硅晶 - 电子工程专辑

硅晶

国内首套碳化硅晶锭激光剥离设备投产

据新闻晨报报道，8月21日，从江苏通用半导体有限公司（下文简称通用半导体）传来消息，由该公司自主研发的国内首套的8英寸碳化硅晶锭激光全自动剥离设备正式交付碳化硅衬底生产领域头部企业，并投入生产。图：8英寸SiC晶锭激光全自动剥离设备（source：通用半导体）据介绍，该设备可实现6英寸和8英寸碳化硅晶锭的全自动分片，并可剥离碳化硅衬底20000片，实现良率95%以上，与传统的线切割工艺相比，大幅降

化合物半导体市场 2024-08-23 500浏览
碳化硅晶片市场有哪些不确定性？

芝能智芯出品碳化硅 (SiC) 晶片市场正处于技术创新与市场需求交织的关键时刻。作为一种极具潜力的半导体材料，SiC 因其优越的物理特性，尤其在高功率应用中的表现，吸引了广泛关注。随着电动汽车市场的普及速度放缓，以及 SiC 供应链的不确定性，特别是全球的产能上的速度太快了。Part 1碳化硅的技术优势与市场需求碳化硅具有高效能、长寿命、小尺寸和简单设计等显著优势，使其在高功率应用中具有无可替代的

汽车电子设计 2024-08-16 415浏览
碳化硅晶片的超精密抛光工艺

摘要使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片。0 引言与传统半导体相比，单晶碳化硅作为新型半导体材料，具有禁带宽度大（3.3 eV）、击穿电场高（0.8~ 3.0 MV/cm）、热导率高（3.0

半导体工艺与设备 2024-07-17 682浏览
Qorvo收购Anokiwave，以硅晶创新推动毫米波5G商业化

毫米波5G在带宽、用户容量和服务质量方面具有显著优势，但毫米波5G商业化迄今仍面临诸多挑战。而且相关商业实践能否成功，关键在于如何通过大批量生产和经济规模来降低成本，并使其与WiFi的成本相当，如此才能真正发挥毫米波5G的巨大潜力。全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo®于2024年初宣布已就收购Anokiwave达成最终协议，本文将介绍高性能硅基集成电路的领先供应商Anokiwave如何利

Qorvo半导体 2024-06-05 680浏览
技术分享|碳化硅晶片为什么存在C面和硅面?

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。举个例子，Si原子直径大，相当于苹果，C原子直径小，相当于橘子，把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。SiC 是一种二元化合物，其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å，这个间距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm，就是30Å的距离

DT半导体材料 2024-03-25 1332浏览
碳化硅晶片为什么存在C面和硅面?

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。举个例子，Si原子直径大，相当于苹果，C原子直径小，相当于橘子，把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。SiC 是一种二元化合物，其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å，这个间距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm，就是30Å的距离

半导体工艺与设备 2024-03-18 785浏览
碳化硅晶片为什么存在C面和硅面?

SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。举个例子，Si原子直径大，相当于苹果，C原子直径小，相当于橘子，把数量相等的橘子和苹果堆在一起就成了SiC晶体。SiC 是一种二元化合物，其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å，这个间距如何理解呢？目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm，就是30Å的距离

半导体工艺与设备 2024-03-02 1246浏览
采用升华C60源材料作为电子传输层的钙钛矿-硅晶叠层太阳能电池实现30.9%的效率

来自阿卜杜拉国王科技大学（King Abdullah University of Science and Technology，KAUST）、普林斯顿大学（Princeton University）、马尔马拉大学（Marmara University）、捷克科学院（Academy of Sciences of the Czech Republic）和Nano-C的研究人员设计了一种钙钛矿-硅叠层太

DT半导体材料 2024-01-30 1089浏览
【半导体】干货丨碳化硅晶片的化学机械抛光技术

碳化硅(SiC)材料具有尺寸稳定性好、弹性模量大、比刚度大、导热性能好和耐腐蚀等性能，在现代工业领域应用广泛：在半导体领域，利用其具有禁带宽度、击穿场强高和导热性良好等特性，SiC成为继第一代半导体硅(Si)和第二代半导体砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体理想材料；在光学镜面领域，利用其轻量化、比刚度大和热变形系数小等特点，SiC成为空间反射镜光学元件的优选材料；在机械密封领域，利用其较高的尺寸

DT半导体材料 2024-01-24 965浏览
总投资8.3亿！徐州天科合达碳化硅晶片二期扩产项目封顶

第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开，详见后文12月28日，徐州经开区天科合达碳化硅晶片二期扩产项目全面封顶。金龙湖发布消息显示，天科合达碳化硅晶片二期项目由江苏天科合达半导体有限公司投资建设，总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，购置安装单晶生长炉及配套的多线切割机，外圆及平面磨床，双磨研磨机等主要生产设备以及配套动力辅助设备合计647台（套），核心生产区洁净度

半导体前沿 2023-12-31 1740浏览
总投资8.3亿元！江苏天科合达碳化硅晶片二期扩产项目开工

来源：澎湃新闻8月8日上午，江苏天科合达半导体有限公司（简称“江苏天科合达”）碳化硅晶片二期扩产项目在徐州经开区开工。项目总投资8.3亿元，达产后，可实现年产碳化硅衬底16万片。北京天科合达是国内首家专业从事第三代半导体碳化硅衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业，国家工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业，其导电型晶片全球市场占有率排名第二、国内占有率排名第一。2018年，北京天

CINNOResearch 2023-08-09 1619浏览
详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案

在碳化硅半导体的制备过程中，晶圆衬底制造作为占据总成本的40%，是至关重要的一项工艺。在半导体晶圆衬底制造过程中，切割磨抛工序是不可或缺的环节之一,它是将硅晶圆切割成较薄的片状，然后进行研磨和抛光，以获得所需的平整度和表面光洁度。而在切割磨抛工序中,高性能的研磨抛光材料扮演着至关重要的角色。Qual Diamond专业开发和生产用于精密抛光的纳米级/微米级金刚石粉末和金刚石研磨液及悬浮液，在人造金

DT半导体材料 2023-08-07 1084浏览
【半导光电】碳化硅晶片的超精密抛光工艺

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----摘要使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳

今日光电 2023-05-30 1138浏览
碳化硅晶片成功的秘诀

我们今天使用的几乎所有设备都依赖于半导体。新的技术进步和要求要求要求在许多要求苛刻的半导体应用中使用碳化硅（SiC）。由于其物理和电子特性，基于SiC的设备非常适合高温和高功率/高频电子设备，从而实现电动汽车（EV），5G和物联网技术的进步。虽然它们为最终用户带来了很多好处，但生产高质量的SiC衬底给晶圆制造商带来了许多挑战。15年来，Pureon一直为SiC晶圆制造商提供最先进的切片和表面处理步

半导体工艺与设备 2023-03-20 1012浏览
碳化硅晶片成功的秘诀

我们今天使用的几乎所有设备都依赖于半导体。新的技术进步和要求要求要求在许多要求苛刻的半导体应用中使用碳化硅（SiC）。由于其物理和电子特性，基于SiC的设备非常适合高温和高功率/高频电子设备，从而实现电动汽车（EV），5G和物联网技术的进步。虽然它们为最终用户带来了很多好处，但生产高质量的SiC衬底给晶圆制造商带来了许多挑战。15年来，Pureon一直为SiC晶圆制造商提供最先进的切片和表面处理步

半导体工艺与设备 2023-03-18 863浏览
【超精密加工】金刚石线切割碳化硅晶碇

碳化硅晶碇是运用金刚石线切割机切割成晶片的。金刚石线切割机广泛用于切割各种金属和非金属复合材料，特别适用于切割高硬度、高价值、易破碎的各种脆性晶体。金刚石线切割机的切割原理与弓锯相仿，主要分为四个部分：金刚线作为弓锯的锯条；两个弹簧或者气动的线轮用于张紧金刚线；两个导向轮用于确保切割的精度和面型；高速旋转并往复回转的绕丝筒用于带动金刚线做往复运动。金刚石线在固定的晶体上做往复运动，由此切割。与金刚

DT半导体材料 2022-09-24 1899浏览
一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉

半导体工艺与设备 2022-06-02 1600浏览
中国科学家开创新型晶圆制作工艺，6英寸硅晶片集成100个光学探测仪，有望在特殊传感器领域替代现有半导体工艺

“通过无化学粘合层纳米转移印刷工艺做出的 6 英寸晶片，与光刻工艺做出来的几乎无差别。并且，该技术还具有低价、均匀、精密等优势，在某些应用场景，未来将有可能代替现有的半导体工艺。”西南交通大学智慧城市与智能交通学院副教授赵志俊表示。上文提及的新型纳米转印技术（CF-NTP，Chemical-free Nanotransfer Printing），是一种基于纳米级低熔点效应的直接化学吸附辅助纳米转印

半导体产业纵横 2022-04-16 1257浏览
碳化硅晶片加工过程及难点

采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点。这样的产品基础上游材料，必然会收到下游市场的大量采用。碳化硅上下游产业链在碳化硅晶片生产中，衬底是碳化硅产业链最核心的环节，直接制约碳化硅应用放量。根据有关数据显示，其衬底的成本约占整个环节的50%！01碳化硅晶片生产工艺流程碳化硅晶片生产流程碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT

半导体工艺与设备 2022-02-19 1960浏览
碳化硅晶片加工过程及难点

采用碳化硅的器件具有耐高温、耐高压、大功率，还可以提高能量转换效率并减小产品体积等特点。这样的产品基础上游材料，必然会收到下游市场的大量采用。碳化硅上下游产业链在碳化硅晶片生产中，衬底是碳化硅产业链最核心的环节，直接制约碳化硅应用放量。根据有关数据显示，其衬底的成本约占整个环节的50%！01碳化硅晶片生产工艺流程碳化硅晶片生产流程碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT

半导体工艺与设备 2022-01-22 1819浏览
重塑半导体产业格局碳化硅晶片从“书架”走向“货架”

免费入驻咨询热线：400-1027-270 第三代半导体行业技术准入门槛极高，碳化硅晶体生长极其困难，只有少数发达国家掌握碳化硅晶体生长和加工技术。碳化硅晶体国产化，对打破第三代半导体的国外垄断至关重要。 ——冯四江北京天科合达半导体股份有限公司董事会秘书科研和经济联系不紧密问题，是多年来的一大痼疾。如何更好地促进科技成果

半导体商城 2021-02-04 820浏览

正在努力加载更多...

广告

今日新闻

热门文章排行

广告

最新评论更多>>

一般喜欢标榜“打破垄断”“国x领先”的都死的比较快。嘴比手厉害

56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

资料

文库

帖子

博文

在线研讨会

EE直播间

第三代功率半导体器件测试解决方案直播时间：03月06日 10:00

E聘热招职位