耗尽型 - 电子工程专辑

耗尽型

如何对耗尽型pHEMT射频放大器进行有效偏置？

假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是耗尽型器件，其漏源通道的电阻接近0 Ω。此特性使得这些器件可以在高开关频率下以高增益运行。然而，如果栅极和漏极偏置时序不正确，漏极沟道的高电导率可能会导致器件烧毁。本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。文中将介绍并比较固定栅极电压和固定漏极电流电路

亚德诺半导体 2023-11-20 559浏览
[新品介绍]改进型SOT-223-2L封装的800VN沟道耗尽型MOSFET

非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。耗尽型MOSFET CPC3981Z与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。这将漏极与栅极之间的引脚间距从1.386毫米增加到超过4毫米。爬电距离延长有利于开关模式电源设备（SMPS）或功率

力特奥维斯Littelfuse 2023-10-17 736浏览
[技術文章]耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品

作者：Littelfuse公司产品工程师Aalok Bhatt；产品总监José Padilla；产品经理Raymon Zhou功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗

力特奥维斯Littelfuse 2023-06-27 2060浏览
【代理线】ARK（方舟微）推出N沟道耗尽型MOSFET-DMZ1520E

点击蓝字关注我们DMZ1520EARK（方舟微）DMZ1520E产品在工业自动化、汽车电子、新能源等应用电路中，可用于LDO供电。如下图所示，电路中只使用了一个DMZ1520E，它可以将高输入电压转换为稳定的低电压为LDO供电，同时为LDO提供瞬态浪涌抑制。为LDO供电LDO的输入输出电压满足关系式: Vs=Vout+|VGS(OFF)|。该系列MOSFET响应速度快，电路结构简单。ARK（方舟微

皇华电子元器件IC供应商 2023-01-12 954浏览

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