光探测器 - 电子工程专辑

光探测器

硅波导集成扭转双层石墨烯光探测器，具高响应度和高带宽

5G通信和物联网时代数据量呈指数增长，对光通信的能耗、带宽、成本等提出了更高的要求。在光通信中，硅光技术借鉴了硅基集成电路工艺，将光信号传输、信息加载与解调、数据计算等功能集成在一个芯片上（即硅光芯片），因此集成度更高、功耗和成本更低。然而，硅光芯片中的光电元器件受制于硅锗等材料的带隙、迁移率等限制，在截止波长、带宽、效率等性能上仍有很大的提升空间，因此寻找兼容硅光技术的功能光电材料及器件结构，探

MEMS 2024-05-13 515浏览
高速光探测器的集成微透镜结构设计与制备

高速光探测器以获得更高的3 dB带宽为目标，减小器件台面面积能够使结电容降低从而提高带宽，但同时也增大了系统中的光耦合损耗。针对该问题，在高速光探测器衬底背面单片集成微透镜结构是一种有效的解决方案，该结构可通过补偿对准偏差来提高器件的光耦合效率。据麦姆斯咨询报道，近期，北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室的科研团队在《光子学报》期刊上发表了以“高速光探测器的集成微透镜结构设计与制备”为主题

MEMS 2023-09-15 787浏览
复旦大学李自清青年副研究员、方晓生教授：低维宽禁带半导体紫外光探测器

★欢迎星标果壳硬科技★研究团队 | 作者酥鱼 | 编辑近日，复旦大学光电研究院青年副研究员李自清在国际学术期刊Nature Reviews Materials上发表题为“Low-dimensional wide-bandgap semiconductors for UV photodetectors”的综述论文。光电研究院青年教师李自清和材料科学系博士研究生严婷婷是论文共同第一作者，光电研究院、

果壳硬科技 2023-09-04 804浏览
零偏压下近红外集成单波长波导光探测器

工作在零偏压下的波导光探测器外电路简单，器件具有低功耗、易集成等优点，因此设计零偏压下的高速、高响应度、具有波长选择性的波导光探测器具有重要意义和更广阔的应用前景。目前光子晶体滤波器与波导光探测器的单片集成器件还未得到充分的研究，这种单片集成器件对比于以往的波长选择型波导光探测集成器件，具有制备工艺简单、占地面积小、抗干扰能力强、易于大规模集成等突出优点，更适合构建智能光通信系统中高密集光网络架构

MEMS 2023-06-28 1451浏览
碳纳米管薄膜光探测器最新进展及光电集成应用

近期，北京大学彭练矛教授、王胜副研究员在清华大学主办的高起点新刊Nano Research Energy上发表题为“Recent Progress of Photodetector based on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的综述文章，该综述全面介绍了高纯度半导体碳纳米管的提纯和薄膜制备、

MEMS 2023-06-09 870浏览
基于镧系掺杂的核壳结构上转换纳米粒子的近红外光探测器

根据日本科学技术振兴机构（以下简称：JST）战略研究项目PRESTO，帝京科学大学（Teikyo University of Science）的Ayumi Ishii副教授团队开发了一种新型近红外光传感器，可将微弱的近红外光转换为可见光。图1 利用钙钛矿包覆的上转换纳米粒子（UCNP），制备了一种具有强近红外吸收和高UC效率的钙钛矿型近红外光探测器（来源：JST）如今，近红外光在日常生活中有着广

MEMS 2022-12-28 946浏览
基于石墨烯/硅纳米线阵列异质结的高灵敏度自驱动近红外光探测器

据麦姆斯咨询报道，近日，中国电子科技集团公司第四十八研究所的研究人员在《激光与红外》期刊上发表了题为“高性能石墨烯/硅纳米线阵列异质结光探测器”的最新论文，通过简单的化学气相沉积法（CVD）方法获得了石墨烯薄膜，并将其转移到硅纳米线阵列上，研制了一种响应式高灵敏度自驱动近红外（NIR）光探测器。在入射波长810nm、光强为90μＷ/cm²的光照下，光探测器的光电流响应度可以达到0.56A·W⁻¹，

MEMS 2022-11-24 1849浏览
基于石墨烯/硅微米孔阵列异质结的高性能近红外光探测器

据麦姆斯咨询报道，近日，中国电子科技集团公司第四十八研究所的研究人员成功开发了一种石墨烯/硅微米孔阵列异质结光探测器，该探测器实现了从紫外到近红外光的宽光谱探测。硅微米孔阵列的光捕获效应增强了探测器在紫外到近红外的吸收，并且，硅微米孔阵列光滑的表面与石墨烯形成高质量异质结，实现了较低的载流子表面复合速率。相关成果以“基于石墨烯/硅微米孔阵列异质结的高性能近红外光探测器”为题发表在《红外技术》期刊上

MEMS 2022-09-10 1698浏览

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