PEARSON, FULL.LAT, MONTECARLO以及BCA。（2）CRYSTAL 和 AMORPHOUS：当采用掩蔽层材料时，需要定义 AMORPHOUS来避免沟道效应。（3）FULL.DOSE 定义用于调整补偿倾角的注入剂量。通常用于高剂量的离子注入。 Adjusted Dose = DOSE/cos(TILT)

半导体技术人 2021-05-11 2937浏览

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