宽禁带 - 电子工程专辑

宽禁带

侃技术｜宽禁带电力电子的嵌入式PCB封装【1】

嵌入式PCB封装介绍嵌入式 PCB 封装包括将器件整合到 PCB 的多层结构中。更小的外形尺寸、允许堆叠无源和有源元件的 3D 封装、更少的寄生效应和更好的热管理等优势推动了这一发展。将元件嵌入基板组件中的基本概念并不新鲜。它在低功耗或逻辑器件封装中的应用已经达到了很高的成熟度。MicroSIP™ 封装（来自德州仪器和 AT&S）和英飞凌的 BLADE™ 封装是利用嵌入式 PCB 技术的大批量产品

碳化硅芯观察 2024-08-15 548浏览
2024英飞凌宽禁带论坛倒计时丨多款创新产品首次亮相

英飞凌致力于通过其创新的宽禁带（WBG）半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC™创新产品，偕同英飞凌智能家居方案，以及电动交通和出行方案在Electronica China 2024（慕尼黑上海电子展）4号展馆共同亮相，小编先带你一睹为快！👇立即扫码报名👇期待您莅临现场7月9日英飞凌将携宽禁带整体解决方案相约论坛展台设立三大核心区域绿色能源和工业区域20

英飞凌工业半导体 2024-07-03 729浏览
2024英飞凌宽禁带论坛开幕在即：行业精英齐聚，共话前沿技术

7月9日，英飞凌将于2024慕尼黑上海电子展期间在上海举办“2024英飞凌宽禁带论坛”。论坛主题将聚焦于新材料、新应用的最新发展成果，与行业伙伴一道深入探讨宽禁带领域的应用与发展，携手推动低碳化和数字化的发展进程。我们诚挚地邀请您亲临现场，聆听最新研究成果、应用案例和行业洞见。请扫描下方二维码，选择您感兴趣的论坛，立即注册报名。报名审核通过后，您将在会前收到活动详细地址。英飞凌智慧交锋，激荡观点引

英飞凌工业半导体 2024-06-27 798浏览
4月16日，英飞凌宽禁带开发者论坛8小时连续直播

英飞凌全球宽禁带开发者论坛已经连续多年举办，汇集了来自碳化硅SiC和氮化镓GaN领域的明星阵容，还有来自中国客户的两个特邀报告。2024年4月16日北京时间下午2点，慕尼黑演播室全天直播等你来！速速扫描以下二维码报名！👇👇（您可以在直播中听到全球前沿的产品与应用技术讲解。）请在2024年4月15日之前扫码报名。报名后，您将收到一封确认电子邮件，内含当天直播观看链接。我们期待您一起交流全球前沿科技、

英飞凌工业半导体 2024-04-12 686浏览
速来！英飞凌宽禁带开发者论坛向您发出邀请

英飞凌全球宽禁带开发者论坛已经连续多年举办，汇集了来自碳化硅SiC和氮化镓GaN领域的明星阵容，还有来自中国客户的三个特邀报告。2024年4月16日北京时间下午2点，慕尼黑演播室全天直播等你来！速速扫描以下二维码报名！👇👇（您可以在直播中听到全球前沿的产品与应用技术讲解。）在2024年4月15日之前注册并参加我们今年的活动。注册后，您将收到一封确认电子邮件，其中包含注册参加2024年宽禁带开发者论

英飞凌工业半导体 2024-03-15 969浏览
张荣院士：宽禁带半导体的几个基础问题

宽禁带半导体技术快速崛起，未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之一，我国高度重视，在“中国制造2025”、2035中长期科技规划、十四五计划中，均将宽禁带半导体列为重点方向。“十四五”将重点解决能用好用及可持续创新能力的问题，全产业链整体竞争力不强，核心材料和关键装备是卡脖子瓶颈。近日，在第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照

半导体工艺与设备 2023-12-16 1040浏览
解读宽禁带半导体测试的探头选择难题

引言新型宽禁带半导体碳化硅和氮化镓对测试提出了新的要求，其中测试用的探头是非常重要的一个因素，目前有很多不同类型的高低压单端和差分探头可以满足特定的测试需求。正确选择和使用探头对于工程师、设备和待测设备的安全至关重要，并且对测量精度也有很大影响。力科 Webinar 7月27日，力科示波器事业部资深应用工程师李发存先生讨论了如何为测试宽禁带半导体选择正确的探头，并介绍了各种探头的特点和适合

碳化硅芯观察 2023-08-02 707浏览
抢占席位｜2023英飞凌宽禁带应用技术发展论坛

主办单位：英飞凌科技（中国）有限公司协办单位：慕尼黑展览（上海）有限公司合作媒体：世纪电源网、电源网⏰：7月11日📍：上海国家会展中心伴随科技高速发展，随之带来的气候和能源挑战愈演愈烈。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带功率半导体在光伏风能发电、储能、大数据、5G通信、新能源汽车等领域或将迎来前所未有的黄金发展期。如何促进宽禁带半导体在集成电路领域的融合创新？如何提升宽禁带半导体的使用能效？三十年来，

英飞凌工业半导体 2023-06-29 1543浏览
【光电集成】宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。到 20

今日光电 2023-06-12 1157浏览
嘉宾预告|沛塬电子：深耕基于宽禁带半导体的高密度集成模组技术

点击蓝字关注我们沛塬电子（MetaPWR）是一家专注于高功率密度集成电源及功率模组产品的公司。致力于为客户提供高级、高性能模块化电源系统解决方案，一起应对最艰巨的电源设计挑战。公司团队技术能力扎实，公司团队核心成员均为业界近20年经验的电力电子或功率封装专家，多数任职于世界著名电源公司。公司目前可为行业用户定制不同封装形式的高功率密度集成模组产品：沛塬不断努力提高电源模组的密度、效率及供电能力，

碳化硅芯观察 2023-05-15 1726浏览
【半导光电】宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能---- 对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。

今日光电 2023-03-28 1374浏览
【半导光电】宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。到 20

今日光电 2023-03-25 1456浏览
报名开启丨2023慕尼黑宽禁带开发者论坛：助力实现绿色能源未来

高效领先的功率半导体让英飞凌在节能减排方面，一直走在全球科技公司的前列。其中宽禁带半导体技术的优势已经在许多产品应用中得到验证。不仅如此，凭借其高频、高效、高功率密度、耐高温高压等特点，宽禁带半导体技术高度契合节能减排需求并将在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。即将于3月9日在慕尼黑举行的2023宽禁带开发者论坛上，将由英飞凌科技工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士以“宽带隙如何实

英飞凌工业半导体 2023-03-06 1082浏览
报名开启丨2023慕尼黑宽禁带开发者论坛：助力实现绿色能源未来

高效领先的功率半导体让英飞凌在节能减排方面，一直走在全球科技公司的前列。其中宽禁带半导体技术的优势已经在许多产品应用中得到验证。不仅如此，凭借其高频、高效、高功率密度、耐高温高压等特点，宽禁带半导体技术高度契合节能减排需求并将在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。即将于3月9日在慕尼黑举行的2023宽禁带开发者论坛上，将由英飞凌科技工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士以“宽带隙如何实

英飞凌工业半导体 2023-03-02 964浏览
【科普】氧化镓：第四代宽禁带半导体材料

近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造die s

皇华电子元器件IC供应商 2023-02-22 2911浏览
【行业报告】氧化镓：第四代宽禁带半导体材料

近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化镓的3.39eV，更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，在同等规格下，宽禁带材料可以制造die

DT半导体材料 2023-02-21 2316浏览
碳化硅(SiC)——宽禁带半导体材料的征服之旅(第二部分)

点击蓝字关注我们已发表的文章本章节将简要介绍安森美(onsemi)近期正在进行的研究。参考文献部分列出了相关出版物，可为读者提供希望获取的所有细节，以便更深入地了解这些技术主题。偏置温度不稳定性 (BTI)众所周知，BTI是硅器件的退化模式，由于在半导体/氧化物界面或附近产生陷阱或陷阱电荷，MOSFET的阈值电压漂移，最终导致导通电阻增加的不利影响。SiC MOSFET也受到影响，而且需要应对宽

安森美 2022-12-27 2504浏览
碳化硅(SiC)——宽禁带半导体材料的征服之旅(第一部分)

点击蓝字关注我们摘要碳化硅(以下简称“SiC”)是制造高功率器件最有前景的半导体材料之一。借助其出色的物理特性(高饱和电子漂移速度、高热导率和高击穿电场)， SiC MOSFET器件可以实现更低的损耗和更快的开关速度，并且其几何尺寸比硅 (Si) MOSFET更小。安森美(onsemi)充分利用多年来积累的Si 技术，针对 SiC 材料因尚未得到广泛评估所带来特殊挑战，我们为其量身定制了一套适用

安森美 2022-12-22 1776浏览
中山大学研究团队在宽禁带压电半导体材料领域取得新进展

背景介绍随着5G技术的兴起和普及，如何合理和高效的使用不同通讯频段受到了越来越多的关注。现阶段可供使用的通讯频段已超过30个，且其数量随着无线通信技术的发展还将继续增长，因而射频滤波器在无线通信技术中扮演着越来越重要的角色，仅手机射频前端对滤波器的需求就高达每年百亿个以上。因此，开发高性能的射频滤波器尤为重要。目前，应用于射频前端的滤波器主要采用压电材料制备：在低频波段（2 GHz），则主要采

DT半导体材料 2022-10-12 1676浏览
宽禁带半导体材料「双子星」——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）

对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。到 2022 年的今天，功率甚至已经在突破 200 这个数字上初现端倪。这是第三代半导体材料的胜利，也是移动端充电行业的狂欢。但对于 GaN，很多人只是有个模糊的概念，

DT半导体材料 2022-09-27 1683浏览
表贴型宽禁带器件PCBLayout在电力电子电路中的应用

文章首尾冠名广告正式招商，功率器件：IGBT，MOS，SiC，GaN，磁性器件，电源芯片，DSP，MCU，新能源厂家都可合作，有意者加微信号1768359031详谈。说明：本文来源网络；文中观点仅供分享交流，不代表本公众号立场，转载请注明出处，如涉及版权等问题，请您告知，我们将及时处理。电力电子技术与新能源通讯录：重点如何下载《表贴型宽禁带器件的PCB Layout在电力电子电路中的应用》板块内高

电力电子技术与新能源 2022-08-10 1113浏览
「芯报告」超宽禁带半导体的挑战与机遇

来源 | 芯tip智库 | 云脑智库(CloudBrain-TT)云圈 | 进“云脑智库微信群”,请加微信:15881101905,备注您的研究方向声明 | 本号聚焦相关知识分享，内容观点不代表本号立场，可追溯内容均注明来源，若存在版权等问题，请联系(15881101905，微信同号)删除，谢谢报告主题：超宽禁带半导体的挑战与机遇报告作者：Sandia NL、UWBG Working Group、

云脑智库 2022-05-23 1332浏览
用于宽禁带电力电子器件的3D先进封装概念

来源 | 芯tip智库 | 云脑智库(CloudBrain-TT)云圈 | 进“云脑智库微信群”,请加微信:15881101905,备注您的研究方向声明 | 本号聚焦相关知识分享，内容观点不代表本号立场，可追溯内容均注明来源，若存在版权等问题，请联系(15881101905，微信同号)删除，谢谢报告主题：用于宽禁带电力电子器件的3D先进封装概念报告作者：JL.Schanen, Y.Avenas,

云脑智库 2022-05-16 1373浏览
直播预告|电源网第四届宽禁带直播节

电源网举行的第四届国际宽禁带直播节即将开幕， Power Integrations将在直播节第四场与大家见面，欢迎预约报名。演讲主题发掘宽禁带半导体的价值-适用于紧凑型AC-DC变换器应用的智能集成解决方案直播时间 2022年4月28日（周四）下午2:00到3:00直播讲师阎金光（JASON YAN）｜PI资深技术培训经理演讲介绍在高压功率变换方面，宽禁带(WBG)半导体与传统半导体材料相比具有许

PI电源芯片 2022-04-22 1172浏览
【科研聚焦】南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展

近日，南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授课题组和李携曦助理教授课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron

DT半导体材料 2022-04-20 1649浏览

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确实是非常有价值的工具，京东买一个电源适配器用这玩意儿测电压然后发现电压不足有质量问题，然后赔钱给我，多买几个可以发财了哈。

james1982... 评论文章 2024-12-03

万用表使用大全（20条测量方法，建议收藏！）
zanzanzan

洪正安评论文章 2024-11-29

Allegro17.4常用系统参数的设置

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