近红外 - 电子工程专辑

近红外

新品|实现业界超高光辐射强度的小型表贴型近红外LED

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出小型顶部发光型表贴近红外 (NIR)*1 LED新产品，非常适用于VR/AR*2设备、工业光学传感器、人体感应传感器等应用。近年来，在VR/AR设备和生物感测设备等领域，对使用了近红外（NIR）的先进感测技术的需求不断增加。由于这些技术用于眼动追踪、虹膜识别、血流量和血氧饱和度测量等应用，因此对精度的要求非常高。另外，应用产品的小型化、低功耗

罗姆半导体集团 2025-03-26 21浏览
无光学串扰“可见光+近红外”双波段有机光电探测器

双波段光电探测器凭借其能够探测不同的光谱波段特性，特别适用于环境监测、生物成像、安全和机器视觉应用。消除多波段光电探测器中的光串扰对于跨波长的有效信号区分至关重要，尤其对于光通信和生物成像应用的探测精度至关重要。据麦姆斯咨询报道，近日，由西南大学、南京理工大学和重庆赛宝工业技术研究院有限公司组成的科研团队提出了一种实现无光学串扰双波段有机光电探测器（OCF-OPD）的策略，该探测器集成了宽带可见光

MEMS 2025-03-23 424浏览
利用片上超构表面介导，打造MoTe₂近红外偏振光电探测器

具有可调谐偏振灵敏度的光电探测器在解码光通信中的信号解码、提取偏振加密信息以及偏振变化的环境监测方面发挥着重要作用。超构表面广泛用于偏振光电探测器，而对于不同偏振入射的响应遵循可确定且一致的对应关系。据麦姆斯咨询报道，近日，东南大学、南京邮电大学与香港城市大学组成的科研团队提出了一种由MoTe₂和金超构表面组成的电可调谐偏振光电探测器，用于片上偏振敏感的近红外（900–1200 nm）探测。通过接

MEMS 2025-03-20 174浏览
基于范德华异质结的偏振敏感型光电探测器，推进无透镜近红外偏振成像

人类裸眼无法感知光的偏振信息，而偏振成像技术能穿透雾霾、识别伪装，被誉为“光之指纹”。偏振成像和加密可提高目标识别精度和信息安全性，增强了图像传感器的传感敏锐度和抗干扰能力。然而，传统偏振片等色散光学元件的集成复杂，传感系统的微型化面临挑战。图1 人眼与Te/ReSe₂器件感知入射光的比较据麦姆斯咨询报道，近日，由广东工业大学、华南师范大学、中山大学和浙江大学组成的科研团队提出了一种基于Te/Re

MEMS 2025-02-23 343浏览
基于范德华异质结的偏振灵敏光电探测器，实现可见光到近红外宽带探测

基于各向异性二维（2D）材料的偏振光电探测器在通信和光电子领域显示出巨大的应用潜力。然而，大暗电流、低各向异性比和低响应速度限制了其发展。据麦姆斯咨询报道，近日，由天津理工大学和厦门大学组成的科研团队构建了一种基于PdSe₂/NbSe₂范德华（vdW）异质结的宽带偏振角相关光电探测器。这种低暗电流、宽带偏振探测和偏振视觉成像的PdSe₂/NbSe₂范德华异质结器件，将促进偏振敏感光电探测器的发展和

MEMS 2025-02-10 274浏览
透明近红外有机图像传感器助力非接触式交互应用

非接触式用户界面通常依赖近红外相机捕捉手势动作，然而，相机识别的范围十分有限并且需要高精度校准，这些因素限制了其在实际生活中的广泛应用。据麦姆斯咨询报道，日本和荷兰的研究团队开发了一种视觉透明的近红外有机图像传感器，并将其集成到商用显示器前方。进而可以通过近红外笔灯和手势进行控制，实现了非接触式用户界面。作为一种创新型无接触交互方案，该系统有希望应用于自动取款机、电子标牌和交互式白板等多种场景。相

MEMS 2025-02-04 191浏览
高响应度、CMOS兼容型近红外锗PIN光电二极管

尽管高性能近红外（NIR）探测对于众多应用至关重要，但当下最先进的近红外探测器要么在探测入射光子能力方面存在局限（即光谱响应度较差），要么由昂贵且与CMOS不兼容的III-V族材料制成。锗（Ge）有望同时具备高性能、低成本和可扩展性。更重要的是，锗材料与CMOS工艺完全兼容，原则上能够使用现有的CMOS芯片生产线进行加工。实际上，基于锗的光电二极管已经在众多领域实现商业应用。据麦姆斯咨询报道，近日

MEMS 2025-01-07 245浏览
深紫外到近红外的高灵敏量子点光电探测器

近年来，蓬勃发展的光电产业改变了世界，并延伸到生活诸多方面。其中，具有深紫外-可见-近红外全光谱探测响应光电探测器（PD）作为重要的光电元件，在日常生活中发挥着关键作用。通常，商业化的全光谱光电探测器主要基于传统的半导体材料，例如：可见-近红外选择硅（Si）基光电探测器、可见-短波红外采用铟镓砷（InGaAs）基光电探测器。然而，上述光电探测器需要复杂的蒸镀制备工艺，且器件运行暗电流及噪声信号相对

MEMS 2025-01-01 1153浏览
芯片级计算重建型近红外光谱传感器

微型光谱仪在原位、体外甚至体内传感应用中展现出广阔的前景。然而，光谱仪尺寸缩减所带来的显著的性能限制使其难以满足光谱学的严苛需求（高分辨率、高精度以及超宽工作带宽）。业内普遍认为，微型光谱仪更适用于特征峰的粗略识别。近年来，基于压缩感知算法的计算重建型光谱仪的出现，为微型光谱仪的研发开辟了新道路。图1总结了近红外光谱需求与计算重建型光谱仪性能之间的对比。图1 近红外光谱需求与计算重建型光谱仪性能的

MEMS 2024-12-03 457浏览
宽谱二维材料范德华异质结近红外光电探测器

物联网和智能设备的兴起推动了自供能光电探测器的发展，这些探测器在环境监测、光通信等领域有着广阔的应用前景。然而，传统探测器存在制冷系统复杂、成本高和难以集成等问题。如石墨烯（Gr）、黑磷、过渡金属二硫化物等二维（2D）材料因其原子级薄结构和强光-物质相互作用而成为设计新型探测器的理想材料。通过范德华力结合不同二维材料，可以设计出高性能、宽带、自供能的光电探测器。自供能光电探测器的设计通常涉及构建异

MEMS 2024-11-27 426浏览
基于全硅等离子体超构表面的热电子探测器，可实现近红外偏振探测

红外偏振探测与成像具有增强成像对比度、检测噪声背景中的微弱信号和提升信号测量的信噪比等优势。基于等离子体热电子（plasmon hot electron）产生光发射效应，全硅探测器可在室温下近红外（NIR）波段实现偏振敏感的光电探测。据麦姆斯咨询报道，由复旦大学与中国科学院上海技术物理研究所组成的研究团队提出一种采用硅基结合超构表面材料研发的近红外偏振探测器，更能够实现室温工作、与硅基读出线路/存

MEMS 2024-11-21 362浏览
超灵敏、自供电、CMOS兼容型近红外光电探测器

商用近红外（NIR）光电探测器（PD）通常基于无机单晶体Ge、Si或InGaAs，并利用光电效应，可以探测波长范围为0.8-3 µm的光，应用领域包括图像传感、光通信、医疗诊断、非接触式技术、汽车驾驶、安全监控和物联网传感器等。例如，在健康诊断中，近红外光电探测器可通过无创光电容积脉搏波描记（PPG）技术跟踪心率等生命体征。不过，目前的商用光电探测器材料也存在一些缺点。首先，它们都需要电源才能工作

MEMS 2024-11-19 375浏览
高性能可见光和近红外双波段光电探测器

与传统单波段光电探测器相比，双波段光电探测器对复杂环境中的目标识别和导航等具有显著优势。然而，传统双波段探测器在多个光吸收层和复杂的光学元件的组合集成方面存在明显限制。因此，基于单一传感材料同时实现对可见和近红外光的有效调制对于推动双波段探测器面向集成化和小型化的实际发展具有重要意义。据麦姆斯咨询报道，为了解决上述技术难题，中山大学电子与信息工程学院的刘飞教授与深圳大学微纳光电子学研究院的张文静教

MEMS 2024-11-07 545浏览
超薄近红外高透薄膜用于夜视成像

在近红外波段（NIR）具有高透射率的材料，被广泛应用于安全成像、光学检测、夜视成像和防伪等领域。目前，传统的金属氧化物、硅基半导体和硫系玻璃等无机材料虽然具备良好的NIR透过能力，但该类材料通常面临柔韧性差，易碎，难以加工等问题，不适用于柔性可穿戴设备。尽管有机材料具有柔韧性和可调控的光学性能，但大多数有机分子吸收范围狭窄，难以实现全面的紫外-可见光区域光干扰消除。此外，材料的厚度和透过率之间存在

MEMS 2024-10-31 280浏览
近红外超构表面快照式光谱成像

据麦姆斯咨询报道，2024年11月1日至3日，北京理工大学教授黄玲玲将参加《第65期“见微知著”培训课程：光学超构表面及应用》并进行授课，具体信息如下：授课主题：近红外超构表面快照式光谱成像授课老师简介：黄玲玲，博士，北京理工大学教授、博士生导师，入选教育部青年长江学者、北京市卓越青年科学家、北京市杰青等计划。她长期在微纳光学、衍射光学及全息领域从事教学和科研工作，主要研究方向包括新型微纳光学元器

MEMS 2024-10-22 377浏览
极性可调的近红外偏振光电探测器

偏振探测技术能够拓展探测目标的信息维度，收集目标的偏振光信息，包括偏振度、偏振角和相位差等，是信息技术领域的重要发展方向之一。由于具有直接探测偏振光的优势，低维半导体材料在偏振探测领域具有独特的优势和发展潜力。其中，对称性破缺的低维半导体材料在均匀光照下，由于动量空间或实空间中的光生载流子不对称分布会产生偏振相关的自发光电流，该现象被称为体光伏效应（Bulk photovoltaic effect

MEMS 2024-10-16 605浏览
多层石墨烯/外延硅近红外自淬灭雪崩光电探测器（APD）

二维材料及其异质结构在发展具有高增益、响应和信噪比的雪崩光电探测器（APD）方面显示出巨大的潜力。其中石墨烯以其超薄的厚度、卓越的载流子迁移速度、微小的带隙以及出色的柔韧性而备受关注。单层石墨烯（SLG）与半导体材料通过范德华力结合时可以形成一种特殊的结，从而有效抑制暗电流和器件噪声。尽管如此，SLG的光吸收能力相对较低，仅为2.3%，这在一定程度上限制了其在光电探测器的性能。宏观组装石墨烯纳米膜

MEMS 2024-10-14 796浏览
超薄近红外透明薄膜助力夜视成像和信息加密

近红外（NIR）透过材料在安全成像、光学检测、夜视成像、法医应用和防伪等领域展现出广泛的应用前景。传统的金属氧化物、硅基半导体和硫系玻璃等无机材料虽然具备良好的近红外透过能力，但往往面临柔韧性差，易碎，难以加工等问题，不适用于柔性可穿戴设备。有机材料虽然具有柔韧性和可调控的光学性能，但大多数有机分子吸收范围狭窄，难以实现全面的紫外-可见光区域光干扰消除。此外，材料的厚度和透过率之间存在权衡，增加有

MEMS 2024-10-06 691浏览
高性能柔性近红外有机光电探测器助力光学集成传感与通信

集成传感与通信（ISAC）通过利用相同的频谱和硬件设施，将传感和通信功能整合在一起，代表了下一代无线通信技术（超越5G和6G）的前沿技术。然而，当前使用射频（RF）的无线技术受到频谱稀缺（频率范围1：450-6000 MHz；频率范围2：24250-52600 MHz）以及低数据传输速度（约1 Gbps）和有限传感能力的高功耗的制约。可见光（VIS）和近红外（NIR）光谱范围覆盖400至800太赫

MEMS 2024-10-02 1699浏览
基于非均匀等离子体超构表面的超快近红外热释电探测器

热释电（PE）探测技术因其无需制冷、无偏压和宽带特性而引起了广泛关注。然而，热释电信号是由光、热到电的连续能量转换过程产生的，响应速度通常很慢。据麦姆斯咨询报道，近日，苏州大学、浙江大学、国防科技大学、中国科学院苏州生物医学工程技术研究所等机构的研究人员组成的团队设计并制造了一种热释电探测器，通过与非均匀等离子体超构表面（Metasurface）相结合，该探测器在近红外（NIR）波段显示出极快的响

MEMS 2024-09-29 517浏览
微电子所在基于有机异质结的近红外感内计算方面取得新进展

据麦姆斯咨询报道，随着人工智能技术的飞速发展，传感器数据量的激增对数据处理速度和能效提出了严峻挑战。传统的传感器架构（如冯·诺依曼架构）将传感、计算和存储单元物理分离，其大量的数据转换和传输进一步增加了能耗和时间延迟。为应对这一挑战，科研人员提出了一种先进的传感器架构——感内计算技术，能够在传感器层面同时进行图像的感知和处理。有机半导体因其本征柔韧性和可调带隙而备受关注，尤其在近红外（NIR）光电

MEMS 2024-08-24 502浏览
惠更斯连续域束缚态的非局域超构透镜，助力近红外波长选择性聚焦与成像

由人造超构原子（meta-atom）构成的超构透镜（meta-lens）因其紧凑、灵活的波前整形能力而备受关注，其调控能力优于传统的体型光学器件。工作带宽是决定超构透镜在不同波长下性能的关键因素。依靠非局域效应工作的窄带超构透镜，可以有效地减少来自非共振波长的干扰和串扰，因此非常适合非线性生成和增强现实/虚拟现实（AR/VR）显示等专业应用。然而，非局域超构透镜需要在局域相位操控与非局域共振激励之

MEMS 2024-08-20 685浏览
利用近红外黑体辐射光谱，提升红外测温准确性

图1 红外测温图像据麦姆斯咨询报道，近日，来自美国休斯敦大学（University of Houston）和云南大学的研究团队开发了一种利用近红外（NIR）光谱仪来测量连续光谱的新方法，这种方法旨在改善红外热成像测温技术，用于非接触式温度测量和可视化温度分布。这项研究成果以“Non-contact thermometer for measuring surface temperature of p

MEMS 2024-08-06 760浏览
思特威推出工业面阵5MP全局快门近红外增强CMOS图像传感器

据麦姆斯咨询报道，近日，技术先进的CMOS图像传感器供应商思特威(SmartSens，股票代码688213)，全新推出工业面阵5MP全局快门近红外增强CMOS图像传感器SC538HGS。SC538HGS基于思特威先进的SmartGSTM-2Plus技术，搭载了Lightbox IR®近红外增强技术，具备高感度、高分辨率、高信噪比、低功耗四大优势性能。作为基于BSI结构设计融合近红外增强技术的工业面

MEMS 2024-08-04 672浏览
新型硅基近红外光电二极管，具有高灵敏度和成本效益

光电二极管是图像传感器的核心组件，在很多应用中不可或缺。硅是制造这些组件的首选材料，但硅在近红外波段的灵敏度一直不足。因此，开发人员不得不使用其它昂贵且可能对环境有害的材料。据麦姆斯咨询报道，德国弗劳恩霍夫光子微系统研究所（Fraunhofer IPMS）正在开发一种具有高灵敏度的硅基光电二极管。由德国联邦教育和研究部资助的为期三年的MesSi项目，将利用56.6万欧元的资金为图像传感器制造提供一

MEMS 2024-07-10 714浏览

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