硅基氮化镓 - 电子工程专辑

硅基氮化镓

首次实现！新型硅基氮化镓光电极结构

【DT半导体】获悉，中国科学技术大学，该校孙海定教授团队、熊宇杰教授团队联合武汉大学刘胜院士团队，通过创新设计一种晶圆级可制造的新型硅基氮化镓纳米线光电极结构，实现了高达10.36%的半电池太阳能制氢效率，并在高电流密度下稳定产氢超过800小时，首次将光电极使用寿命从小于100小时的“小时级”推进至“月级”，成功突破传统光电制氢装置在效率和可靠性上的瓶颈，达到国际领先水平，为下一步规模化制氢应用打

DT半导体材料 2025-02-24 260浏览
南京国盛首枚硅基氮化镓外延片正式下线！

第五届半导体湿电子化学品与电子气体论坛将于3月27-28日在无锡召开，详见后文12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延产品下线，标志着国盛公司已步入第三代半导体产业发展的快车道。硅基氮化镓材料拥有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势，同时整体具有更大的成本优势，具有极高的竞争力。国盛公司制备的硅基氮化镓外延片，可以满足电力电子用氮化镓器件的需

半导体前沿 2023-12-25 787浏览
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。据介绍，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹，翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓度约8×1013cm-2、2DEG迁移率大于2000 cm2/Vs，片内与片间不

半导体前沿 2023-12-11 871浏览
首款用于Micro-LED的300mm硅基氮化镓蓝色LED晶圆面世

CINNO Research产业资讯，5月23日—致力于高性能Micro-LED技术开发的前沿公司Mojo Vision，今天对外宣布了一个重要的开发和工艺里程碑——成功点亮了第一块基于300mm硅基氮化镓蓝色LED阵列晶圆。据了解，这一成就标志着该公司在最先进300mm CMOS晶圆厂制造Micro-LED产品方面取得了重要进展。这是Mojo Vision公司在过去五年中为显示行业创造的第四个世

CINNOResearch 2023-05-25 1158浏览
MojoVision开发300mm蓝色硅基氮化镓MicroLED阵列晶圆，第5次刷新记录！

昨日，Micro LED微显示器开发商Mojo Vision宣布，成功点亮了首款300mm蓝色硅基氮化镓Micro LED阵列晶圆，这是Mojo Vision 在过去五年中第四次刷新显示行业纪录，此前该公司曾开发过号称世界上最小、最密集的动态显示器，包括了像素密度为14k PPI、20k PPI和28k PPI的产品。Mojo Vision 表示，Micro LED技术为显示器提供了关键性能表现、

DT半导体材料 2023-05-24 985浏览
硅基氮化镓的投资思考

01国内氮化镓赛道的投资价值一、氮化镓赛道的投资价值第三代半导体的材料特性带来其对硅基功率器件部分市场的逐步替代，这一点不断通过市场应用的验证，已基本成为共识。相比碳化硅，目前硅基氮化镓的主要劣势包括耐压等级低和缺乏可靠性的验证数据。另外，由于硅基氮化镓整体产值低，尚未形成规模效应，导致成本相比碳化硅并没有形成优势。但目前硅基氮化镓厂商正在通过外延、器件结构、驱动控制电路推动产品向高耐

EETOP 2021-09-02 1540浏览
硅基氮化镓的投资思考

01国内氮化镓赛道的投资价值一、氮化镓赛道的投资价值第三代半导体的材料特性带来其对硅基功率器件部分市场的逐步替代，这一点不断通过市场应用的验证，已基本成为共识。相比碳化硅，目前硅基氮化镓的主要劣势包括耐压等级低和缺乏可靠性的验证数据。另外，由于硅基氮化镓整体产值低，尚未形成规模效应，导致成本相比碳化硅并没有形成优势。但目前硅基氮化镓厂商正在通过外延、器件结构、驱动控制电路推动产品向高耐

传感器技术 2021-09-01 1449浏览
RF应用：碳化硅基PK硅基氮化镓

文︱立厷图︱网络到2026年，RF GaN器件市场预计将超过24亿美元。GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）和GaN-on-Si（硅基氮化镓）之间的的技术和生产竞争已经出现。Yole功率和无线部门复合半导体和新兴衬底团队首席分析师Ezgi Dogmus博士断言：“伴随新兴的RF GaN市场，近年来的显著投资塑造了未来的供需关系，这一点值得密切关注。”她补充道：“碳化硅基氮化镓是主要的技术平台。器

TechSugar 2021-08-23 2277浏览
碳基攻克散热？硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究

摘要：在 50.8 mm（2 英寸）硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积 100 nm厚度的氮化硅材料，然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力，保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀，使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示，样品具有良好

DT半导体材料 2021-04-20 2732浏览

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