刻蚀 - 电子工程专辑

刻蚀

中微公司：刻蚀设备全球出货超5000台！

3月12日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布其等离子体刻蚀设备反应总台数全球累计出货超过5000台。这包括CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机、单反应台反应器和双反应台反应器共四种构型的设备。等离子体刻蚀机，是光刻机之外，最关键的、也是市场最大的微观加工设备。由于微观器件越做越小和光刻机的波长限制，也由于微观器件从二维到三维发展，刻蚀机是半导体设备过去十

飙叔科技洞察 2025-03-12 262浏览
超50亿美元！半导体设备国产化率13.6%，刻蚀推进到3nm，大多至14nm、7nm！

近日，日本宣布对十余种半导体相关物项实施出口管制，并将多家中国企业列入“最终用户清单”，这一消息在全球半导体产业中掀起波澜。据了解日本此次出口管制措施涵盖了光刻胶、高纯度氟化氢、晶圆切割设备等半导体生产的关键材料和设备。日本企业在这些领域长期占据全球70%以上的市场份额。可以说，日本半导体设备和材料是全球半导体供应链中不可或缺的一环；中国也不例外，为此大家都非常关心国产半导体最薄弱一环的——半导体

飙叔科技洞察 2025-02-06 2081浏览
北方华创：实现8吋SiC无缺陷超结沟槽刻蚀

近日，北方华创等团队发布了一篇论文，题目为《等离子刻蚀高深宽比和圆角SiC沟槽》。论文提到，他们通过优化等离子蚀刻配方，在8英寸SiC衬底上成功实现了无缺陷的超结器件高纵深比沟槽刻蚀（>5:1），以及沟槽栅SiC MOSFET器件的圆角沟槽刻蚀，这对于提高SiC沟槽功率器件的性能具有巨大的潜力。北方华创的SiC沟槽刻蚀工艺主要有3个优势：▲ 实现高纵深比SiC沟槽刻蚀，没有表现出弯曲、微沟槽和“V

第三代半导体风向 2024-12-27 695浏览
有研硅将收购日本半导体公司70%股权，发力刻蚀设备用部件领域！

11月1日，有研硅发布公告，拟以支付现金的方式收购株式会社 RS Technologies （以下简称“RST”）持有株式会社 DG Technologies（以下简称“DGT”）的 70%股权。公告显示，截至本公告披露日，本次交易双方已签署《股权收购意向协议》，但尽调及审计评估工作尚未完成，未签署正式的交易协议，具体交易方案仍在论证中。RST 系有研硅控股股东，属于关联法人，根据《上海证券交易所

飙叔科技洞察 2024-11-02 1108浏览
北方华创：刻蚀设备累计出货>3500腔，2023年刻蚀设备收入近60亿元，薄膜沉积收入超60亿元

半导体工艺与设备 2024-09-11 638浏览
专家访谈精华：全球刻蚀设备龙头

1、《杠铃策略看国内：修复行情下依然有效》摘要■在经济疲弱期，杠铃策略（两端分别配置稳健和高风险资产）更有效，特别是“类彩票”资产受益于技术变革。■选股时，应重视【ROE均值-标准差】这一指标，以应对经济动能切换和政策现实错位带来的风险。2、《探寻泛林（LAM）成为刻蚀设备龙头的技术&成长逻辑》摘要■泛林半导体（Lam Research）是半导体设备领域的领导者，主要在刻蚀设备、薄膜沉积设备和清洗

阿尔法工场研究院 2024-09-02 878浏览
签约！韩国刻蚀设备制造基地落户无锡！

来源：无锡高新区据无锡高新区在线消息，7月25日，韩国吉佳蓝公司与无锡市签署合作协议，在无锡高新区落户中国总部项目，将在无锡建设半导体刻蚀设备研发制造基地。吉佳蓝是韩国科斯达克上市企业，主要产品包括半导体刻蚀机、LED元件刻蚀机、纳米压印光刻设备等，其中LED刻蚀设备出货量多年来在全球市场排名前列。此次吉佳蓝与无锡高新区、无锡产业集团签约合作在锡落户中国总部项目，将建设刻蚀设备装配生产线和设备产品

CINNOResearch 2024-08-03 868浏览
签约！韩国刻蚀设备制造基地落户无锡！

据无锡高新区在线消息，7月25日，韩国吉佳蓝公司与无锡市签署合作协议，在无锡高新区落户中国总部项目，将在无锡建设半导体刻蚀设备研发制造基地。吉佳蓝是韩国科斯达克上市企业，主要产品包括半导体刻蚀机、LED元件刻蚀机、纳米压印光刻设备等，其中LED刻蚀设备出货量多年来在全球市场排名前列。此次吉佳蓝与无锡高新区、无锡产业集团签约合作在锡落户中国总部项目，将建设刻蚀设备装配生产线和设备产品验证线，同时计划

飙叔科技洞察 2024-07-28 1073浏览
半导体制造工艺—刻蚀（EtchTechnology）

在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中，一项最重要的工艺是蚀刻（Etch）——即，在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻（Etch）工程的成功取决于在设定的分布范围内对各种变量进行管理，并且每一台刻蚀设备都需做好在最佳条件下运行的准备。我们的刻蚀工艺工程师运用精湛的制造技术，完成这一细节工艺的处理。SK海力士新闻中心对利川DRAM Front Etch（蚀刻）Middle Etch以及End

半导体工艺与设备 2024-07-10 2147浏览
半导体刻蚀：芯片制造核心设备，国产化典范

刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案，与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备，占半导体前道设备价值总量的22%，地位举足轻重。等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案，包括ICP和CCP两大类，ICP可用于硅、金属以及部分介质刻蚀，CCP主要用于介质刻蚀，两者市占率平分秋色。随着晶体管尺寸不断缩小，对刻蚀的精准度要求更高，原子层刻蚀（ALE）登场，其可以看做是ALD的镜像过程，具备自

智能计算芯世界 2024-07-10 741浏览
浙大叶志镇团队：酸刻蚀驱动纳米表面重构实现高效稳定有源矩阵钙钛矿发光二极管

★欢迎星标果壳硬科技★近日，浙江大学材料学院叶志镇院士团队在有源矩阵钙钛矿LED领域取得重要进展，研究成果以“Nanosurface-reconstructed perovskite for highly efficient and stable active-matrix light-emitting diode display”为题发表在国际著名期刊Nature Nanotechnology

果壳硬科技 2024-05-15 736浏览
【芯片制造工艺】刻蚀(中)：新进展和终点控制

1.等离子体刻蚀的新进展等离子体蚀刻过程需要达到高产量、高均匀性、高选择比、各向异性和无损伤等目标。对于传统的连续等离子体蚀刻而言，当器件尺寸缩小到14nm节点以下，达到上述蚀刻目标变得越来越困难。1.1 脉冲等离子体刻蚀 Pulsed plasma etching 相对于传统的连续波等离子体刻蚀，脉冲等离子体技术能够在刻蚀选择比、各向异性和轻电荷累计损伤等方面展现出诸多优势

滤波器 2024-04-07 1154浏览
开发SiC材料深刻蚀设备，中锃半导体完成数千万融资

2024年以来，SiC产业链投融资持续火热，近期又有一家厂商受到资本市场青睐，开启了融资大门。近日，中锃半导体（深圳）有限公司（以下简称中锃半导体）完成数千万元人民币天使轮融资。本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资，将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发等方面。source：拍信网01中锃半导体剑指SiC技术突破作为一家成立于2023年10月的初创企业，中锃半导体已在设备研发

化合物半导体市场 2024-04-07 633浏览
【芯片制造工艺】刻蚀(上)

前几篇讲了光刻的过程，光刻是将图形转移到覆盖在半导体晶圆表面的光刻胶上的过程。为了电路生产，这些图形必须再转移到光刻胶下面组成器件的各薄层(如SiO2、Si3N4、沉积的金属层)上。这种图形的转移是采用刻蚀工艺完成的。所以刻蚀与光刻是相关联的，曝光显影的图形质量也是决定刻蚀后的图形质量，这点对于尺寸以及线宽要求极为严格的图形来说非常重要。 A. 刻蚀工艺分类：在半导体制造中刻蚀工艺主要

滤波器 2024-04-05 2818浏览
中微公司：2023年净利润同比增长52.67%，绝大部分刻蚀设备的零部件已经实现国产化

3月18日晚间，中微公司发布2023年年度报告称，该公司2023年实现营收62.64亿元，同比增长32.15%；实现归母净利润17.86亿元，同比增长52.67%。中微公司董事长、总经理尹志尧在年报中表示，2023年成为中微自成立以来，经营业绩最好的一年。从近几年数据来看，中微公司2023年归母净利润创下近三年新高。其2021年至2023年，归母净利润分别为10.1亿元、11.7亿元、17.86亿

半导体工艺与设备 2024-03-26 880浏览
尹志尧：中微公司绝大部分刻蚀设备零部件已实现国产化！

3月19日，国产半导体设备大厂中微公司董事长、总经理尹志尧在2023年度业绩说明会上表示，中微公司绝大部分刻蚀设备的零部件已实现国产化，而且在很短的时间内，将全面实现自主可控的基础。在当前相关半导体设备及零部件进口受限的国际形势下，相关进口零部件的替代已成为中微公司发展的重要议题。在去年半年报业绩说明会上，尹志尧就曾表示，自去年10月美国加强出口管制、旨在切断中国制造厂与美国先进工具的联系后，中国

芯通社 2024-03-20 1310浏览
国产半导体设备龙头，中微公司绝大部分刻蚀设备的零部件已实现国产化！2023年营收约62.64亿元！

3月18日晚间，中微公司发布2023年年度报告称，公司2023年营业收入约62.64亿元，较2022年增加约15.24亿元，同比增长约32.15%。其中，2023年刻蚀设备销售约47.03亿元，同比增长约49.43%；MOCVD设备销售约4.62亿元，同比下降约33.95%。公司从2012年到2023年超过十年的平均年营业收入增长率超过35%。公司2023年新增订单金额约83.6亿元，较2022年

飙叔科技洞察 2024-03-20 1306浏览
中微尹志尧：公司绝大部分刻蚀设备零部件已实现国产化

第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开。来自SEMI中国、华润微、广钢气体、默克化学、联仕新材料、华特气体、金宏气体、江阴润玛等企业的专家将发表相关主题的演讲为答谢行业客户，促进交流合作，现对集成电路/晶圆制造与第三代半导体生产企业开放免费参会名额（名额有限，报名后需审核）。免费名额不含第二天参观。3月19日，国产半导体设备大厂中微公司董事长、总经理尹志尧在2023年

半导体前沿 2024-03-20 1524浏览
北京大学研发基于超短脉冲激光的MEMS传感器振动特性刻蚀调控设备

近日，北京大学集成电路学院、微米纳米加工技术全国重点实验室，集成电路高精尖创新中心研究团队在《IEEE半导体制造技术》期刊（IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing）上发表的《Automatic Pico Laser Trimming System for Silicon MEMS Resonant Devices based on Imag

MEMS 2024-02-12 1152浏览
综述：InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究

在红外探测器的制造技术中，台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。而对于结构复杂的焦平面阵列来说，一个良好的刻蚀工艺不仅要求高的深宽比，还要达到高度各向异性和低损伤等目标，这给器件制造带来了巨大的挑战。刻蚀副产物在台面侧壁引入漏电流的表面通道，使得InAs/GaSb超晶格红外探测器的性能恶化，尤其是长波和甚长波的器件，由于具有更窄的带隙，受表面漏电流的影响更大。因此，探究刻蚀机理和优化刻蚀工艺就显得

MEMS 2024-01-06 1219浏览
中南/南大EES:选择性刻蚀高活性(002)Zn面可实现高效水系锌金属电池

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！锌金属水溶液电池（AZMB）具有安全性高、容量大、环保、价格低廉等优点，在未来全球电气化进程中具有广阔的应用前景。然而，锌（Zn）在水溶液电解质中的高反应活性会导致枝晶生长、水引发的副反应，进而导致锌的稳定性差、可逆性差，极大地限制了 AZMB 的实际应用。在此，中南大学常智，潘安强、南京大学周豪慎等人通过选择性蚀刻普通锌箔中的活性（002）锌面，可以有效地钝

锂电联盟会长 2023-12-21 884浏览
半导体前端工艺｜第四篇：刻蚀——有选择性地刻蚀材料，以创建所需图形

01光“堆叠”可不行在半导体前端工艺第三篇中，我们了解了如何制作“饼干模具”。本期，我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点，在于如何移除不需要的材料，即“刻蚀（Etching）工艺”。▲ 图1: 移除饼干中间部分，再倒入巧克力糖浆让我们再来回想一下上一篇内容中制作饼干的过程。如果想在“幸福之翼”造型饼干中加一层巧克力夹心，要怎么做呢？最简单的方法就是把饼干中间部

芯存社 2023-12-19 1589浏览
投资10亿！这一半导体刻蚀设备生产项目签约江西上饶

6月19日，基侑电子半导体刻蚀设备生产项目签约落户江西上饶广丰区。微讯广丰消息显示，该项目由昆山基侑电子科技有限公司投资，总投资10亿元，位于上饶高新区霞峰电子信息产业园，用地面积约30亩，主要生产晶圆刻蚀机、清洗机等设备。项目达产达标后，预计年产值可达15亿元。昆山基侑电子科技有限公司成立于2011年，是一家以生产半导体湿法蚀刻清洗相关设备的企业。天眼查显示，该公司经营范围包括电子产品、光电产业

半导体前沿 2023-06-21 1579浏览
【光电集成】半导体刻蚀企业深度报告

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----来源：智芯通申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴趣，对光电产业

今日光电 2023-06-14 852浏览
郑州大学许群教授团队GreenChem：超临界CO2辅助固相刻蚀策略制备MXenes纳米片用于高效电催化碱性析氢

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！MXenes自2011年首次报道以来，因具有较大的比表面积、良好的导电性、稳定性及表面可调化学多样性等优点在光电催化、能源转化等领域具有广阔的应用前景。目前，MXenes主要通过自上而下的方法制备，所采用的方法主要包括含氟溶液湿法刻蚀及熔盐刻蚀法等，这些刻蚀方法存在腐蚀性强、选择性差、产率低以及后续处理严苛等问题。因此，开发高效、无毒、绿色的化学方法对拓展MX

锂电联盟会长 2023-05-11 753浏览

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