激光器芯片 - 电子工程专辑

激光器芯片

半导体激光器芯片基本分类形式，以及不同的应用

半导体激光器芯片基本分类形式以及不同的应用半导体激光器芯片是激光器的核心部件，它能够产生受激辐射并输出激光。其基本原理是基于半导体材料中的电子跃迁。在芯片的有源区，当注入足够的能量（如通过电流注入）时，电子会从低能级跃迁到高能级，形成粒子数反转。然后，在光学谐振腔的作用下，这些处于高能级的电子会在光子的诱导下，跃迁回低能级并发射出与诱导光子同频率、同相位的光子，通过不断的受激

秦岭农民 2024-11-13 192浏览
光通信激光器芯片的关键参数

光通信激光器芯片的关键参数包括以下几个方面：工作波长：这是激光器发射光的中心波长，通常以纳米（nm）为单位。例如，某些DFB激光器的工作波长范围在1270nm到1330nm之间。输出光功率：指激光器在特定电流条件下的最大输出功率，通常以毫瓦（mW）为单位。例如，56Gb/s EML芯片的输出光功率大于2mW。阈值电流：激光器开始产生有效光输出所需的最小电流，也称为门限电流。例如，56Gb/s EM

芯片工艺技术 2024-08-08 540浏览
国内做激光器芯片的几家公司介绍

国内做激光器芯片的几家公司有：深圳瑞波光电子有限公司：该公司成立于2011年，位于深圳市龙华德泰科技园，专业从事高端大功率半导体激光芯片的研发和生产。他们提供从半导体激光芯片外延设计、材料、制造工艺到芯片封装、表征测试等全套核心技术。此外，瑞波光电子还率先向市场发布了500mw 638nm红光TO金属封装和905nm TO56封装的激光器芯片。西安立芯光电科技有限公司：成立于2012年，注册资金1

芯片工艺技术 2024-06-21 1058浏览
激光器芯片的无杂质空位诱导技术

为了提高激光器的抗COD能力，常用的一个手段是无杂质空位诱导混合技术，该方法主要是简单。激光器的原理和结构示意图如下：要想在出光面有好的抗COD能力，在芯片的AR面前端做非吸收窗口。无杂质空位诱导量子阱混合(IFVD – Impurity Free Vacancy Disordering）是目前出现的量子阱混合技术中最简单的一种。 IFVD多采用在Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体表面覆盖一层介质膜然后在 80

芯片工艺技术 2023-12-27 571浏览
【光电集成】激光器芯片及TO、C-mount、多晶粒封装

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----来源：芯片工艺技术申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体感兴趣，对光

今日光电 2023-10-26 651浏览
小型激光显示器用的激光器芯片

激光电视、激光投影仪等激光显示器是极具吸引力的产品，有望扩大激光二极管(ld)的应用领域。尤其是小型激光投影机，成为创新产品的潜力很大。最近，手机内嵌的小型激光投影仪和汽车仪表板上的投影仪备受关注。还提出了许多其他有趣的应用。组装那些小型激光投影仪，非常紧凑型激光器是实现红、绿、蓝三原色光的必要光源。对于红色和蓝色，利用激光二极管是一种非常简单和紧凑的方法。对于绿色，通常使用红外激光输出的二次

芯片工艺技术 2023-04-23 1004浏览
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产线正式投产

近日，飓芯科技的氮化镓（GaN）半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行，柳州市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，广西飓芯科技董事长、北京大学教授胡晓东，副市长汤振国，广西飓芯科技总经理宗华博士，市政府秘书长刘伯臣共同见证。氮化镓半导体激光器目前覆盖近紫外（375 nm）至绿光（532 nm）的波长范围，广泛

MEMS 2023-04-04 1940浏览
突破卡脖子！国内首条GaN激光器芯片量产线投产

插播：5月25日，汽车与工业SiC大会将在上海举办👉（.点这里.）3月22日，飓芯科技的氮化镓半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行，柳州市市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。当天，中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，广西飓芯科技董事长、北京大学教授胡晓东，柳州市副市长汤振国，广西飓芯科技总经理宗华博士，柳州市政府秘书长刘伯臣共同见证。上下滑

第三代半导体风向 2023-03-27 2392浏览
激光器芯片的寿命可靠性问题

激光芯片的可靠性是一项十分关键的指标，无论是小功率的激光笔还是要求较高的激光通信芯片，都需要进行芯片的老化和可靠性的测试。相比于传统的电子类的芯片，激光的测试比较复杂，牵涉到光、电的测量，也要考虑封装形式的区别。老化试验是作为芯片的一个检测手段，在研发初期，也可以通过芯片老化试验，得到很多芯片质量信息，可以查找早期的一些工艺问题等。我们知道激光芯片的测量一般都是看

芯片工艺技术 2023-02-22 1140浏览
大功率激光器芯片

对于单颗输出光功率超过500mW的激光器芯片已经是大功率激光器芯片了。转换效率根据材料的不同而不同，像红光的目前大功率也能达到50%，剩余的电能就转换成热能。对于小功率的LD，比如光通信用的mw级别的，一般也很少考虑腔面灾变。大功率激光器芯片就容易发生腔面的灾变Catastrophic optical damage，COD。光学灾变损伤，亦称灾变性光学镜面损伤（Catastrophic o

芯片工艺技术 2023-02-08 1437浏览
半导体激光器芯片减薄、拋光工艺

激光器都是在外延的基础上做出芯片的结构设计，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要对晶圆进行减薄，厚度有做到80um的，也有120um的，通常为兼顾芯片性能和破片良率问题，100um的厚度成为常见厚度。我们来聊聊GaAs基激光器或者LED的减薄和抛光问题。砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在6

芯片工艺技术 2022-06-20 1001浏览
研发高可靠半导体激光器芯片，华辰芯光获5000万元天使轮投资

据麦姆斯咨询报道，近日，半导体激光器芯片公司无锡市华辰芯光半导体有限公司（简称“华辰芯光”）完成5000万元人民币天使轮融资。本轮投资人包括海松资本、同创伟业、普华资本等知名机构，本轮融资将用于激光器新产品研发、关键工艺设备采购和FAB建设等。华辰芯光致力于高可靠半导体激光器芯片的研发及制造，聚焦光电产业链中上游的高端市场（光通信、激光雷达等领域），为国内外客户提供高性能、高可靠性的产品及服务。华

MEMS 2022-06-13 3064浏览
激光器芯片的WPE思考

WPE在LD芯片中指电光转换效率。 WPE=出光功率/工作电流/工作电压。因此WPE越大越好，说明电转成光的效率越高。额外的部分电能，大部分以热能的形式释放。WPE高的话，转换的热也会变少。 An AlGaInP/GaAs red LD suffers from low wall plug efficiency (WPE) due to electron overflow from

芯片工艺技术 2021-12-28 2444浏览
长光华芯与东南大学签署协议，在半导体激光器芯片方面开展合作

12月21日，东南大学苏州校区与长光华芯校企合作签约仪式在长光华芯顺利举办，东南大学苏州校区管委会主任郑建勇、软件学院（苏州）常务副院长吴含前、集成电路与系统重点实验室主任刘昊、下一代半导体材料研究所副所长范谦、党政办主任、国家大学科技园（苏州）总经理王文宁、科技管理办公室主任许剑，长光华芯董事长总经理闵大勇、人力资源部经理李金旺等出席了会议。会议现场会议开始，长光华芯董事长总经理闵大勇向参会人员

MEMS 2021-12-27 1060浏览
长光华芯与东南大学签署协议，在半导体激光器芯片方面开展合作

12月21日，东南大学苏州校区与长光华芯校企合作签约仪式在长光华芯顺利举办，东南大学苏州校区管委会主任郑建勇、软件学院（苏州）常务副院长吴含前、集成电路与系统重点实验室主任刘昊、下一代半导体材料研究所副所长范谦、党政办主任、国家大学科技园（苏州）总经理王文宁、科技管理办公室主任许剑，长光华芯董事长总经理闵大勇、人力资源部经理李金旺等出席了会议。会议现场会议开始，长光华芯董事长总经理闵大勇向参会人员

MEMS 2021-12-27 1218浏览
复习一下激光器和激光器芯片

半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。半导体激光器的常用工作物质主要有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。根据不同的工作物质主要有三种激励方式：电注入，pump式

芯片工艺技术 2021-08-14 3507浏览
激光器芯片之垂直面发光芯片

侧发光激光芯片依靠衬底晶体的解离面作为谐振腔面，在大功率以及高新能要求的芯片上技术已经成熟，但是也存在很多不足，例如激光性能对腔面的要求较高，不能用常规的晶圆切割，比如砂轮刀片、激光切割等。在实际生产中测试环节又特别麻烦，需要解离成bar条才能继续测试，这个需要消耗切片的生产能力。因此很多人想研发出面发射激光器芯片。刻蚀45°镜面反射侧出光。发射特性完全依赖于内部反射镜的倾斜角度和平整

芯片工艺技术 2021-05-27 1446浏览

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