开关应用 - 电子工程专辑

开关应用

为什么EliteSiCM3S技术是高速开关应用的更优选择？

点击蓝字关注我们作者：Fatih Cetindag，安森美汽车电源部应用工程师碳化硅 (SiC) 具有比硅 (Si) 更高的介电击穿场强、能带隙和热导率，电力电子设计人员可以利用这些特性来开发比硅基IGBT器件效率更高、功率密度更大的电源转换器。针对这些应用，为了最大限度地减少高频下的导通和开关损耗，需要使用低RDS(on)和低Qrr（体二极管反向恢复电荷）的器件。本文将介绍三相功率因数校正 (

安森美 2023-11-27 542浏览
新品|用于高速开关应用的1200VEasyDUAL™CoolSiC™MOSFET

新品用于高速开关应用的1200VEasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。产品型号：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ 1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ 1200V 低热阻FF17MR

英飞凌工业半导体 2023-06-09 586浏览
探究快速开关应用中SiCMOSFET体二极管的关断特性

温馨提示微信阅读周火热进行中！本期文章最后有答题环节，全部答对即有机会获得精美礼品！作者简介Paul Sochor, Andreas Huerner, Michael Hell, Rudolf Elpelt英飞凌科技股份公司，德国通讯作者：Paul Sochor，paul.sochor@infineon.com摘要”SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为

英飞凌工业半导体 2022-12-28 1530浏览
减轻开关应用中的瞬变和EMI噪声

设计电源是一件复杂的事情。如今，电能的来源多种多样，我们也越来越不能忽视对这些宝贵能源进行有效的管理。线路供电、太阳能供电、电池供电、以太网供电以及能量收集技术，都是我们可以利用的电能来源。受电负载不仅提出了必要的电压和电流标准，其所采用的半导体也变得越来越敏感，为此电源就要满足特定的规格，其要求不仅限于严格的纹波容限，还需要能够减轻大幅度迅速变化的负载条件导致的影响，同时又不在电源轨上引入瞬变并

贸泽电子设计圈 2020-09-22 803浏览

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FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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