化学气相沉积 - 电子工程专辑

化学气相沉积

12种化学气相沉积（CVD）你都知道吗？

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反

半导体工艺与设备 2023-12-23 5146浏览
填补国内空白！化学气相沉积碳化硅生产线即将在常山投产

8月3日上午，在常山县2023年三季度重大项目“三集中”仪式后，浙江大和半导体产业园三期建设项目竣工仪式举行，标志着常山正式成为全球半导体装备核心零部件重要制造生产基地。化学气相沉积碳化硅对于半导体装备来说必不可少，但是长期以来产品依赖日本进口，此次由浙江富乐德半导体材料科技有限公司导入的化学气相沉积碳化硅生产线将填补国内空白，破解集成电路半导体装备卡脖子技术问题，为全国半导体行业发展贡献强大力量

DT半导体材料 2023-08-04 1122浏览
综述|微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展

金刚石作为一种超宽禁带半导体，是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而，高品质、大面积（大于2英寸）单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。近日，吉林大学邹广田院士、李柳暗教授团队针对微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展进行详细总结并发表综述文章，介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案，即

DT半导体材料 2023-03-08 1443浏览
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展

摘要碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化硅器件必须在外延膜上进行加工,因此碳化硅外延设备在整个产业链中占据承上启下的重要位置,而且也是整个产业链中最复杂、最难开发的设备。本文从碳化硅外延生

半导体工艺与设备 2023-02-15 4631浏览
物理和化学气相沉积(PVD&CVD)工艺技术详解

｜推荐阅读｜芯人必读！五分钟带你了解芯片产业BAW技术新突破：Kt²达21%以上国内首款BAW四工器产品下线滤波器专业英语初级篇（更新版）SAW声表滤波器与BAW滤波器技术5G陶瓷介质滤波器逐步成为行业主流！这25家滤波器公司都不知道，真是白活了© 滤波器微信公众号

滤波器 2022-11-03 1102浏览
中科院物理所张广宇SmallScience：化学气相沉积生长四英寸晶圆级均匀的单层二硒化钼薄膜

近日，松山湖材料实验室二维材料团队、中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室张广宇课题组报道了采用化学气相沉积法在四英寸蓝宝石衬底上外延生长单层的二硒化钼连续薄膜，并对薄膜结构和均匀性进行了表征。相关成果以“Chemical Vapor Deposition of 4 Inch Wafer-Scale Monolayer MoSe2”为题发表在《Small Science》。研究背景单层二硒化

DT半导体材料 2022-10-14 1378浏览

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