开关特性 - 电子工程专辑

开关特性

SiCJFETCascode应用指南完整版：Cascode结构和开关特性

点击蓝字关注我们碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。然而，开关模式在应用中通常需要常关状态。因此，将SiC JFET与低电压硅MOSFET以 Cascode 配置结合

安森美 2025-04-01 109浏览
栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析

点击蓝字关注我们IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点

安森美 2024-03-11 874浏览
杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究

点击蓝字关注我们IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。

安森美 2024-03-07 1146浏览
干货|高边SmartFET应用接口及开关特性的介绍

点击蓝字关注我们本系列文章将介绍安森美(onsemi)高边SmartFET的结构和设计理念，可作为了解该器件在特定应用中如何工作的指南。范围仅限于具有模拟电流检测输出的SmartFET。本系列文章将分为四部分，之前我们介绍了应用详情、功率FET和保护以及功率元件中集成的保护特性。今天为第三部分，将为大家介绍应用接口和控制以及开关特性的一部分内容。原版文档获取点击文末的“赞”和“在看”，并发送截图

安森美 2023-12-11 920浏览
模拟开关矩阵工作电压与开关特性

上午测量了模拟开关矩阵 CH446Q 的导通电阻。在5V工作电压下，每个开关对应的电阻大约为 100 欧姆。下面测试给 VEE 施加负电压，查看该电压对于开关导通电阻的影响，以及是否允许模拟开关通过正负电压信号。▲ 图1.1 模拟开关矩阵CH446Q一、测量结果通过可编程直流电源给 CH446Q 的 VEE施加负电压，从 0V 到 -7V。测量每个电压下 X0,Y0之间的开关导通电阻。

TsinghuaJoking 2023-11-28 1642浏览
大功率晶闸管参数解析之开关特性

编者按功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。3.4载流子存储效应和开关特性当功率半导体的工作状态变化时，由于载流子存储效应，电流和电压的稳态

英飞凌工业半导体 2021-08-05 3776浏览
二极管的电容效应和等效电路与开关特性

一、二极管的电容效应二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。1、势垒电容CB（Cr）前面已经讲过，PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量

电源Fan 2021-05-12 3811浏览
SGT-MOS 与DMOS开关特性对比

(1)SGT-MOS与常规DMOS结构屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um屏蔽栅宽度：0.4um屏蔽栅纵向长度：3.4um#####################################################（2）SGT-MOS与常规DMOS开关特性对比2.1通态电流线及断态电场分布对比2.2开关时间对比(1)VG对比

半导体技术人 2021-05-05 1155浏览
SGT-MOS 与DMOS开关特性对比

(1)SGT-MOS与常规DMOS结构屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um 屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um 屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um 屏蔽栅宽度：0.4um 屏蔽栅纵向长度：3.4um ##################################################### （2）SGT-MOS与常规DMOS开关特性对比 2.1通态电流线及断态电场

半导体技术人 2021-05-05 4127浏览
SGT-MOS开关特性

(1)SGT-MOS结构屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um 屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um 屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um 屏蔽栅宽度：0.4um 屏蔽栅纵向长度：3.4um （2）SGTMOS开关特性 ###############################################################################

半导体技术人 2021-05-04 1974浏览
超结MOSFET开关特性2-理想二极管模型

1、器件结构 2、开关特性 ############################################### 工作原理: 寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间，其开关速度要受器件的寄生电容限制。槽栅MOS元胞结构中的寄生电容包括：

半导体技术人 2021-04-03 2059浏览
超结MOSFET开关特性1

1、器件结构 2、开关特性 ############################################### 工作原理: 寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间，其开关速度要受器件的寄生电容限制。槽栅MOS元胞结构中的寄生电容包括：栅极

半导体技术人 2021-04-02 1160浏览
超结MOSFET开关特性

1、器件结构 2、开关特性 ############################################### 工作原理: 寄生电容和开关时间：功率MOS具有极快的开关速度，器件导通或关断前需要对寄生电容进行充放电，而电容的充放电需要一定时间，其开关速度要受器件的寄生电容限制。槽栅MOS元胞结构中的寄生电容包括：栅极

半导体技术人 2021-04-01 2154浏览
仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

Infineon 前言背景：英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5

英飞凌工业半导体 2021-03-24 1566浏览
IGBT网课｜第七讲：应用中的开关特性

第七讲：应用中的开关特性课程简介本课程共11讲，50小节。本讲包含六个视频，将详细介绍驱动控制电压、最小开通时间、开关速度及死区时间等内容。讲师介绍韩金刚工学博士，上海海事大学副教授

英飞凌工业半导体 2021-03-19 1602浏览
IGBT双脉冲开关特性仿真1

IGBT双脉冲测试方法的意义： 1.对比不同的IGBT的参数；2.评估IGBT驱动板的功能和性能；3.获取IGBT在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon及Rgoff的数值是否合适。通常我们对某款IGBT的认识主要是通过阅读相应的datasheet，但实际上，数据手册中所描述的参数是基于一些已经给定的外部参数测试得来的，而实际应用中的外部参数都是个性化的，往往会有所不同，因此这些参数有些是不能

半导体技术人 2021-01-26 2631浏览
IGBT开关特性仿真—平面栅IGBT开关时间仿真电路1

红线表示VGE,绿线表示IC，蓝线表示VC L5=10nH(变化) L3=100nH（变化） ######################################### ########################################## 双极功率晶体管的主要缺点之一是在较高电压工作时其电流增益较低

半导体技术人 2021-01-25 1081浏览
干货｜二极管的电容效应、等效电路及开关特性

二极管的电容效应二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。1.势垒电容CB(Cr)PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容"

电子工程世界 2019-12-18 2278浏览
二极管的电容效应、等效电路及开关特性

一、二极管的电容效应二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。1.势垒电容CB(Cr)PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电

电源Fan 2019-11-15 3235浏览
干货 | 一文搞懂二极管的电容效应、等效电路及开关特性

一、二极管的电容效应二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。1.势垒电容CB(Cr)前面已经讲过，PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量

电子工程世界 2019-11-12 2136浏览
一分钟了解二极管的电容效应、等效电路及开关特性

来源：21ic电子网一、二极管的电容效应二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。1.势垒电容CB(Cr)前面已经讲过，PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，P

传感器技术 2019-10-25 2267浏览

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感谢分享，让我学到了很多理论知识

笨小孩cj 评论文章 2025-04-03

天天挂在嘴边的级联噪声系数公式，是怎么推导来的？
AES11

用户17433... 评论文章 2025-03-31

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