基本结构 - 电子工程专辑

基本结构

【技研】内外饰产品基本结构及工艺设计

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汽车技研 2024-12-15 17浏览
外腔式可调谐半导体激光器（Tunablelaser）的四种基本结构

外腔式可调谐半导体激光器（Tunable laser）的四种基本结构可调谐半导体激光器是一种能够改变输出波长的激光器，它在光通信、光谱学、传感技术等领域有着广泛的应用。可调谐半导体激光器具有如下几个特点1）波长可调谐性：能够在一定的波长范围内连续或离散地改变激光的输出波长，满足不同应用场景对不同波长激光的需求，如在光谱分析中可覆盖多个吸收峰，实现多物质的同时检测259.2）高光谱纯度：通过精细的

秦岭农民 2024-12-02 572浏览
正激变换器基本结构

BUCK变换器结构如图1所示，主开关管高频开关工作时，开关管后面的开关节点SW输出波形为脉冲方波。(a) BUCK变换器(b) 开关节点波形图1 BUCK变换器及开关节点波形变压器可以将脉冲方波从初级耦合到次级，从而实现将能量从初级传输到次级，因此可以在开关管输出位置增加一个变压器。BUCK变换器开关管导通时，电感激磁，输入电源向输出负载传输能量；开关管关断时，二极管续流，电感去磁，存储在电感中能

松哥电源 2024-08-01 681浏览
Flyback反激变换器：基本结构及CCM工作原理

1、从BuckBoost到Flyback反激变换器BuckBoost负压变换器最基本的电路结构如图1所示，如果把BuckBoost负压变换器功率MOSFET管和二极管移动到下面，电路工作状态和放在上面完全一样。图1 BuckBoost负压变换器基本结构图2 功率MOSFET管和二极管放置在下端在电感现有绕组二端并绕一个匝数完全相同的绕组，也就是双线并绕（或者是相当于把原来绕组换成直径更粗的铜线

松哥电源 2024-05-01 1869浏览
BUCKBOOST负压变换器基本结构

在一些电子系统中，如电子秤、气体监测仪等测量仪器，内部的仪用运算放大器需要+12V/-12V、+5V/-5V双电源供电，而输入电源电压只有正电压，系统需要从正输入电源电压得到负输出电压，这时候，就可以用到结构最简单的一种负压变换器：BUCKBOOST压变换器。电感基本特性是内部产生感应电压总是阻止电感电流的变化（趋势），试图维持电流原来的大小，即电感电流不能突变。当电感电流增大时，感应电压和电流方

松哥电源 2024-03-01 616浏览
新能源汽车基本结构解读

关注公众号，点击公众号主页右上角“ ··· ”，设置星标，实时关注智能汽车电子与软件最新资讯来源：全球汽贸网 --END--关注公众号，点击公众号主页右上角“ ··· ”，设置星标，实时关注智能汽车电子与软件最新资讯

智能汽车电子与软件 2023-11-27 513浏览
CPU处理器的基本结构

CPU 是计算机的运算和控制核心，其作用堪比人的大脑。新型 CPU 已将传统的中央处理器与显卡中的图形处理单元（GPU）集成在一起，在一个 CPU 芯片中集成了多个 CPU核心以及若干个 GPU。CPU 主要由运算器、控制器、寄存器组、高速缓冲存储器（Cache）和内部总线构成。CPU 作为计算机的核心，负责整个计算机系统的协调、控制以及程序运行，随着大规模集成电路技术以及微电子技术的进步，CPU

智能计算芯世界 2023-10-30 1081浏览
功率MOSFET基本结构：超结结构

1、超级结构高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须增大硅片面积，需要更大晶片面积降低导通电阻，一些大电流应用需要更大封装尺寸，成本随之增加，Crss电容增加导致开关损耗增加，系统功

松哥电源 2023-10-04 1810浏览
功率MOSFET基本结构：沟槽结构

1. 沟槽双扩散型场效应晶体管垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。(a) 水平沟道(b) 垂直沟道(c) 栅极沟槽(d) 沟槽结构图1. 沟槽结构功率MOSFE管为了形成这种垂直沟道结构，必须在N-外延层中开沟槽，沟槽表面制作氧化层后，在沟槽内部填充多晶硅形成栅极；在沟槽氧化层外侧，通过二次扩散掺杂，

松哥电源 2023-08-27 2926浏览
功率MOSFET基本结构：平面结构

功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Later

松哥电源 2023-06-03 1601浏览
OLED的基本结构和性能参数

1. OLED的结构OLED效率和寿命与器件结构密切相关，目前广泛使用的结构属于“三明治夹层”结构，即发光层被阴极和阳极像三明治一样夹在中间（一侧为透明电极以便获得面发光效果）的结构。由于OLED制膜温度低，所以一般多使用氧化铟锡玻璃电极（Indium Tin Oxide，ITO）作为阳极。在ITO电极上用真空蒸镀法或旋涂法制备单层或多层有机半导体薄膜，最后将金属阴极制备于有机薄膜之上。根据有机半

Dipsplay之家 2023-03-06 3478浏览
知识讲解！三极管的基本结构及分类

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。1三极管的基本结

电源Fan 2021-07-14 2990浏览
三极管的基本结构及分类

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

EDN电子技术设计 2020-07-20 2691浏览
接地的相关概念和接地系统的基本结构

一、接地的概念接地的概念图如图1所示。图1 接地的概念图进行接地的设备，其目的有的是为了安全，也有的是为了通信清晰。把大地作为回路的一部分也是接地。图2 机电设备接地区别示意图如图2所示，设备外壳接地就是为了将外壳对地的电位降低。当设备壳内的杂散电阻为Z1，壳外的杂散电阻为Z2，其对地电位的计算表达式为，明显地看出机电设备外壳接地后，对地电位大大小于外壳不接地

可靠性杂坛 2020-02-06 4751浏览

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砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

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