硅功率器件 - 电子工程专辑

硅功率器件

一汽红旗首款1700V超高压碳化硅功率器件样件开发成功

近日，由中国一汽研发总院新能源开发院功率电子开发部主导设计的首款1700V超高压碳化硅功率器样件开发成功。相关产品与技术可助力电动汽车补能系统向超高压平台升级，极大缩短充电时间。该超高压功率器件搭载国产先进1700V车规级超高压碳化硅芯片，创新采用高介电强度封装材料、高耐压封装结构等技术，经过测试，器件工作的最高母线电压可达1200V。与此同时，该超高压功率器件结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设

WitDisplay 2024-10-25 1188浏览
碳化硅功率器件相关企业开启IPO辅导备案！

9月27日，中国证监会网站披露关于苏州华太电子技术股份有限公司（下文简称“华太电子”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告。报告显示，2024年9月13日，华太电子与华泰联合证券签署了上市辅导协议。资料显示，华太电子成立于2010年3月，是一家拥有半导体产业链多环节底层核心技术、多领域布局协同发展的平台型半导体公司。公司主要从事射频系列产品、功率系列产品、高端散热材料的研发、生产与销售，并提供大功率

化合物半导体市场 2024-09-30 423浏览
总投资10亿，江苏这个碳化硅功率器件项目开工

6月26日，据建湖发布官微消息，江苏省盐城市建湖县举行重大产业项目推进暨北一半导体功率器件项目开工活动。source：建湖发布据悉，北一第三代半导体功率器件项目总投资10亿元，分两期实施。项目全部投产后，可年产半导体器件125万件，年可实现开票销售15亿元，税收1.2亿元。官微资料显示，北一半导体成立于2017年，总部位于深圳市，生产基地位于黑龙江省穆棱市，是一家专注于Si基、SiC基功率半导体芯

化合物半导体市场 2024-07-01 529浏览
【邀请函】贝思科尔邀您碳化硅功率器件制造与应用测试大会

碳化硅功率器件制造与应用测试大会将于2024年6月26-28日在无锡锡山举行，贝思科尔将携功率器件测试解决方案亮相本次大会，诚挚欢迎您的到来。活动以“穿越周期 | 韧性增长”为主题，大会邀请了全国功率半导体产业技术实力最强的高校和院所教授授课，话题方向为包括SiC MOSFET功率芯片设计与制造、GaN 功率器件设计与应用、功率器件封装工艺、系统互联建模及设计、高功率高效率电源设计挑战及方案等，本

碳化硅芯观察 2024-06-24 525浏览
碳化硅功率器件营收排名：ST稳居第一、安森美跃第二

据TrendForce研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动车应用驱动下保持强劲成长，五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，意法半导体（STMicroelectronics）以32.6%续领先，安森美则由2022年第四名升至第二名。图片来源：英飞凌TrendForce分析，2024年AI服务器等需求显著大增，纯电动车销量成长速度明显放缓和工业需求走弱，影响SiC供应链，今年全

EETOP 2024-06-21 703浏览
阳光电源｜碳化硅功率器件在新能源电能变换中的应用和挑战

2000V高压光储及“干细胞构网技术”助力全球能源转型在全球能源转型的大背景下，光伏和储能技术的革新成为推动新型电力系统稳定运行的关键。今年3月，全球光伏逆变器龙头阳光电源股份有限公司在安徽合肥举办的“PAT2023先进技术研讨会”上发布了2000V高压光储系统以及升级版“干细胞构网技术”，这两项技术的推出不仅有望大幅提升电站的经济性，也将助力新型电力系统全场景稳定运行。阳光电源发布的2000V高

碳化硅芯观察 2024-06-09 1333浏览
IPF2024|第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会会议进程通知【日程安排+第一批参会名单】

“穿越周期，韧性增长”2024年6月26-28日，由无锡市锡山经济技术开发区管委会、InSemi Research主办的 IPF2024 第二届碳化硅功率器件制造与应用测试大会暨化合物半导体产业高峰论坛将在无锡锡山长三角工业芯谷会议中心举行。会议初步日程安排如下，诚邀行业朋友共聚！主办单位无锡市锡山经济技术开发区管委会InSemi Research承办单位碳化硅芯观察电动车千人会协办单位无

碳化硅芯观察 2024-06-05 1425浏览
10亿，碳化硅功率器件等4个项目签约落地北京顺义

6月1日，据北京日报报道，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛在顺义举办。会上，北京顺义科技创新集团总经理何磊代表顺义区人民政府与北京创挚益联科技有限公司、金冠电气股份有限公司、圆坤（北京）半导体装备有限公司、北京昌龙智芯半导体有限公司签署合作协议。source：顺义区融媒体中心伴随着合作协议签署，4个产业项目正式签约落地顺义，包括泊松芯能空间项目、SiC功率器件用陶瓷封装基板项目、氧化镓晶体生长

化合物半导体市场 2024-06-03 863浏览
深圳这一碳化硅功率器件研究中心获认证

4月28日，美浦森半导体官微发文称，广东省科学技术厅发布了关于认定2023年度广东省工程技术研究中心的通知，公司建设的“广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心”顺利通过认定。据介绍，广东省工程技术研究中心“由广东省科学技术厅”主导，是构建以企业为主体、市场为导向、产学研用深度融合的技术创新体系的重要科研平台。旨在深入实施创新驱动发展战略，充分发挥其在产业技术创新、工程化研究开发和科技成

化合物半导体市场 2024-04-28 10963浏览
碳化硅功率器件：从晶圆到封装的技术与成本概览

芝能智芯出品随着新能源汽车市场的蓬勃发展，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的性能和效率，正逐渐成为电动汽车（EV）动力系统中的关键组件。本文将探讨SiC功率器件的市场现状、技术进展、以及成本考量，为读者提供一个全面的SiC功率器件行业概览。Part 1SiC功率器件市场概况SiC功率器件市场正处于快速增长阶段，特别是在汽车电动化趋势的推动下，其市场规模预计将持续扩大。根据Yole Group的报告

汽车电子设计 2024-04-07 921浏览
专注碳化硅功率器件，至信微电子完成A+轮融资

深圳至信微电子日前完成A+轮融资，本轮由深圳重大产业投资集团投资，以及老股东深圳高新投继续追加投资，以共同推动碳化硅功率器件领域的技术创新和市场拓展。至信微电子成立于2021年，一直致力于碳化硅功率器件的研发、生产和销售，主打产品为碳化硅MOSFET及模组等系列产品。公司推出的碳化硅器件产品目前已在光伏、新能源汽车、工业等领域获得客户认可。至信微电子团队由来自华润微、意法半导体等世界知名半导体企业

MEMS 2024-02-05 615浏览
【涨知识】碳化硅功率器件封装的三个关键技术

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战，本文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因，并对国内外的现有低寄

滤波器 2024-01-06 699浏览
报告分享|复旦大学研究员雷光寅博士：碳化硅功率器件现状及小型化发展趋势

2023年11月1日，雷光寅博士受邀在上分享报告。报告中详细介绍了目前碳化硅功率半导体应用市场情况，以及先进碳化硅半导体器件的最新进展，最后雷博士对国内碳化硅功率器件的发展现状及未来趋势表述了自己的看法。复旦大学雷光寅研究员精彩演讲中以下为雷光寅博士的部分演讲内容，经编辑修改后发出。01蓬勃发展的功率半导体市场近些年，我国在半导体行业有许多重大举措。02专项（2006）、工业强基专项（201

DT半导体材料 2023-11-17 1459浏览
【光电集成】碳化硅功率器件封装的三个关键技术

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性

今日光电 2023-09-30 842浏览
为何碳化硅功率器件能助力实现更好的储能系统？

点击蓝字关注我们之前《一文搞懂住宅和商业电池储能系统架构实现》的文章中，提及了像碳化硅这样的宽禁带半导体元件的大规模生产可以将储能系统效率和热性能提升到一个新的水平。具体而言，碳化硅在带隙能量、击穿场强、热导率等几个参数方面具有优越的特性。这些特性允许 SiC 系统以更高的频率运行而不会损失输出功率，从而可以减小电感器的尺寸。它还可以优化散热系统，用自然散热代替强制风冷系统。在某些情况下，可以移

安森美 2023-09-27 882浏览
【光电集成】碳化硅功率器件封装的三个关键技术

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性

今日光电 2023-09-22 615浏览
气派科技拟定增募资不超1.3亿元！投建第三代半导体及硅功率器件先进封测项目

来源：HNPCA6月20日晚间，气派科技发布以简易程序向特定对象发行股票预案。公司本次发行股票募集资金总额不超过13000.00万元，符合科创板以简易程序向特定对象发行融资总额不超过人民币三亿元且不超过最近一年末净资产百分之二十的规定。本次发行股票募集资金总额在扣除相关发行费用后的募集资金净额拟投资于第三代半导体及硅功率器件先进封测项目、偿还银行贷款。发行股票的种类为境内上市的人民币普通股（A股）

CINNOResearch 2023-06-21 769浏览
碳化硅功率器件的应用机会及未来

碳化硅功率器件的未来趋势是朝着尺寸缩小的方向发展。5月17日，深圳市森国科科技股份有限公司董事长杨承围绕碳化硅功率器件、碳化硅器件的未来应用做了《碳化硅功率器件的应用机会及未来》的分享。碳化硅材料优势相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。碳化硅更适合作为衬底材料。在高压和

半导体工艺与设备 2023-06-04 721浏览
碳化硅功率器件的应用机会及未来

碳化硅功率器件的未来趋势是朝着尺寸缩小的方向发展。5月17日，深圳市森国科科技股份有限公司董事长杨承围绕碳化硅功率器件、碳化硅器件的未来应用做了《碳化硅功率器件的应用机会及未来》的分享。碳化硅材料优势相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。碳化硅更适合作为衬底材料。在高压和

半导体工艺与设备 2023-05-22 1059浏览
复容投资企业——清纯半导体完成数亿元A+轮融资，打造国内领先的碳化硅功率器件供应商！

4月26日，复容投资企业——清纯半导体（宁波）有限公司（以下简称“清纯半导体”）宣布已完成数亿元A+轮融资。本轮融资由蔚来资本、士兰微及其战略基金、华登国际联合领投，老股东高瓴创投持续加注，同时获得宏微科技、鸿富资产及多家电源和光伏企业等机构鼎力支持。本次融资将用来进一步完善公司供应链布局、扩大团队、建设量产实验室并支撑产品上量。清纯半导体成立于2021年3月，致力成为国内领先的碳化硅功率器件供应

DT半导体材料 2023-04-26 1796浏览
安森美和极氪签署碳化硅功率器件长期供应协议

点击蓝字关注我们智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）和豪华智能纯电品牌极氪智能科技（ZEEKR）宣布双方签署长期供应协议（LTSA）。安森美将为极氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能电动汽车（EV）的能效，从而提升性能，加快充电速度，延长续航里程。极氪将采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，以配合其不

安森美 2023-04-26 960浏览
碳化硅功率器件封装的三个关键技术

▲ 更多精彩内容请点击上方蓝字关注我们吧！碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战，本文分析传统封装结构中杂

电子工程世界 2023-02-25 1399浏览
碳化硅功率器件封装关键技术

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战，论文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因，并对国内外的现

DT半导体材料 2023-02-20 1317浏览
基本半导体完成C4轮融资，专注于碳化硅功率器件研发

9月20日，深圳基本半导体有限公司（以下简称“基本半导体”）完成C4轮融资，由新股东德载厚资本、国华投资、新高地等机构联合投资，现有股东屹唐长厚、中美绿色基金等机构继续追加投资。基本半导体本轮融资将用于进一步加强碳化硅产业链关键环节的研发制造能力，提升产能规模，支撑碳化硅产品在新能源汽车、光伏储能等市场的大规模应用。基本半导体成立于2016年，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，该公司掌握领先的

半导体前沿 2022-09-24 1481浏览
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望

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DT半导体材料 2022-08-22 740浏览

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我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

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