开关损耗 - 电子工程专辑

开关损耗

理解功率MOSFET的开关损耗

文章首尾冠名广告正式招商，功率器件：IGBT，MOS，SiC，GaN，磁性器件，电源芯片，DSP，MCU，新能源厂家都可合作，有意者加微信号1768359031详谈。说明：本文来源网络；文中观点仅供分享交流，不代表本公众号立场，转载请注明出处，如涉及版权等问题，请您告知，我们将及时处理。电力电子技术与新能源通讯录：重点如何下载《理解功率MOSFET的开关损耗》板块内高清PDF电子书点击文章底部阅读

电力电子技术与新能源 2024-11-25 67浏览
硅MOS技术突破：开关损耗比肩SiC，成本便宜60%

[关注“行家说功率半导体与新能源”，快速掌握产业最新动态]9月17日至18日，夏普公司举办了“ SHARP Tech-Day'24”活动，对外展示了“人工智能”、“新能源汽车”、“绿色能源”、“工业”、“通信”等领域的创新技术方案。夏普这次还展示了一项新型功率半导体技术——低功耗的硅基功率半导体FCR逆变电路技术，能够大幅降低空调等家电产品以及数据中心服务器电源的功耗。据“行家说”了解，夏普的FC

行家说汽车半导体 2024-09-19 874浏览
你肯定没有算过！MOSFET开关损耗！

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 106513758高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2024-02-02 965浏览
你肯定没有算过！MOSFET开关损耗！

点击上方蓝字关注我们电源设计工程师在选用 Power MOSFET 设计电源时，大多直接以 Power MOSFET 的最大耐压、最大导通电流能力及导通电阻等三项参数做出初步决定。但实际上，MOSFET/IGBT 的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，开关损耗测试对于器件评估非常关键，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上。电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统

智芯Player 2024-01-20 3501浏览
SiC仿真攻略手册——热仿真行为与对开关损耗影响的评估

点击蓝字关注我们过去，仿真的基础是行为和具有基本结构的模型，它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是，当涉及到功率器件时，这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。现在，通过引入物理和可扩展建模技术，安森美(onsemi)使仿真精度进一步提升到更高的水平，此前我们为大家介绍了物理和可扩展仿真模型功能的相关内容，本文将继续为大家介绍使用 Cauer 网络仿真热行为以及评估

安森美 2023-12-28 689浏览
电力电子变换器主要研究内容—开关损耗、软开关、吸收

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 106513758高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2023-12-06 776浏览
终于讲透了，开关电源MOS开关损耗推导过程！

电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所有有部分人对于它计算还有些迷茫。我们今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。我们知道这个损耗是由于开通或者关断的那一个极短的时刻有电压和电流的交叉而引起的交越损耗，所以我们先得把交越波

电源研发精英圈 2023-10-13 924浏览
尽可能地降低SiCFET的电磁干扰和开关损耗

您如何在提高开关速度和增加设计复杂度之间寻求平衡？本博客文章将讨论此类权衡考量，并提供了一种更高效的方法，有助于您克服设计挑战并充分发挥 SiC 器件潜力。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qor

Qorvo半导体 2023-05-29 1288浏览
终于讲透了，开关电源MOS开关损耗推导过程！

电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所有有部分人对于它计算还有些迷茫。我们今天以反激CCM模式的开通损耗和关断损耗来把公式推导一番，希望能够给各位有所启发。我们知道这个损耗是由于开通或者关断的那一个极短的时刻有电压和电流的交叉而引起的交越损耗，所以我们先得把交越波

电源研发精英圈 2022-03-04 2165浏览
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市，现已投入生产

随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加，以满足更低的碳排放目标，基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步完善其丰富的碳化硅MOSFET分立和模块产品组合，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严

Microchip微芯 2021-09-22 1422浏览
MOS管怎么用？从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型入手

要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用中，N沟道MOS管占绝大多数，所以下面以N沟道MOS管为例进行讲解（如图1中Q3，栅极-G；漏极-D

面包板社区 2021-07-16 2626浏览
【电源管理】SiC FET如何做到最大限度地降低电磁干扰和开关损耗？

在这个宽禁带半导体开关的新时代，器件的类型选择包括SiC MOSFET和GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），它们都有自己特性并都声称拥有最佳的性能。但是，这两种都还不是理想的开关，这两种类型的器件都在某些方面有局限性，特别是在栅极驱动要求方面和“第三象限”操作方面。SiC FET提供了另一种选择但我们还有另一种选择。UnitedSiC FET是SiC JFET和低压Si MOSFET的

电子芯期天 2021-06-08 1730浏览
终于讲透了，开关电源MOS开关损耗推导过程！

电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，开关mos的的损耗我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所有有部分人对于它计算还有些迷茫。

电源研发精英圈 2021-02-21 2885浏览

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请问在LTspice中，怎么仿真电源和器件整个的噪声，就举例来说，一个未经稳压的电源，经过电阻和稳压管稳压后得到的一路稳压电源；和另一路用低通滤波器得到的稳压电源，两者如何比较？主要的问题是未经稳压滤波的电源信号怎么找？实际的稳压管怎么得到其参数看他的噪声，最后得到不同的稳压结果？

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