开关速度 - 电子工程专辑

开关速度

提高三极管的开关速度的几种方法？

一、前言：三极管是我们最常用的电子元器件，提起三极管大家总能说出很多设计背后的故事，那么本文介绍其中一小片段，关于三极管快速开关的实现方法及其仿真实现。其实这部分内容网上有很多介绍了，因为博主最近有用到这部分电路，因此做了一些简单的整理。二、实现方式：其实现方式主要有以下几种：1、使用加速电容实现；2、使用肖特基二极管钳位实现。1、使用加速电容实现何为加速电容？如下图 1 给基极限流电阻R9并联小

硬件工程师炼成之路 2021-11-01 4301浏览
Littelfuse能提供更高开关速度和更高效率的全新1700V碳化硅肖特基势垒二极管

LittelfuseLSIC2SD170Bxx新品推出碳化硅（SiC）二极管产品组合Littelfuse又有新品推出！本次介绍给大家的是碳化硅（SiC）二极管产品组合的最新成员：新增的1700V级产品。新产品具有极快的开关速度和极低损耗，非常适合数据中心、楼宇自动化和其他高功率电子应用。请先观看视频，先睹为快！关键技术参数和优势本次推出的LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极

力特奥维斯Littelfuse 2021-08-31 1659浏览
PI 推出具有极低Qrr、适用于高效高开关速度设计的汽车级Qspeed硅二极管

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）日前宣布推出600V 12A的Qspeed二极管，在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷（Qrr）特性。在25°C时，Qrr仅为14nC，该二极管可提高车载充电器PFC级的效率，可显著降低PFC MOSFET的温升。通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有与碳化硅（SiC）器

PI电源芯片 2021-06-23 1512浏览
IGBT双脉冲测试仿真—二极管开关速度的影响

################################################### 二极管开关速度对双脉冲测试条件下IGBT开关特性的影响测试电路： ################################################## IGBT开通和关断过程描述：图1&nb

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21ic电子网 2021-01-04 1138浏览
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同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同时，也要降低相应的寄生电容值，以降低开关损耗。开关电源系统高频高效的设计要求，也促使功率MOSFET

松哥电源 2021-01-01 827浏览
同步BUCK降压变换器上管开关速度的优化方法

同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同时，也要降低相应的寄生电容值，以降低开关损耗。开关电源系统高频高效的设计要求，也促使功率MO

松哥电源 2021-01-01 2186浏览

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