硅衬底 - 电子工程专辑

硅衬底

晶能光电：硅衬底GaN材料应用大有可为

10月9日-11日，由中国材料研究学会主办的第四届中国新材料产业发展大会在温州隆重举行，这是集中力量解决在关键核心领域新材料“卡脖子”问题的一次盛会。来自全国各地的6000余名新材料专家、企业家、投资家、当地高等院校和企事业单位的代表以及51位两院院士出席了本次大会。光电材料显示分论坛，晶能光电副总裁付羿博士受邀分享了以《硅衬底GaN材料在光电器件中的应用》为主题的报告，介绍了硅衬底GaN材料应用

化合物半导体市场 2023-10-12 755浏览
MicroLED新突破！晶能光电首发硅衬底InGaN基三基色外延

晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。据悉，晶能光电创立于2006年，是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电产品提供商，为全球客户提供高品质的LED（外延、芯片、封装和模组）光源和感知传感器件产品和解决方案。晶能光电展示12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果基于近20年的硅衬底GaN基LED技术和产业化积累

JMInsights集摩咨询 2023-09-02 958浏览
MicroLED新突破！晶能光电首发12英寸硅衬底InGaN基三基色外延

近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。晶能光电展示12英寸硅衬底红、绿、蓝光InGaN基LED外延片快检EL点亮效果据悉，晶能光电创立于2006年，是具有底层芯片核心技术的全产业链IDM半导体光电产品提供商，为全球客户提供高品质的LED（外延、芯片、封装和模组）光源和感知传感器件产品和解决方案。基于近20年的硅衬底GaN基LED技术和产业

WitDisplay 2023-08-31 916浏览
硅衬底氮化镓技术如何推动MicroLED的产业化发展？

Micro LED新型显示具有巨大市场前景，也面临着一系列技术挑战。选择合理的产业化路线对推动Micro LED应用落地非常关键。晶能光电是大尺寸硅衬底氮化镓Micro LED工艺路线的坚定实践者。在2023集邦咨询新型显示产业研讨会上，晶能光电外延工艺经理周名兵介绍了硅衬底GaN基Micro LED技术的发展情况。晶能光电外延工艺经理周名兵在巨大市场前景下，Micro LED仍面临很大技术挑战得

DT半导体材料 2023-04-23 1132浏览
利用飞秒激光的GHz脉冲串模式在硅衬底上构建二维表面结构

飞秒激光以其独特的特性，如超短脉冲宽度和极高峰值强度，为材料加工开辟了新的途径，展现了比其他传统激光在多种材料加工方面更为优越的性能。飞秒激光加工最重要的特点之一是可通过抑制热影响区实现超高质量超高精度微纳加工。飞秒激光已被广泛应用于商业用途，比如电子、汽车和医疗部件的微加工和整形；智能手机和显示器玻璃和蓝宝石衬底的划线和切割；硅太阳能电池抗反射表面的纳米结构，以及硒化铜铟镓（CIGS）、硒化铜铟

MEMS 2023-02-06 938浏览
世界上最小的GaN激光芯片，可在硅衬底上批量生产！

EETOP版图就业&提升班正式开班报名！京瓷(Kyocera)最近宣布在硅(Si)衬底上生长一种新型氮化镓(GaN)激光芯片，这是光电子技术持续小型化的一个重要里程碑。这款新开发的芯片是在Si上生产的最小激光源之一，这要归功于京瓷的一种新的GaN生长工艺。除了小于100μm的激光器的原始优点外，京瓷的进步还表明了进一步将光学和电子领域联合起来的更大趋势。激光和光纤技术已经为设计人员提供了新的高速通

EETOP 2022-12-02 982浏览
全彩化关键突破！晶能成功制备硅衬底红光Micro LED

点击上方蓝字关注我们日前，晶能光电报道成功制备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列，在Micro LED全彩芯片开发上前进了关键一步。整理 | 晶能光电编辑 | 每日LED微米尺寸的MicroLED制备已经脱离了普通LED工艺而进入了IC制程。大尺寸硅衬底GaN晶圆具有低成本、兼容IC制程、易于衬底剥离等核心优势，已成为MicroLED制备的主流技术路线。在国际上，A

每日LED 2021-09-06 881浏览

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一般喜欢标榜“打破垄断”“国x领先”的都死的比较快。嘴比手厉害

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砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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