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开关速度
提高三极管的开关速度的几种方法?
一、前言:三极管是我们最常用的电子元器件,提起三极管大家总能说出很多设计背后的故事,那么本文介绍其中一小片段,关于三极管快速开关的实现方法及其仿真实现。其实这部分内容网上有很多介绍了,因为博主最近有用到这部分电路,因此做了一些简单的整理。二、实现方式:其实现方式主要有以下几种:1、使用加速电容实现;2、使用肖特基二极管钳位实现。1、使用加速电容实现何为加速电容?如下图 1 给基极限流电阻R9并联小
硬件工程师炼成之路
2021-11-01
4415浏览
Littelfuse能提供更高开关速度和更高效率的全新1700V碳化硅肖特基势垒二极管
LittelfuseLSIC2SD170Bxx新品推出碳化硅(SiC)二极管产品组合Littelfuse又有新品推出!本次介绍给大家的是碳化硅(SiC)二极管产品组合的最新成员:新增的1700V级产品。新产品具有极快的开关速度和极低损耗,非常适合数据中心、楼宇自动化和其他高功率电子应用。请先观看视频,先睹为快!关键技术参数和优势 本次推出的LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极
力特奥维斯Littelfuse
2021-08-31
1662浏览
PI 推出具有极低Qrr、适用于高效高开关速度设计的汽车级Qspeed硅二极管
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)日前宣布推出600V 12A的Qspeed二极管,在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时,Qrr仅为14nC,该二极管可提高车载充电器PFC级的效率,可显著降低PFC MOSFET的温升。通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有与碳化硅(SiC)器
PI电源芯片
2021-06-23
1524浏览
IGBT双脉冲测试仿真—二极管开关速度的影响
################################################### 二极管开关速度对双脉冲测试条件下IGBT开关特性的影响 测试电路: ################################################## IGBT开通和关断过程描述: 图1&nb
半导体技术人
2021-03-11
1957浏览
同步BUCK降压变换器上管开关速度的优化方法
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构,其工作频率由早期的低于100KHz,提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz,甚至更高,工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低,但是,缺点就是开关损耗会增加。 功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同时,也要降低相应的寄生电容值,以降低开关损耗。开关电源系统高频高效的设计要求,也促
21ic电子网
2021-01-04
1225浏览
同步BUCK降压变换器上管开关速度的优化方法
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构,其工作频率由早期的低于100KHz,提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz,甚至更高,工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低,但是,缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同时,也要降低相应的寄生电容值,以降低开关损耗。开关电源系统高频高效的设计要求,也促使功率MOSFET
松哥电源
2021-01-01
843浏览
同步BUCK降压变换器上管开关速度的优化方法
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构,其工作频率由早期的低于100KHz,提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz,甚至更高,工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低,但是,缺点就是开关损耗会增加。 功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同时,也要降低相应的寄生电容值,以降低开关损耗。开关电源系统高频高效的设计要求,也促使功率MO
松哥电源
2021-01-01
2216浏览
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我也多次遇到这类绝对防水防潮的家用电器,没得修!多见于厨房、洗浴等环境。 出于安全这倒是个办法,可系统各环节可靠性寿命的一致性也是出于安全的必要啊!矛盾在于制造成本的投入和消费购买的接受。这是个看似有解,其实无解的问题。说白了,环保是个伪命题。
自做自受
评论文章
2025-01-21
拆解洗衣机控制板,我差点以为我能修好这台洗衣机按键不良问题
Labview串口
具备IVIV
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2025-01-21
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