晶圆清洗 - 电子工程专辑

晶圆清洗

【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法

作者来自日本狮王特种化学品公司（Lion Specialty Chemicals Co., Ltd.）引言碳化硅有望成为下一代功率器件的优秀材料，因为它们具有宽禁带。RCA清洗通常用于Si晶圆制造，但这类清洗针对Si晶圆进行了优化。目前尚不清楚RCA清洁是否适用于SiC晶圆，因为SiC的表面与Si表面不同。我们用X射线光电子能谱（XPS）测量了RCA清洗后的SiC表面，结果表明氟与SiC中的碳进行

半导体工艺与设备 2023-09-25 1661浏览
中芯国际“晶圆清洗方法”专利获授权!

近日，据国家知识产权局官网消息，中芯国际专利名称为“晶圆的清洗方法”的法律状态为已获授权，公开号为CN111584340B。图片来源：国家知识产权局官网截图中芯国际专利指出，目前在半导体器件的制造工艺中，经常会在具有叠层结构的半导体器件表面上形成凸凹不平的结构，通常使用化学机械研磨(CMP)工艺平整凸凹不平的表面。化学机械研磨亦称为化学机械抛光，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。化

半导体工艺与设备 2023-08-28 902浏览
晶圆清洗

1前言半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工

芯片工艺技术 2022-04-17 1952浏览

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xxdg 评论文章 2025-01-05

强大的JTAG边界扫描2-BSDL文件
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小瑞不熬夜评论文章 2024-12-27

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