晶体管技术 - 电子工程专辑

晶体管技术

晶体管技术大革新：GaN新技术可使散热能力提高2倍以上！

据报道，大阪公立大学（Osaka Metropolitan University）研究小组利用地球上导热性最高的天然材料——金刚石为衬底，制作出了氮化镓（GaN）晶体管，其散热能力比传统晶体管提高了2倍以上。据悉，该晶体管不仅可以用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信等领域，还可以用于微波加热、等离子体处理等领域。最新研究成果已于近期发表在了“Small”杂志上。随着半导体器件的日益小型化，出现了诸

化合物半导体市场 2024-01-03 562浏览
延续摩尔定律的CFET技术源自北京大学20年前提出的堆叠互补晶体管技术

延续摩尔定律的三维堆叠晶体管概念，其背后有北京大学的原创贡献。早在2000年前后北京大学就已经提出了三维堆叠互补晶体管(3D Stacked CMOS)的概念，并在2004年研发完成堆叠互补晶体管的雏形，发表了论文和申请了专利，只是概念太过超前，没有引起太多关注。当下摩尔定律放缓，堆叠晶体管概念重获关注，imec于2018年提出了堆叠互补晶体管的微缩版CFET，英特尔（Intel）和台积电（TSM

芯思想 2023-11-23 3630浏览
美国宣布断供GAAFET晶体管技术的相关软件

8月13日消息，美国商务部周五发布最终规定，对设计GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路所必须的EDA软件；金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料；燃气涡轮发动机使用的压力增益燃烧(PGC)等四项技术实施新的出口管制！相关禁令生效日期为2022年8月15日！ EDA是芯片IC设计中不可或缺的重要部分，是一种广泛使用的技术的高级形式，属于芯片制造

滤波器 2022-08-14 2270浏览
取代GAA的下一代晶体管技术--CasFET（级联场效应晶体管）

欢迎关注创芯人才网搜索职位及简历普渡大学的研究人员在尝试设计下一代晶体管方面达到了一个里程碑，这可以延长硅基半导体的寿命。这种名为CasFET（级联场效应晶体管）的新设计是在晶体管微型化道路上迈出的又一步，可以实现更低的开关电压、更低的功耗和更密集的设计。普渡大学电气与计算机工程系 Katherine Ngai Pesic 和 Silvaco 研究助理教授蒂尔曼·库比斯 (Tillman Kubi

EETOP 2021-09-22 1895浏览
半导体 | 三星3nm制程工艺已成功流片！采用全环绕栅极晶体管技术

来源：TechWeb6月30日消息，据国外媒体报道，在2015年为苹果代工的A9芯片在iPhone 6s上的续航能力不及台积电所生产芯片一事出现之后，三星就再也未能获得苹果A系列处理器的代工订单，苹果的订单也就全部交给了台积电，三星随后在芯片制程工艺和良品率方面，也始终不及台积电，在芯片代工商市场的份额也远不及台积电。但在芯片制程工艺及代工市场连续多年落后台积电的三星，并不甘于落后，在

CINNOResearch 2021-06-30 1563浏览
首发GAA晶体管技术三星3nm工艺成功流片

全球目前量产的最先进工艺是5nm，台积电明年就要量产3nm工艺，不过3nm节点他们依然选择FinFET晶体管技术，三星则选择了GAA技术，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，迈出了关键一步。在3nm节点，三星比较激进，直接选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著

硬件世界 2021-06-29 1061浏览

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