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晶圆工艺
薄晶圆工艺兴起
(本文编译自Semiconductor Engineering)从平面SoC向3D-IC和先进封装的转变,需要更薄的晶圆,以提高性能、降低功耗,缩短信号传输所需的距离以及驱动信号所需的能量。对超薄晶圆有需求的市场正在不断扩大。一个由12个DRAM芯片和一个基础逻辑芯片组成的HBM模块的总厚度,仍小于一片原生硅晶圆的厚度。在为人工智能应用组装扇出型晶圆级封装以及先进的2.5D和3D封装方面,薄晶圆也
TechSugar
2025-03-27
70浏览
实现芯片堆叠封装需要哪些晶圆工艺?
利用晶圆与晶圆之间的直接短键合垂直堆叠芯片,可将信号延迟降低到可忽略不计的水平,从而实现更小、更薄的封装,加快内存/处理器速度,降低功耗。 实现晶圆堆叠和晶粒到晶圆混合键合的竞赛正在进行,现在人们认为这对于堆叠逻辑和存储器、3D NAND 以及可能的 HBM 中的多层 DRAM 堆叠至关重要。垂直堆叠允许芯片制造商将互连间距从铜微凸块的 35 微米提升到 10 微米及以下。 但是,垂直堆叠需要
半导体产业杂谈
2024-09-27
1311浏览
重磅消息!中芯宁波自主体声波滤波器晶圆工艺实现量产!
EETOP专注芯片、微电子,点击上方蓝字关注我们EETOP刚刚从业内消息人士获悉,中芯集成电路(宁波)有限公司的自主体声波谐振器工艺技术平台SASFR® ,已支持多家设计公司实现射频前端中高频体声波滤波器(BAW)量产,客户产品性能已达到国内最优、业界先进水平,可开始向高端手机供货,在中国大陆独树一帜,也在长期被国外厂商垄断的中高端体声波滤波器领域,实现了具有全自主知识产权的核心技术和规模制造突围
EETOP
2021-11-13
2189浏览
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