晶体生长 - 电子工程专辑

晶体生长

多孔石墨对Sic晶体生长的影响

SiC 的巨大优势带来了巨大的市场潜力，据 Yole预测，2027 年 SiC 功率器件市场将超过 60亿美元。该领域对我国经济和国防军工发展都具有重要意义，国家高度重视并大力支持 SiC产业链发展，国内企业也针对该行业加大投资和布局力度。然而 SiC晶体生长难度大、研发周期长、研发成本高，如何降低研发成本、加快研发进度、提高晶体质量成为行业发展的难题。目前国内外 6英寸(1 英寸 =2.5

半导体工艺与设备 2024-08-08 529浏览
这家厂商研发出液相法碳化硅晶体生长设备

目前， PVT生长工艺是国内厂商生长SiC晶体的主流方法，液相法生长技术则处于研究和开发阶段。关于液相法SiC晶体生长设备，晶升股份提前开展了相关布局并已经在2023年提供样机给多家客户，随后晶升股份协同客户不断进行优化和改进，进一步提升晶体的品质与良率。近日，晶升股份液相法SiC晶体生长设备研究取得新进展，已成功研发出液相法SiC晶体生长设备并提供给了多家客户，将会继续配合客户不断进行设备的优化

化合物半导体市场 2024-05-14 548浏览
华为申请碳化硅晶体生长专利

天眼查资料显示，4月5日，华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利，申请公布号为CN117822097A，申请日期为2022年9月28日。来源：国家知识产权局该专利摘要显示，本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法，涉及碳化硅晶体技术领域，有效改善晶体质量。具体方案为：于晶体生长炉内设置挡板，该挡板的通道可改变炉体内气相源的运动方向，将

半导体前沿 2024-04-11 1037浏览
加码碳化硅！华为申请晶体生长专利

天眼查资料显示，4月5日，华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利，申请公布号为CN117822097A，申请日期为2022年9月28日。source：国家知识产权局该专利摘要显示，本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法，涉及碳化硅晶体技术领域，有效改善晶体质量。具体方案为：于晶体生长炉内设置挡板，该挡板的通道可改变炉体内气相源的运动

化合物半导体市场 2024-04-10 645浏览
浙江大学杨德仁院士将出席第二届第三代半导体晶体生长技术研讨会并致辞

中国科学院院士，浙江大学材料科学与工程学院博士生导师，半导体材料研究所所长，硅材料国家重点实验室（浙江大学）学术委员会主任，浙大宁波理工学院院长杨德仁教授将出席第二届第三代半导体晶体生长技术研讨会并致辞。中国科学院院士浙江大学杨德仁教授杨德仁，江苏扬州人。半导体材料学家。中国科学院院士，浙江大学材料科学与工程学院教授、博士生导师，半导体材料研究所所长，硅材料国家重点实验室（浙江大学）学术委员会主任

DT半导体材料 2024-03-14 791浏览
【科普】芯片制造工艺：晶体生长、成形

本文讲述半导体单晶生长和成形所需的常用技术。内容框架：晶体生长基本流程单晶硅的生长更高纯度的单晶硅的生长晶圆成形：切割、研磨、抛光晶体缺陷1.晶体生长基本流程下图为从原材料到抛光晶圆的基本工艺流程：2.单晶硅的生长从液态的熔融硅中生长单晶硅的及基本技术称为直拉法（Czochralski）。半导体工业中超过90%的单晶硅都是采用这种方法制备的。在晶体生长过程中，多晶硅被放

滤波器 2024-03-11 1725浏览
2024年1月16日-19日在三亚市举办的“2024中国晶体生长与材料技术应用交流会

半导体工艺与设备 2023-11-28 952浏览
2024中国晶体生长与材料技术应用交流会

半导体工艺与设备 2023-11-23 650浏览
投资1亿元！晶升股份拟在南京投建半导体晶体生长设备生产及实验项目

来源：南京晶升装备公告5月15日晚间，南京晶升装备股份有限公司公告，公司拟与南京浦口经济开发区管委会签署《项目投资协议》及其他相关补充协议，拟设立全资子公司南京晶采半导体科技有限公司，在浦口经济开发区投资南京晶升浦口半导体晶体生长设备生产及实验项目，预计项目投资总额为1亿元。公司拟与南京浦口经济开发区管理委员会签署《项目投资协议》及其他相关补充协议（以下合称“投资协议”或“本协议”），拟设立全资子

CINNOResearch 2023-05-16 1212浏览
全球首发!新一代SiC晶体生长用材料

随着导电型SiC衬底的逐渐量产，对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制，炉内热场微小的调整或漂移，都会带来晶体的变化或缺陷的增加。后期，更要面临“长快、长厚、长大”的挑战，除了理论和工程的提高外，还需要更先进的热场材料作为支撑。使用先进材料，长先进晶体。热场中坩埚的材料，石墨、多孔石墨、碳化钽粉等使用不当，会带来碳包裹物增多等缺陷。另外在有些应用场合，多孔石墨的透气率不够，需要

半导体前沿 2023-04-29 696浏览
碳化硅8英寸时代，国产SiC电阻晶体生长炉量产！

半导体照明网获悉：2022年6月，恒普科技推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉，本次量产推出的炉型是基于恒普上一代6、8英寸电阻炉的全新版本，积极对应市场对SiC电阻晶体生长炉的行业需求。面临的挑战　　国内SiC晶体生长炉几乎都是采用感应发热的方式，感应发热晶体生长炉设备投资低，结构简单，维护便利，热效率高等优点，广泛被行业使用。但也有些技术难点制约其性能进一步提高，主要难点：由于趋肤效应，均

半导体工艺与设备 2022-07-11 1977浏览
晶体生长及晶圆制备

上篇我们从玻尔原子模型聊到了本征和掺杂半导体以及电子和空穴的概念，目前，高密度和大尺寸芯片需要大直径的晶圆，同时更大直径晶圆能够不断降低芯片成本，更大直径的晶圆对于整个整备过程和晶体结构、电性能一致性等提出了更高的要求。今天我们来聊聊从自然界的沙石到变成半导体级别的硅，再转变为晶体和晶圆。

功率半导体那些事儿 2020-11-23 2285浏览

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确实是非常有价值的工具，京东买一个电源适配器用这玩意儿测电压然后发现电压不足有质量问题，然后赔钱给我，多买几个可以发财了哈。

james1982... 评论文章 2024-12-03

万用表使用大全（20条测量方法，建议收藏！）
zanzanzan

洪正安评论文章 2024-11-29

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