集成电路工艺 - 电子工程专辑

集成电路工艺

【半导光电】集成电路工艺原理-导论-半导体产业

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----来源：半导体封装工程师之家申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴

今日光电 2023-04-25 884浏览
【半导光电】集成电路工艺原理-2-5章-硅和硅片的制备等

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----来源：半导工程师之家申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴趣，对

今日光电 2023-04-24 879浏览
集成电路工艺基础6

1、以双极工艺为基础的P阱BiCMOS器件结构。2、NPN 晶体管剖面图################################################****半导体器件仿真设计课程开课通知****课程名称半导体器件与仿真设计课程特点（1）详细讲解半导体器件结构参数、电学参数及工艺参数三者的对照关系；（2）可选择课程内容中的任一章进行讲解；（3）将半导体器件物理理论与工艺实践结合起

半导体技术人 2021-10-11 1516浏览
集成电路工艺基础5

1、影响双极型晶体管电流放大倍数β的主要因素？提高双极型晶体管β的工艺途径？答：①晶体管发射区与基区的杂质浓度比；②晶体管基区宽度；③基区少子扩散长度；④表面复合速率。工艺途径：①减小基区宽度，因为β与基取宽度成反比。②减小Rse/Rsb值，即发射区与基区掺杂浓度的比值要尽量大，这样可提高发射极的注入效率。③减少复合，即要求载流子寿命大。可通过低温扩散、表面钝化等工艺来实现。2、分析N沟增强型MO

半导体技术人 2021-10-06 1529浏览
集成电路工艺基础4

1、n阱CMOS的工艺流程？并画出关键工艺对应的器件剖面结构？n阱CMOS的制作工艺流程：①准备硅片材料；②形成n阱；③场区隔离；④形成多晶硅栅；⑤源漏区n+/p+注入；⑥形成接触孔；⑦形成金属互连；⑧形成钝化层。剖面图：略2、清洗器皿步骤？答：①先用去污粉涮洗，并用自来水冲净。②对于耐酸塑料器皿可用洗液浸泡数小时；有机玻璃可用稀盐酸或氢氧化钠溶液清洗，再用去离子水把残留的酸碱冲净。③最后用去离子

半导体技术人 2021-10-05 1632浏览
集成电路工艺基础3

1、数字集成电路设计方法。数字集成电路芯片的设计流程由一系列的设计实现和验证测试过程组成。首先是功能定义，它描述了对芯片功能和性能参数的要求，我们使用系统设计工具设计出方案和架构，划分好芯片的模块功能。然后是代码设计，我们使用硬件描述语言（HDL，如Verilog）将模块功能表示出来，形成电脑能理解的代码（行为级、RTL级）。经过仿真验证后，进行逻辑综合，把代码翻译成低

半导体技术人 2021-10-02 1574浏览
集成电路工艺基础2

1、在衬底上形成的，掺杂类型与衬底相反的区域称为阱。2、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的注入剂量。3、光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、和去胶。4、腐蚀V形槽一般采用各向异向的湿法化学腐蚀方法。5、化学清洗中是利用硝酸的强酸性和强氧化性将吸附在硅片表面的杂质除去。6、半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂离子加速到的需要的能量，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的退

半导体技术人 2021-10-01 1214浏览
集成电路工艺基础1

1、CMOS 逻辑电路中，NMOS 管是增强型。2、MOS晶体管的导电因子K由三方面因素决定：沟道载流子迁移率、单位面积栅氧化层和晶体管宽长比W/L。3、杂质扩散中主扩散的作用为：调节表面浓度和控制结深。4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用氢氟酸水溶液。5、扩散结深表达式可统一写成：A(Dt)^1/2。6、在LPCVD中，若质量转移系数远大于表面反应速率常数，则淀积过程主要是由表面反应控制

半导体技术人 2021-09-29 1357浏览

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确实是非常有价值的工具，京东买一个电源适配器用这玩意儿测电压然后发现电压不足有质量问题，然后赔钱给我，多买几个可以发财了哈。

james1982... 评论文章 2024-12-03

万用表使用大全（20条测量方法，建议收藏！）
zanzanzan

洪正安评论文章 2024-11-29

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