晶格 - 电子工程专辑

晶格

超晶格红外探测器产业化的先行者超晶光电完成新一轮超亿元融资

据麦姆斯咨询报道，近日，超晶光电完成新一轮超亿元的战略融资。本次融资由宁波通科拨改投、宁波市镇创拨改投共同投资，主要用于建设新型光电芯片研发平台、加速量产进程及扩大市场开拓。超晶光电是国家高新技术企业，专注于化合物半导体光电芯片与器件的研发和产业化。公司构建了一条具有国际水准的光电芯片IDM模式生产线，超净间面积超6000平方米，配置了数百台高性能半导体研发设备，实现了人机高度融合，确保了技术的快

MEMS 2025-01-06 162浏览
高性能二类超晶格制冷型红外探测器厂商拓感科技完成A轮融资

近日，富浙基金公司成功领投新型制冷型红外探测器厂商浙江拓感科技有限公司（简称“拓感科技”）A轮融资。拓感科技是一家专注于高性能二类超晶格制冷型红外探测器的高新技术企业。该产品技术壁垒高、难度大，在红外制导、探测、航空航天以及监测、搜救、气体探测、医疗等领域有广泛应用，属于下一代技术路线，全球仅美、法等少数国家掌握。该企业目前已掌握全流程生产工艺，能够自主研发生产光敏芯片、电路芯片及制冷机等核心部件

MEMS 2024-12-30 197浏览
清华大学张强&赵辰孜AM，调节全固态电池中晶格氧和锂离子动力学！

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！随着可充电电池在日常生活中的广泛应用，研究重点已经转向采用不可燃固体电解质（SEs）的全固态锂电池（ASSBs），这提供了增强的安全性和高能量密度。然而，常规正极材料，如LiCoO2和LiNi1-x-yMnxCoyO2（NCM），在能量密度方面存在局限性，无法满足市场对ASSBs日益增长的需求。相比之下，富锂锰基氧化物（LRMO）正极材料因其独特的利用阴离子（

锂电联盟会长 2024-12-22 124浏览
长波红外InAs/InAsSbII类超晶格雪崩光电探测器阶梯分级层设计

红外探测技术在军事侦察、环境监测、医疗诊断等领域有着广泛的应用。传统的红外探测器在性能上存在一定的局限性，如探测灵敏度、响应速度等受限。InAs/InAsSb II类超晶格（T2SL）材料具有优异的光电性能和可调谐性，成为长波红外（LWIR）探测器的理想选择。长波红外探测中的弱响应问题长期以来一直是人们持续关注的问题，此类弱响应极大地限制了电子器件应用的可靠性。雪崩光电探测器（APD）虽然具有出色

MEMS 2024-12-22 46浏览
清华大学&华中师范大学&中国科学院物理所AM：晶格氧氧化还原的起源与调控—化学计量层状正极材料中过渡金属网络的动态转变

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！第一作者：高昂通讯作者：谷林，郭彦炳，高昂，张庆华通讯地址：清华大学，华中师范大学，中国科学院物理所论文链接：https://doi.org/10.1002/adma.202412673论文速递本研究示了化学计量层状正极材料中晶格氧氧化还原（LOR）现象的起源，并提出了一种通过设计过渡金属（TM）网络来稳定LOR的新策略。研究团队通过实验观察和理论计算发现，过

锂电联盟会长 2024-11-17 192浏览
广西师范大学郑锋华&中南大学欧星ESM：高截止电压下抑制富镍正极材料晶格析氧的晶格相容压电改性

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！研究背景富镍层状氧化物（LiNixCoyMn1-x-yO2,x≥0.8）在高于4.5 V的充电状态下可实现200 mAh g-1以上的容量，在高能量密度锂离子电池中具有巨大的潜力。然而，由于不可逆的结构转变和表面副反应引起的高压循环下容量的快速衰减，仍然是富镍正极材料的技术瓶颈。因此，人们开发了各种表面包覆层来限制结构降解和表面副反应，如金属氟化物（LiF3和

锂电联盟会长 2024-11-13 250浏览
高截止电压下抑制富镍正极材料晶格析氧的晶格相容压电改性

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！摘要在4.5 V以上循环的富镍正极材料可以实现超过200 mAh/g的高比容量。然而，氧化还原诱导的氧阴离子在高压下从体相向表面迁移容易导致晶格氧的损失，从而导致长期循环稳定性的严重下降。本文提出了一种精心设计的压电材料表面改性策略，以抑制富镍正极材料的晶格析氧。具体而言，采用LiGaO2作为表面改性材料，可以在LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 (NCM

锂电联盟会长 2024-09-08 620浏览
【钠电】中科院大学刘向峰JACS：带状有序超晶格实现可逆阴离子氧化还原和稳定的高压钠离子电池阴极！

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！高压层状氧化物阴极因其潜在的高能量密度而引起了钠离子电池（SIB）的极大关注，但高压通常会导致容量迅速衰减。基于此，中科院大学刘向峰报道了一种具有带状有序超晶格的稳定高压NaLi0.1Ni0.35 Mn0.3Ti0.25O2阴极，揭示了结构演化与阴离子氧化还原反应（ARR）之间的内在耦合机制。Li引入构建了一种特殊的Li-O-Na构型，激活了可逆的非键合O2p

锂电联盟会长 2024-08-04 789浏览
名古屋大学诺奖团队Nature：GaN新型超晶格结构，为增强GaN器件性能提供选择！

近日，日本名古屋大学（Nagoya University）的一项新研究发现，将氮化镓（GaN）和镁（Mg）简单热反应就会形成独特的超晶格结构。这是研究人员首次发现可以将二维金属层插入块状半导体中，这有望提高GaN半导体器件性能。同时这项新结构的发现，打开了半导体材料新型掺杂机制和薄膜材料新型形变机制的两扇新窗。研究人员将这一发现称为“大自然的馈赠”，它可能会开辟新的途径并激发该领域更多的基础研究。

DT半导体材料 2024-07-19 870浏览
基于米氏超构表面的像素集成长波多光谱Ⅱ类超晶格探测器

多光谱探测是大气监测、废弃物检测、食品安全和微生物检测等应用技术中不可或缺的一部分。多光谱探测系统按照波长可以分为短波（1.1 μm~2 μm），中波（3 μm~5 μm）和长波（8 μm~12 μm）。目前，长波红外多光谱探测器主要包括碲镉汞、Ⅲ–Ⅴ族超晶格、量子阱等传统半导体材料。然而，基于半导体材料多光谱探测系统通常需要配备复杂的光器件和精密光路，如分束器、滤光片等，这些传统技术显著的增加了

MEMS 2024-06-30 522浏览
超低噪声MoS₂/II型超晶格混合维范德华势垒长波红外探测器

红外探测器在工业、安全、搜救、医学成像、监视、科学研究、气象、气候学和天文学等各个领域都有广泛的应用。目前，高性能红外成像技术主要依赖于高质量外延材料，如小带隙合碲镉汞（MCT）、InAs/GaSb II型超晶格（T2SL）和量子阱（QWIP）。然而，这些系统在低温下运行，需要昂贵且笨重的低温系统，这对实现快速和紧凑的红外检测系统的提出了挑战。因此，设计一种低噪声电流的红外光电探测器对于提高器件的

MEMS 2024-06-14 557浏览
金刚石晶格，Science！精确度前所未有！

近日，慕尼黑大学Gregor Posnjak和Tim Liedl等人展示了由 DNA 折纸自组装而成的三维光子晶体，其充当精确可编程的斑片胶体。研究人员基于DNA的纳米级四足体结晶成棒状连接的金刚石立方晶格，周期为170纳米。这种结构可作为二氧化钛等高折射率材料原子层沉积的支架，在近紫外区产生可调谐的光子带隙。相关研究成果以“Diamond-lattice photonic crystals as

DT半导体材料 2024-06-04 523浏览
基于超晶格红外探测器的高光谱红外相机支撑科学新发现

据麦姆斯咨询报道，美国国家航空航天局（NASA）开发的新型高光谱红外相机配备了各种轻型滤光片，能够探测地球高层大气和地表反射阳光，可以改善森林火灾预警，还能揭示其它行星的分子组成。上述高光谱红外相机采用高灵敏、高分辨率应变层超晶格（SLS）红外探测器，最初由位于美国马里兰州格林贝尔特的NASA戈达德太空飞行中心开发。它们结构紧凑、质量轻、适应性强，使Tilak Hewagama等工程师能够根据各种

MEMS 2024-05-29 521浏览
锂电Science晶格旋转对单晶正极材料结构的破坏原理

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！第一作者：黄伟源通讯作者：刘同超，周涛，Khalil Amine通讯单位：美国阿贡国家实验室论文DOI：10.1126/science.ado1675 全文速览本文揭示晶格旋转是引起锂电单晶正极材料不可逆结构破坏的重要因素，并指出晶格旋转可以作为未来研究材料结构衰减行为的一个更加灵敏有效的指标。研究背景相比于目前大规模使用的富镍层状氧化物多晶材料，单晶正

锂电联盟会长 2024-05-24 731浏览
晶格常数、应变和临界厚度

外延是激光芯片、LED芯片以及其他化合物芯片的关键，没有好的外延，后续的努力都很被动。而如何长出高质量的外延，生产常用的MOCVD设备，这是一种化合物在衬底表面成膜的工艺设备，其中牵涉有机化学、络合反应等等，其中选用和外延晶格匹配的衬底很是关键。就需要讨论晶格常数，常见的外延都是和衬底的晶格常数相当才能长出缺陷少的外延。晶格常数是半导体单元的基本尺寸。薄膜和它所在衬底材料之间的晶格常数不匹配，会引

芯片工艺技术 2024-05-14 981浏览
综述：锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势

锑化物超晶格红外探测器具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点，其探测波长灵活可调，可以覆盖短波至甚长波整个红外谱段，是实现高均匀大面阵、长波、甚长波及双色红外探测器的优选技术，得到了国内外相关研究机构的关注和重视，近年来取得了突破性的进展。据麦姆斯咨询报道，中国科学院上海技术物理研究所科研团队介绍了InAs/GaSb超晶格红外探测器的技术特点和发展历程，并对后续发展趋势作了初步的展望和探讨。相

MEMS 2024-04-19 959浏览
焜腾红外首展中波高温Ⅱ类超晶格2K×2K芯片@慕尼黑上海光博会

据麦姆斯咨询报道，近日，浙江焜腾红外技术股份有限公司（简称：焜腾红外）又传来好消息：经过不懈的技术迭代和产品开发，焜腾红外在640 × 512和1280 ×1024两种面阵规格基础上首次研制出中波高温Ⅱ类超晶格（T2SL）2K × 2K芯片。该芯片具备高芯片工作温度，面阵规模更大，可实现多种成像应用。配合该研发节奏，在2024慕尼黑上海光博会（2024年3月20-22日）上，焜腾红外带来三大精彩看

MEMS 2024-03-23 588浏览
中航红外研制出两款超晶格长波红外焦平面探测器，解决远距离探测应用需求

据麦姆斯咨询报道，近日，中航凯迈（上海）红外科技有限公司（简称：中航红外）针对机载、舰载、防空雷达等光电系统远距离探测应用需求，研制出1280×1024（15 μm）InSb中波和640×512（25 μm）超晶格长波红外焦平面探测器。两款探测器均采用斯特林制冷机（可选集成式、分置式），性能稳定，具备高帧频、任意开窗、输出通道选择、全局复位等多种功能。1280×1024（15 μm）InSb中波红

MEMS 2024-03-17 689浏览
焜腾红外全球首发二类超晶格SF6红外热成像探测器

据麦姆斯咨询报道，近日，浙江焜腾红外技术股份有限公司（以下简称“焜腾红外”）通过持续的技术投入和研发试制，迎来了国产化替代的又一重要新成就：在二类超晶格（T2SL）材料技术优势基础上进一步深耕，往更长波方向迈进。该制冷型红外焦平面热成像探测器在覆盖普通长波的基础上，将波长延伸至11 μm-12 μm，正式推出器件覆盖10.3 μm-10.7μm波段，涵盖320 x 256和640 x 512二种面

MEMS 2024-02-10 829浏览
我国研发出锶原子光晶格钟，把时间精确到72亿年仅偏差1秒

张首刚（中）在与科研团队成员交流“现在几点？”“这表准不准？”你知道生活中我们随口问的这两个问题，意味着什么吗？你一定想不到，这是两个严肃的科学问题——什么是时间？什么是标准时间？前不久，我国科研团队成功研制万秒稳定度和不确定度均优于5×10⁻¹⁸（相当于数十亿年的误差不超过1秒）的锶原子光晶格钟。在此基础上，研究团队还对锶原子光晶格钟的系统频移因素开展了逐项评定，最终得到其系统不确定度为4×10

MEMS 2024-01-30 593浏览
南开大学李福军教授最新Angew：晶格负膨胀实现长循环钠离子电池

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！文章介绍作者设计了一种O3型层状氧化物正极Na0.9Ni0.32Zn0.08Fe0.1Mn0.3Ti0.2O2 (ZT-NFM)，通过调节其相演化实现稳定循环，Ni2+和Fe3+对氧化还原过程进行电荷补偿，Mn4+的丰度使层状结构稳定。Zn的掺入增加了氧的电子密度，导致相邻两个TMO层之间产生强烈的层间O-O排斥力。这触发了在3.6 V以上的O/P共生相转变(

锂电联盟会长 2024-01-17 749浏览
综述：InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究

在红外探测器的制造技术中，台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。而对于结构复杂的焦平面阵列来说，一个良好的刻蚀工艺不仅要求高的深宽比，还要达到高度各向异性和低损伤等目标，这给器件制造带来了巨大的挑战。刻蚀副产物在台面侧壁引入漏电流的表面通道，使得InAs/GaSb超晶格红外探测器的性能恶化，尤其是长波和甚长波的器件，由于具有更窄的带隙，受表面漏电流的影响更大。因此，探究刻蚀机理和优化刻蚀工艺就显得

MEMS 2024-01-06 905浏览
InAs/GaSbII类超晶格材料的Si离子注入研究

II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测，而通过离子注入实现横向PN结，一方面材料外延工艺简单，同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运，且易于制作高密度平面型阵列。据麦姆斯咨询报道，近期，上海理工大学、中国科学院上海技术物理研究所和国科大杭州高等研究院的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“InAs/GaSb II类超晶格材料的Si离子注入研

MEMS 2023-12-20 615浏览
锑化物超晶格红外探测器

据麦姆斯咨询报道，2023年12月8日至10日，武汉高芯科技有限公司副总经理周文洪将参加《第57期“见微知著”培训课程：红外探测与成像技术》并进行授课，具体信息如下：授课主题：锑化物超晶格红外探测器授课老师简介：周文洪，博士，正高级工程师，毕业于中国科学院上海技术物理研究所，主要从事碲镉汞异质结焦平面探测器的芯片技术研发。现担任武汉高芯科技有限公司副总经理，主持完成基于碲镉汞材料的制冷红外焦平面探

MEMS 2023-12-05 550浏览
InAs/GaSbII类超晶格材料的Si离子注入研究

II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测，而通过离子注入实现横向PN结，一方面材料外延工艺简单，同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运，且易于制作高密度平面型阵列。据麦姆斯咨询报道，近期，上海理工大学、中国科学院上海技术物理研究所和国科大杭州高等研究院的科研团队在《红外与毫米波学报》期刊上发表了以“InAs/GaSb II类超晶格材料的Si离子注入研

MEMS 2023-12-02 674浏览

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