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北大刘开辉首创“颠覆传统晶体制造方法”
华为、蔚来、东风汽车、爱国者、慕德微纳、元素六、沃尔德、普莱斯曼、宁波晶钻、左文科技、天科合达、英诺激光、特思迪、科猛碳极、英谷激光、长沙埃福思、杭州银湖激光......等企业都将参与2025(第五届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛(4月10-12日 浙江宁波),共同探索AI驱动下,金刚石半导体、“金刚石+”SiC/GaN/碳纳米管、石墨烯半导体的最新突破和低成本应用,欢迎扫码报名:欢迎报名交流
DT半导体材料
2025-04-01
75浏览
烁科晶体:12英寸碳化硅衬底,开拓AR眼镜新边界
插播:5月15日,“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”活动将在上海举办,演讲或摊位咨询请联系许若冰(hangjiashuo999)。SEMICON China 2025将于3月26-28日在上海浦东新国际博览中心盛大启幕。作为全球半导体行业最具影响力的展会之一,本届展会吸引了来自全球的1400多家参展商,展会覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料等全产业链最新产品和技术。烁科晶体将携
第三代半导体风向
2025-03-25
264浏览
恒元光电12英寸光学级铌酸锂晶体入选山东省十大科技创新成果
2024年度山东省十大科技成果创新发布活动于1月15日在山东广播电视台800平米演播大厅成功举行。山东省副省长宋军继,省科技厅厅长孙海生,省创新发展研究院院长刘峰出席活动并为成果代表颁发证书和纪念牌。2024年度山东省十大科技创新成果榜单是在省创新发展研究院组织下,由省内外70位院士专家从省重大科技创新成果库中严格筛选、投票产生。这些“山东好成果”涵盖了基础研究、新一代信息技术、高端装备、现代海洋
MEMS
2025-01-23
307浏览
复旦晁栋梁团队2025开篇Angew:水引发的可逆晶体学改变!
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!研究背景碲(Te)基水系电化学因其多价态转换及高容量特性,成为开发高能量密度水系电池的一条颇具潜力的途径。然而,由于氧化还原动力学迟缓、Te⁴⁺物种易溶解以及储能机制存在争议,在水系环境中实现充分且稳定的高价态Te⁰/Te⁴⁺电化学过程颇具挑战性。现有的研究中,尽管从电极材料和电解液等多个角度进行了优化,但难以解决Te4+还原难的问题,使得碲的利用率(TRU)
锂电联盟会长
2025-01-20
375浏览
博士伦enVistaAspire人工晶体欧盟上市,开启视觉新纪元
据麦姆斯咨询报道,博士伦(BLCO.US)宣布其最新的enVista Aspire单焦点和复曲面人工晶体(IOLs)已在欧盟正式上市。这一产品在去年年底获得了CE认证,标志着其在欧洲市场的合法销售。这款人工晶体通过结合新型中间优化光学器件与enVista平台的成熟优势,致力于满足现代数字世界下的视觉需求,提升用户的整体视觉体验。enVista Aspire的推出,代表着人工晶体技术的一次重大进步。
MEMS
2025-01-18
438浏览
芯报丨烁科晶体全球首发12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底
·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0107期❶烁科晶体全球首发12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底据山西综改示范区1月3日消息,山西转型综改示范区入区企业山西烁科晶体有限公司于近日成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,属全球首发。同期,还研制成功12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。据悉,烁科晶体核心团队自2009年就致力于碳化硅材料研发,涵盖碳化硅生长设备
AI芯天下
2025-01-07
196浏览
这个晶体不太冷
一、前言 刚才在一台古老频率计内部单片机电路中,看到了一个背靠大功率三极管的晶体电路。这个压在晶体上面的大功率三极管应该是给晶体进行加热,完成恒温控制。但是,按照现在的姿态,这个NPN三极管所组成的电路实在是太奇怪了。电路实际上处在反向偏置,根本无法导通加热。根据实际电路抄写下来的电路原理图,电源电压通过R1以及温敏电阻分压,给三极管的发射极进行偏置,这样就造成三极管反偏。如果将三极管的基极和发
TsinghuaJoking
2025-01-05
94浏览
晶体恒温控制
一、前言 刚才拆开了这台频率计,它的核心精度需要由单片机的晶振的稳定性来决定。通过观察,单片机的晶体外边居然压着一个大功率三极管,下面对它的具体电路分析一下。二、结构细节 在单片机的下面,有一个背靠着一颗大功率三极管的晶体。可以看到,大功率三极管的散热片,紧紧压在晶体的表面,还使用螺丝钉进行了固定。三极管的型号为 TIP41A,这是一个NPN型大功率三极管。耐压80V, 最大导通电流为 10A
TsinghuaJoking
2025-01-05
121浏览
基于超薄二维分子晶体的线偏振光敏感神经形态视觉系统
近日,季华实验室光电功能材料与器件研究组张钰副研究员联合天津大学胡文平、杨方旭教授团队首次开发了基于超薄二维分子晶体的线偏振光敏感神经形态视觉系统,在单个器件中实现了偏振敏感性、光探测和突触行为等多种功能的高效集成。相关成果以“All-in-One 2D Molecular Crystal Optoelectronic Synapse for Polarization-Sensitive Neur
MEMS
2025-01-05
1058浏览
烁科晶体成功突破12英寸SiC!
近日,国内又有一家企业实现12英寸碳化硅衬底突破!据中国电子材料行业协会透露,12月26日,烁科晶体成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期研制成功12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底,前者属于全球首发。据悉,烁科晶体先后攻克了大尺寸扩径工艺、高纯半绝缘碳化硅衬底关键工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺,其全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的成功研制,将加速碳化硅材料在VR
第三代半导体风向
2024-12-31
1488浏览
【今日快讯】飞锐特获北极光创投千万级天使轮融资,突破光模块关键晶体材料国外垄断
今日光电 有人说,20世纪是电的世纪,21世纪是光的世纪;知光解电,再小的个体都可以被赋能。追光逐电,光赢未来...欢迎来到今日光电!----追光逐电 光赢未来----法拉第旋转片晶圆来源:北极光创投申明:感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明,若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍 为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作,投稿发文。欢迎联系我们诚招
今日光电
2024-12-24
64浏览
烁科晶体:碳化硅单晶衬底材料市场前景与技术发展简析
12月11-12日,行家说三代半年会『2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼』即将在深圳召开,烁科晶体已正式确认出席本次大会。届时,烁科晶体总经理助理马康夫将出席,并带来《碳化硅单晶衬底材料市场前景与技术发展简析》的主题报告。据悉,烁科晶体在2021年率先研制出8英寸碳化硅晶体,解决大尺寸单晶制备的重要难题,并于2022年实现8英寸N型碳化硅抛光片小批量生产,向8英寸国产N型碳化硅抛光
第三代半导体风向
2024-12-09
570浏览
结合SiPM阵列与闪烁晶体的光子计数X射线探测器,用于计算机断层扫描
X射线光子计数计算机断层扫描(PCCT)因其低剂量给药、高质量成像和材料分解特性而备受关注。目前商用的PCCT系统采用化合物半导体光子计数X射线探测器,可提供良好的能量分辨率。然而,材料的选择是有限的,大多使用碲化镉或碲锌镉。虽然间接辐射探测器可作为化合物半导体探测器的替代品,但在这种探测器中实现细间距分割是具有挑战性的。据麦姆斯咨询报道,近日,日本东京大学(The University of T
MEMS
2024-12-03
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展商推荐|晶体院邀您参加第八届国际碳材料大会,展位号W1108
展商推荐 第八届国际碳材料产业展览会中材人工晶体研究院(山东)有限公司展位号:W1108中材人工晶体研究院(山东)有限公司 成立于2020年6月,是中材人工晶体研究院(国内第一所专业从事人工晶体研究开发的国家级研究院所)的全资子公司,隶属于中国建材集团有限公司。公司按照“一院一基地”发展战略,一是承接、放大北京晶体院现有产业,打造产业基地,重点发展红外、金刚石等业务;二是促进科技成果转化及相
DT半导体材料
2024-10-22
349浏览
台湾应用晶体:8英寸碳化硅最快年底送样
9月5日,据台媒报道,台湾大立光电集团控股子公司台湾应用晶体(下文简称“应用晶体”)生产碳化硅(SiC),公司旗下6英寸碳化硅预计10月送样,8英寸产品最快年底送样。source:拍信网资料显示,台湾应用晶体成立于2012年3月,实收资本额为3亿元新台币(折合人民币约6600万元)。企业前期主做晶体设备,后逐步发展材料开发碳化硅,2022年底正式转型材料开发厂。2023年7月,应用晶体与台湾中山大
化合物半导体市场
2024-10-14
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神奇的555晶体锁频震荡电路
一、前言 今天看到一个有趣的晶体振荡器,是由555多谐振荡器改造而成。下面测试一下这个方案是否可行。二、电路搭建 按照原文给出的电路图,绘制测试电路的原理图。利用单面PCB制作测试电路。一分钟之后得到测试电路。下面对该电路进行调整。使用了一个可调电容改变电路的初始震荡频率。选择的陶瓷谐振器的频率为 455kHz。这个电路有一个固定的稳态。需要靠上电过程激励晶体产生一个震荡,电路才能够起震。
TsinghuaJoking
2024-10-06
472浏览
基于声子晶体的微恒温箱控制MEMS谐振器,提高Q值并保持频率稳定性
MEMS谐振器具有体积小、可靠性高、与半导体制造工艺兼容等独特优势,可以作为参考频率替代石英谐振器。虽然具有许多优点,但硅基MEMS谐振器的频率温度系数(TCF)相当大,通常约为-30 ppm/°C。如此大的TCF值使这些MEMS谐振器在没有有效温度补偿的情况下不适合精密时钟应用。目前已开发出多种技术来解决由温度引起的频率偏移问题。其中,微恒温箱控制温度补偿方案是一种实现ppb级频率稳定特别有效的
MEMS
2024-09-30
698浏览
‘5D’晶体存储可保存人类基因组几十亿年!
上周六,由英国南安普顿大学的彼得·卡赞斯基(Peter Kazansky)领导的研究团队宣布,他们在Helixworks Technologies的帮助下,成功地将完整的人类基因组激光刻录到了一个“5D”存储晶体上。这一成果是自1996年以来对透明存储介质激光刻录技术数十年研究的结晶,最终带来了“5D”存储晶体,能够在一个5英寸(12.7厘米)见方的晶体上记录多达360TB的数据,并且由于这种材料
EETOP
2024-09-23
1046浏览
用于光学全息和衍射的准晶体超构表面
准晶体超构表面(Quasicrystal metasurfaces)是一种二维人工光学材料,其亚波长超构原子以准周期平铺方式排列,由于其新颖的光学特性而受到广泛关注。据麦姆斯咨询报道,在最近的一项研究工作中,通过实验证明了一种双功能准晶体超构表面,可用于同时生成衍射图案和全息图像。所提出的方法扩展了多功能准晶体超构表面的操控维度,有望在显微镜、光学信息处理、光学加密等方面发挥重要应用。全息术(Ho
MEMS
2024-09-19
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通过原位显微探针揭示固态电池复合正极中晶体取向相关的界面特性
点击左上角“锂电联盟会长”,即可关注!摘要全固态电池的一个关键瓶颈在于固体(电极)-固体(电解质)界面如何在重复循环中制造和维护。传统的复合正极,具有晶体学上不同的随机粒子电极/电解质界面,产生了不同(电)化学兼容性的复杂性。为了解决这个问题,我们采用了一个外延模型系统,其中正极和固体电解质的晶体取向被精确控制,并通过原位电子显微镜实时探测共烧结过程中的界面。界面反应高度依赖于晶体取向/排列,特别
锂电联盟会长
2024-09-16
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晶体谐振曲线
一、前言 昨天使用 ADALM2000 测试了超声波发射与接收换能器的谐振频率。下面使用这个电路,测试一下在单片机电路中常常使用到的晶体谐振特性。测试的电路在面包板上搭建,在测试的 12MHz 的晶体前面串联一个 1k 欧姆的电阻,测量串联后分压信号的幅度和相位随着频率变化对应的变化情况。说实在的,在测量前,我还不知道这种测量方法是否能够奏效。二、测量结果 测量结果还是令人感到兴奋的。上面是幅
TsinghuaJoking
2024-08-16
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【光电集成】碳化硅晶体的生长原理
今日光电 有人说,20世纪是电的世纪,21世纪是光的世纪;知光解电,再小的个体都可以被赋能。追光逐电,光赢未来...欢迎来到今日光电!----追光逐电 光赢未来----集成电路高可靠封装技术走近碳化硅 | 碳化硅晶体的生长原理在自然界中,晶体不胜枚举,其分布及应用都十分广泛。例如日常生活中随处可见的盐、糖、钻石、雪花都是晶体;此外,半导体晶体、激光晶体、闪烁晶体、超硬晶体等晶体材料在工
今日光电
2024-08-05
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可降低成本,日本团队采用新技术制备氧化镓晶体
作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓具备大禁带宽度(4.8eV)、高临界击穿场强(8MV/cm)和良好的导通特性,与碳化硅和氮化镓相比,氧化镓在大功率和高频率应用中具有优势,且导通电阻更低,损耗更小。目前,中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中,厦门大学的研究团队在氧化镓外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得了重要进展,利用分子束
化合物半导体市场
2024-08-01
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从“盖房子”到“顶竹笋”:我国科学家首创晶体制备新方法
来源:新华社晶体是计算机、通讯、航空、激光技术等领域的关键材料。传统制备大尺寸晶体的方法,通常是在晶体小颗粒表面“自下而上”层层堆砌原子,好像“盖房子”,从地基逐层“砌砖”,最终搭建成“屋”。北京大学科研团队在国际上首创出一种全新的晶体制备方法,让材料如“顶着上方结构往上走”的“顶竹笋”一般生长,可保证每层晶体结构的快速生长和均一排布,极大提高了晶体结构的可控性。这种“长材料”的新方法有望提升芯片
DT半导体材料
2024-07-10
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安徽光机所利用新型晶体提高了中红外激光器的性能
中国科学院合肥物质科学研究院(HFIPS)安徽光机所孙敦陆研究员领导的研究团队采用 Czchralski(Cz)方法成功合成了新型中红外 Ho,Pr:YAP 和 Er:YGGAG 晶体,并通过热键合技术提高了激光二极管(LD)侧泵 Er:YSGG 晶体的连续激光器性能。相关研究成果发表在Optics Express期刊上。图1 978 nm LD侧泵YSGG/Er:YSGG/YSGG激光器示意图2
MEMS
2024-06-11
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