宽禁带 - 电子工程专辑

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圆满落幕|宽禁带半导体材料高峰论坛——2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会

4月24日，由DT新材料联合九峰山论坛组委会共同主办的宽禁带半导体材料高峰论坛，在中国武汉光谷科技会展中心成功举行。论坛聚焦材料协同创新与跨领域应用，深入探讨技术瓶颈，全面剖析技术趋势，寻找金刚石、氮化镓与氧化镓半导体发展的方案。推动金刚石、GaN与氧化镓从实验室竞争走向场景化互补，加速“双碳”目标与AI算力革命的落地。论坛报告论坛报告环节邀请了多位重量级嘉宾，包括中国科学院上海光学精密机械研究所

DT半导体材料 2025-04-25 226浏览
明日见！宽禁带半导体材料高峰论坛——2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会

2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破4月24日武汉光谷科技会展中心A1展区论坛论坛背景半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电

DT半导体材料 2025-04-23 276浏览
议程发布！宽禁带半导体材料高峰论坛——2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会

2025第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破4月24日湖北武汉论坛背景半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、

DT半导体材料 2025-04-21 195浏览
4月武汉见！宽禁带半导体材料高峰论坛——2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会

2025第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破4月24日湖北武汉论坛背景半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、

DT半导体材料 2025-04-18 110浏览
西电郝跃院士团队与南京大学李昀教授团队——基于宽禁带Ga₂O₃光电忆阻器突破

随着信息技术发展，对芯片计算能力和能效的需求日益增长，以应对海量数据的处理需求。传统的冯·诺依曼架构将计算与存储功能分离，面临“存储墙”瓶颈，限制了算力效率。而神经形态计算模仿人脑结构，在同一系统中实现存储和处理，是未来计算系统发展的重要方向。忆阻器（memristor）因具备非易失性、低功耗、尺寸小、多级电阻状态等特性，在此类系统中发挥关键作用。然而，现有基于氧化物、二维材料、有机材料的忆阻器在

DT半导体材料 2025-04-18 978浏览
4月武汉见！宽禁带半导体材料高峰论坛——2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会

2025第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破4月24日湖北武汉论坛背景半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、

DT半导体材料 2025-04-17 193浏览
宽禁带MEMS/NEMS谐振器及应用

据麦姆斯咨询报道，2025年4月18日至4月20日，南京邮电大学教授郑旭骞将参加《第69期“见微知著”培训课程：微纳谐振器及应用》并进行授课，具体信息如下：授课主题：宽禁带MEMS/NEMS谐振器及应用授课老师简介：郑旭骞，博士，南京邮电大学海外高层次引进人才，集成电路科学与工程学院教授。他长期从事二维材料、宽禁带/超宽禁带材料的微纳机电系统（M/NEMS）研究，在Nano Lett.、Nanos

MEMS 2025-04-16 38浏览
4月武汉见！2025九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会——宽禁带半导体材料高峰论坛

2025第三届九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）——宽禁带半导体材料—下一代高效能器件的极限突破4月24日湖北武汉论坛背景半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、

DT半导体材料 2025-04-15 194浏览
全天直播即将开启丨英飞凌宽禁带开发者论坛四大亮点抢先看

宽禁带（WBG）解决方案将能效提升到了新高度。凭借其更高的功率密度和更小的封装尺寸，它们是实现可持续设计的关键。英飞凌的WBG产品组合表现如何？能为开发者带来哪些益处？英飞凌全球宽禁带开发者论坛，2025年3月11日北京时间下午4点，全天直播即将开启！01英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士和电源与传感器系统事业部总裁Adam White发表主题演讲，深入分享市场发展趋势和英

英飞凌工业半导体 2025-03-06 162浏览
白皮书导读|电机驱动系统中的宽禁带开关器件

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇近年来，电动汽车的兴起带动了宽禁带器件的应用，并逐渐渗透到各个市场。目前，工业电机主要使用逆变器来提高能效等级，这些逆变器在使用传统硅MOSFET和IGBT作为功率开关时存在一些限制，如总体损耗较高、开关频率和功率输送受限等。随着第三代半导体的兴起，宽禁带器件的应用使得提高电机的功率密度、功率输送能力和效率成为可能。《电机驱动系统中的宽禁带开关器件》白皮书共18页，

英飞凌工业半导体 2024-12-25 182浏览
三安半导体：宽禁带功率半导体为汽车电气化提供新动力

12月11-12日，行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开，三安半导体已正式确认出席本次大会。届时，三安半导体技术总监叶念慈博士将出席，并带来《宽禁带功率半导体为汽车电气化提供新动力》的主题报告。本次报告，叶念慈博士将阐述宽禁带功率半导体在汽车电气化中的应用，剖析其在提高电力转换效率、延长续航里程和降低系统成本等方面的优势，同时，叶博士还将展示三安在这

第三代半导体风向 2024-12-10 199浏览
侃技术｜宽禁带电力电子的嵌入式PCB封装【1】

嵌入式PCB封装介绍嵌入式 PCB 封装包括将器件整合到 PCB 的多层结构中。更小的外形尺寸、允许堆叠无源和有源元件的 3D 封装、更少的寄生效应和更好的热管理等优势推动了这一发展。将元件嵌入基板组件中的基本概念并不新鲜。它在低功耗或逻辑器件封装中的应用已经达到了很高的成熟度。MicroSIP™ 封装（来自德州仪器和 AT&S）和英飞凌的 BLADE™ 封装是利用嵌入式 PCB 技术的大批量产品

碳化硅芯观察 2024-08-15 997浏览
2024英飞凌宽禁带论坛倒计时丨多款创新产品首次亮相

英飞凌致力于通过其创新的宽禁带（WBG）半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC™创新产品，偕同英飞凌智能家居方案，以及电动交通和出行方案在Electronica China 2024（慕尼黑上海电子展）4号展馆共同亮相，小编先带你一睹为快！👇立即扫码报名👇期待您莅临现场7月9日英飞凌将携宽禁带整体解决方案相约论坛展台设立三大核心区域绿色能源和工业区域20

英飞凌工业半导体 2024-07-03 838浏览
2024英飞凌宽禁带论坛开幕在即：行业精英齐聚，共话前沿技术

7月9日，英飞凌将于2024慕尼黑上海电子展期间在上海举办“2024英飞凌宽禁带论坛”。论坛主题将聚焦于新材料、新应用的最新发展成果，与行业伙伴一道深入探讨宽禁带领域的应用与发展，携手推动低碳化和数字化的发展进程。我们诚挚地邀请您亲临现场，聆听最新研究成果、应用案例和行业洞见。请扫描下方二维码，选择您感兴趣的论坛，立即注册报名。报名审核通过后，您将在会前收到活动详细地址。英飞凌智慧交锋，激荡观点引

英飞凌工业半导体 2024-06-27 943浏览
4月16日，英飞凌宽禁带开发者论坛8小时连续直播

英飞凌全球宽禁带开发者论坛已经连续多年举办，汇集了来自碳化硅SiC和氮化镓GaN领域的明星阵容，还有来自中国客户的两个特邀报告。2024年4月16日北京时间下午2点，慕尼黑演播室全天直播等你来！速速扫描以下二维码报名！👇👇（您可以在直播中听到全球前沿的产品与应用技术讲解。）请在2024年4月15日之前扫码报名。报名后，您将收到一封确认电子邮件，内含当天直播观看链接。我们期待您一起交流全球前沿科技、

英飞凌工业半导体 2024-04-12 712浏览
速来！英飞凌宽禁带开发者论坛向您发出邀请

英飞凌全球宽禁带开发者论坛已经连续多年举办，汇集了来自碳化硅SiC和氮化镓GaN领域的明星阵容，还有来自中国客户的三个特邀报告。2024年4月16日北京时间下午2点，慕尼黑演播室全天直播等你来！速速扫描以下二维码报名！👇👇（您可以在直播中听到全球前沿的产品与应用技术讲解。）在2024年4月15日之前注册并参加我们今年的活动。注册后，您将收到一封确认电子邮件，其中包含注册参加2024年宽禁带开发者论

英飞凌工业半导体 2024-03-15 1021浏览
张荣院士：宽禁带半导体的几个基础问题

宽禁带半导体技术快速崛起，未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体是全球高技术竞争的关键领域之一，我国高度重视，在“中国制造2025”、2035中长期科技规划、十四五计划中，均将宽禁带半导体列为重点方向。“十四五”将重点解决能用好用及可持续创新能力的问题，全产业链整体竞争力不强，核心材料和关键装备是卡脖子瓶颈。近日，在第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照

半导体工艺与设备 2023-12-16 1157浏览
解读宽禁带半导体测试的探头选择难题

引言新型宽禁带半导体碳化硅和氮化镓对测试提出了新的要求，其中测试用的探头是非常重要的一个因素，目前有很多不同类型的高低压单端和差分探头可以满足特定的测试需求。正确选择和使用探头对于工程师、设备和待测设备的安全至关重要，并且对测量精度也有很大影响。力科 Webinar 7月27日，力科示波器事业部资深应用工程师李发存先生讨论了如何为测试宽禁带半导体选择正确的探头，并介绍了各种探头的特点和适合

碳化硅芯观察 2023-08-02 786浏览
抢占席位｜2023英飞凌宽禁带应用技术发展论坛

主办单位：英飞凌科技（中国）有限公司协办单位：慕尼黑展览（上海）有限公司合作媒体：世纪电源网、电源网⏰：7月11日📍：上海国家会展中心伴随科技高速发展，随之带来的气候和能源挑战愈演愈烈。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带功率半导体在光伏风能发电、储能、大数据、5G通信、新能源汽车等领域或将迎来前所未有的黄金发展期。如何促进宽禁带半导体在集成电路领域的融合创新？如何提升宽禁带半导体的使用能效？三十年来，

英飞凌工业半导体 2023-06-29 1612浏览
【光电集成】宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。到 20

今日光电 2023-06-12 1422浏览
嘉宾预告|沛塬电子：深耕基于宽禁带半导体的高密度集成模组技术

点击蓝字关注我们沛塬电子（MetaPWR）是一家专注于高功率密度集成电源及功率模组产品的公司。致力于为客户提供高级、高性能模块化电源系统解决方案，一起应对最艰巨的电源设计挑战。公司团队技术能力扎实，公司团队核心成员均为业界近20年经验的电力电子或功率封装专家，多数任职于世界著名电源公司。公司目前可为行业用户定制不同封装形式的高功率密度集成模组产品：沛塬不断努力提高电源模组的密度、效率及供电能力，

碳化硅芯观察 2023-05-15 2237浏览
【半导光电】宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能---- 对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。

今日光电 2023-03-28 1469浏览
【半导光电】宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----对于 GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。这要从近两年充电器上的疯狂内卷开始说起。好像从某个时间点开始，一夜之间，GaN 就如雨后春笋般出现在了充电行业。然后随之而来的，就是我们憧憬已久的幻想开始实现：快速充电，更快速充电。到 20

今日光电 2023-03-25 1634浏览
报名开启丨2023慕尼黑宽禁带开发者论坛：助力实现绿色能源未来

高效领先的功率半导体让英飞凌在节能减排方面，一直走在全球科技公司的前列。其中宽禁带半导体技术的优势已经在许多产品应用中得到验证。不仅如此，凭借其高频、高效、高功率密度、耐高温高压等特点，宽禁带半导体技术高度契合节能减排需求并将在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。即将于3月9日在慕尼黑举行的2023宽禁带开发者论坛上，将由英飞凌科技工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士以“宽带隙如何实

英飞凌工业半导体 2023-03-06 1108浏览
报名开启丨2023慕尼黑宽禁带开发者论坛：助力实现绿色能源未来

高效领先的功率半导体让英飞凌在节能减排方面，一直走在全球科技公司的前列。其中宽禁带半导体技术的优势已经在许多产品应用中得到验证。不仅如此，凭借其高频、高效、高功率密度、耐高温高压等特点，宽禁带半导体技术高度契合节能减排需求并将在能源转型中为减缓气候变化做出重要贡献。即将于3月9日在慕尼黑举行的2023宽禁带开发者论坛上，将由英飞凌科技工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士以“宽带隙如何实

英飞凌工业半导体 2023-03-02 989浏览

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