化学机械抛光 - 电子工程专辑

化学机械抛光

金刚石化学机械抛光研究进展

12月5-7日，由DT新材料主办的第八届国际碳材料大会暨产业展览会（Carbontech 2024）将在上海新国际博览中心隆重举办。同期针对半导体与加工主题特设4大论坛，宽禁带半导体及创新应用论坛、超硬材料与超精密加工论坛、金刚石前沿应用与产业发展论坛、培育钻石论坛，已邀请国内外知名专家和企业莅临交流，欢迎报名。免费参会，扫码了解详情联系工作人员！李蕊 13373875075金刚石以优异的性

DT半导体材料 2024-11-18 422浏览
探索半导体制造中的革命性技术——化学机械抛光（CMP）

在半导体制造过程中，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，简称CMP）技术是实现晶圆表面高度平坦化的关键步骤。本文将详细介绍CMP技术的工作原理、应用领域以及其在全球半导体行业中的重要地位。 CMP技术的基本原理CMP技术结合了化学和物理两种方法来平滑基板表面。具体来说，它通过在一定压力下及抛光液的存在下，晶圆与抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与

DT半导体材料 2024-09-11 4293浏览
单晶金刚石技术将首次应用于化学机械抛光中

随着半导体技术的飞速发展，化学机械抛光（CMP）作为一项关键工艺，承担着集成电路制造中平整化处理的重任。CMP工艺通过机械磨削和化学反应相结合的方式，使得晶圆表面达到所需的平整度，以满足后续工艺需求。传统的CMP耗材多采用多晶金刚石，这种材料虽然价格较为经济，但在长时间高精度加工中的耐磨性和稳定性较差。而单晶金刚石由于其优异的机械强度和化学惰性，逐渐被认为是替代多晶金刚石的理想材料。通过激光切割的

DT半导体材料 2024-09-05 542浏览
一文了解CMP化学机械抛光

化学机械抛光（CMP）是晶圆制造的关键步骤，其作用在于减少晶圆表面的不平整，而抛光液、抛光垫是CMP技术的关键耗材，价值量较高，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，其品质直接影响着抛光效果，因而对提高晶圆制造质量至关重要。抛光液/垫技术壁垒较高，高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素，而抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。随着制程不断迭代，未来抛光材料将往专用化

DT半导体材料 2023-08-17 1434浏览
【研究】单晶金刚石的可见光辅助化学机械抛光

单晶金刚石具有硬度高、化学稳定性好等特点，但是高效率、高质量抛光一直是一个难点。目前主要的抛光方式包括普通机械抛光、热机械抛光、离子束抛光和化学机械抛光等。普通机械抛光材料去除速率较低，而且表面粗糙度为664 nm；热机械抛光设备和程序复杂，有热畸变效应，其表面粗糙度能达到约6 nm；离子束抛光金刚石表面会出现明显的坑，表面粗糙度约为14 nm；化学机械抛光表面粗糙度可达0.5 nm，因此化学机械

DT半导体材料 2022-09-07 1543浏览
碳化硅的化学机械抛光

来源 | 光学在线智库 | 云脑智库(CloudBrain-TT)云圈 | 进“云脑智库微信群”,请加微信:15881101905,备注研究方向碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。晶片的表面会有损伤，损伤源

云脑智库 2021-09-23 3533浏览
碳化硅的化学机械抛光

碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。晶片的表面会有损伤，损伤源于本来晶体生长的缺陷、前面加工步骤中的破坏。对于局部损伤，世界上有四种方法：不管、更换、修补、去除；对于碳化硅表面的损伤层，不管不顾肯定不行，因为会影响器件的成品率；更换晶片，不就是砸

半导体工艺与设备 2021-09-01 1632浏览
金刚石化学机械抛光研究现状

摘要：金刚石由于其独特的性质成为未来科技的重要材料，但较差的表面质量会影响其在高科技领域的应用，因此实现金刚石超精密加工是提高金刚石应用的关键｡化学机械抛光( CMP)是集成电路中获得全局平坦化的一项重要工艺，能够实现金刚石的超精密加工｡介绍了现有的金刚石加工方法和金刚石化学机械抛光的研究现状，并与其他的加工方法(机械抛光､摩擦化学抛光､热化学抛光等)进行了对比，其他加工方法存在加工后表面损伤严

DT半导体材料 2021-07-29 2661浏览

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