宽带隙 - 电子工程专辑

宽带隙

苏州大学李孝峰《AdvancedMaterials》：优化宽带隙钙钛矿晶面取向

宽带隙钙钛矿太阳能电池（WBG PSCs）在串联器件中具有广阔的应用前景，但面临较低的开路电压（VOCs）和较差的稳定性问题。为了解决这些问题，四川大学赵德威和苏州大学王长擂、马天舒和李孝峰等人将多功能烟酰胺衍生物引入WBG PSCs，利用其通过不同功能团（如羰基、氨基）对光伏优选取向和光电性质的调控作用。异烟酰胺（IA）分子作为最有效的试剂，通过其独特的平面空间结构，增强了结晶动力学和缺陷钝化。

DT半导体材料 2025-01-09 522浏览
NatureEnergy:国家杰青南大谭海仁教授：利用绿色溶剂规模化制备宽带隙钙钛矿用于叠层太阳能电池

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！宽带隙（WBG）钙钛矿的带隙范围为1.65至1.80 eV，在钙钛矿叠层太阳能电池中扮演重要角色，通常与窄带隙吸收体（如晶体硅、铜铟镓硒和钙钛矿自身）耦合使用。当前处理宽带隙钙钛矿的常用溶剂包括**N,N-二甲基甲酰胺（DMF）和二甲基亚砜（DMSO）**的混合物，这主要是由于钙钛矿组成中的铯盐和溴化物在极性非质子溶剂中的溶解性有限。然而，DMF在

锂电联盟会长 2024-11-22 340浏览
【嘉宾推荐】西安电子科技大学副教授朱卫东带您了解宽带隙钙钛矿太阳能电池挑战与应用展望

在过去的几年里, 钙钛矿材料表现出高效率、低成本的绝对优势, 特别是钙钛矿材料由于灵活可调的禁带宽度 (1.2—2.5 eV) 为其在多结叠层太阳电池、彩色太阳电池以及光电催化中的应用提供了先决条件。再加之简单低温溶液制备工艺使其成为制造多结叠层太阳电池(tandem solar cells, TSCs) 的理想候选材料。目前实验室基于晶硅/钙钛矿两端 TSCs 的光电转换效率已经超过了商用晶硅太

DT半导体材料 2024-01-05 989浏览
宽带隙钙钛矿顶电池助力钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池效率达到28.9%

导读研究人员开发了一种新的钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池，该种设计使用了一种禁带宽度为1.67 eV的顶层钙钛矿电池和一种基于咔唑的新型自组装单层（SAM）。与没有自组装单层的电池结构相比，叠层电池实现了更高的效率，并通过了IEC 61215标准热循环测试。澳大利亚悉尼大学、新南威尔士大学、麦考瑞大学、德国Forschungszentrum jlich大学、中国南方科技大学和斯洛文尼亚卢布尔雅那大学

DT半导体材料 2023-11-15 1262浏览
QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节

Mike EngelhardtQSPICE™发明者Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi晶体管建模、用于稳定性分析的Bode图对最小相位系统的限制、为什么要使用缓冲器以及如何设计缓冲器、防止击穿的双极基极拉电流、SCR在高温下的使用等。其中，如何在高电压下调节低功率是最引人注目的创新；这对我来说极具价值，因为我是多家仪器公司带

Qorvo半导体 2023-09-18 816浏览
谁将赢得宽带隙之战？

氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。先进的半导体能减少温室气体排放，在遏制气候变化的斗争中发挥重要作用吗？答案是非常肯定的。这种变化实际上正在发生。大约从2001年开始，化合物半导体氮化镓引发了一场照明革命，从某些方面来看，这是人类历史上最快的技术变革。根据国际能源署的一项研究，仅在短短20年内，氮化镓（GaN）基发光二极管在全球照明市场上的份额从就零增加到了50%以上

EETOP 2023-08-06 761浏览
NanoLetters:深度解读！22.19%记录效率!宽带隙钙钛矿太阳能电池原创弥浪

近日，南开大学刘永胜&三峡集团Jing Yang、Dongxue Liu团队采用辛烷-1,8-二胺（ODA）间隔物通过一步沉积方法构建宽带隙2D/3D钙钛矿薄膜。与对照宽带隙3D钙钛矿相比，2D/3D钙钛矿薄膜（光学带隙，Eg=1.66 eV）表现出更好的薄膜质量，结晶度增强，载流子非辐射复合损失受到抑制，并且相稳定性大大提高。使用丁基碘化铵（BAI）作为表面缺陷钝化剂的协同效应进一步提高了钙钛矿

DT半导体材料 2023-07-13 680浏览
新疆理化所在抗激光损伤宽带隙红外非线性光学材料研究获进展

红外非线性光学晶体作为激光频率转换的关键器件，在全固态激光器中具有广泛的应用。当前商用的中远红外非线性光学晶体主要包括类金刚石结构的AgGaS₂，AgGaSe₂和ZnGeP₂等化合物。然而，由于各自本征的性能缺陷，如低的激光损伤阈值及低带隙引起的双光子吸收等，这些材料已不能完全满足当前红外激光技术发展的需求。亟需开发性能优异的宽带隙红外非线性光学材料。在国家青年人才计划、国家自然科学基金及新疆自治

MEMS 2023-05-30 1173浏览
开发未来宽带隙电子器件的关键

来源：芯TIP报告主题：开发未来宽带隙电子器件的关键报告作者：Dr. Samuel Graham报告详细内容如下：参考来源：Materials, Manufacturing, and Metrology: Keys to Developing the Future of Wide Bandgap Electronic Devices报告作者：Dr. Samuel Graham

云脑智库 2022-11-24 1030浏览
宽带隙集成趋势和机遇

来源：芯TIP报告主题：宽带隙集成趋势和机遇报告作者：Bernhard Wicht报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）氮化镓的单片集成-电源+传感+控制在一个单晶片上-消除栅极回路的寄生因素-跟踪GaN栅极驱动电压的PVT变化-模拟特性（增益、匹配等）仍比硅差参考来源：Wide Bandgap Integration Trends and Opportunities报告作者：Bernha

云脑智库 2022-10-26 904浏览
宽带隙(WBG)功率器件的变革

来源：芯TIP报告主题：宽带隙 (WBG) 功率器件的变革报告作者：Anant Agarwal报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）为什么选择宽带隙半导体用于功率开关过去 25 年的发展简史展望未来 -->50% 的可再生能源并网......报告详细内容参考来源：The Revolution in Wide Band Gap (WBG) Power Devices报告作者：Anant Ag

云脑智库 2022-09-27 842浏览

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