光刻 - 电子工程专辑

光刻

借助MicroLED，中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展

知识酷Pro 👆学显示行业知识找小酷！第1721篇推文近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本

BOE知识酷 2024-10-14 350浏览
中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展

近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有高能量密度、高分

DT半导体材料 2024-10-10 367浏览
借助MicroLED，中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展

知识酷Pro 👆学显示行业知识找小酷！第1716篇推文近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本

BOE知识酷 2024-10-10 316浏览
IWAPS2024|第八届国际先进光刻技术研讨会日程公布

第八届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS 2024）-IWAPS 2024- 来这里，聆听来自产业界和学术界的最新研发成果，探讨最新技术动态！国际先进光刻技术研讨会（IWAPS），基于中国，辐射全球。在国际光刻专家的鼎力支持下，在全球企业、高校、协会等支持下，IWAPS已形成了涵盖光刻设备、工艺、检测和测量、掩模和材料、计算光刻、设计与工艺协同优化、新型光刻技术等主题的国际先进光刻交流平台

CINNOResearch 2024-09-28 591浏览
国内首条光子芯片中试线启用，覆盖从光刻到封装全闭环工艺

9 月 26 日消息，据上海交通大学无锡光子芯片研究院消息，9 月 25 日，在 2024 集成电路（无锡）创新发展大会上，上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线正式启用。上海交通大学无锡光子芯片研究院介绍称，光子芯片是新一代信息技术的核心，能满足新一轮科技革命中人工智能、物联网、云计算、生物医药等领域对传输、计算、存储、显示的技术需求。然而一直以来，国内光子芯片行业面临中试平

CINNOResearch 2024-09-27 685浏览
突破！可改进EUV光刻

三星正在测试由东京电子提供的GCB设备，旨在改进其EUV光刻工艺。作者 | 张真据韩媒TheElec爆料，三星正在测试由东京电子（TEL）提供的气体团簇光束（GCB）设备，以期改进其极紫外（EUV）光刻工艺。东京电子方面证实，公司正在与客户正一同评估该设备性能，以决定是否将其用于晶圆代工厂。公开资料显示，东京电子是半导体制造设备的主要供应商，主营半导体的蚀刻、沉积和清洁环节，其客户包括先进逻辑及存

科创板日报 2024-09-03 582浏览
日本提出EUV光刻新方案！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓8月12日消息，据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。在传统光学系统中，例如照相机、

中国半导体论坛 2024-08-12 535浏览
EUV光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本！

8月2日，冲绳科学技术大学院大学（OIST）的教授新竹俊（Tsumoru Shintake）提出了一种极紫外（EUV）光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作，从而降低成本，显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环境可持续。据了解，该技术能取得突破，是因为它解决了该领域之前被认为无法克服的两个问题。第一个是仅

飙叔科技洞察 2024-08-06 708浏览
极紫外(EUV)光刻新技术问世！大幅提升半导体制造效益

来源：日本冲绳科学技术大学院大学近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新消息，Tsumoru Shintake 教授团队提出了一种超越半导体制造标准的极紫外 (EUV) 光刻技术。该研究团队称，该技术超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可使用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。这将有助于半导体行业实现更加

DT半导体材料 2024-08-05 917浏览
安徽首片！晶合集成光刻掩模版成功亮相

7月22日，由晶合集成生产的安徽省首片半导体光刻掩模版成功亮相，不仅填补了安徽省在该领域的空白，进一步提升本土半导体产业的竞争力，更标志着晶合集成在晶圆代工领域成为台积电、中芯国际之后，可提供资料、光刻掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。掩模版是连通芯片设计和制造的纽带，用于承载设计图形，通过光线透射将设计图形转移到光刻胶上，是光刻工艺中不可或缺的部件。晶合集成一直专注于高精度光刻掩模版研发和

CINNOResearch 2024-07-22 637浏览
EUV光刻，新里程碑

在进入High NA EUV光刻时代的前夕，imec计算技术与系统/计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer谈到了ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对半导体行业的意义。Steven Scheer表示：“位于荷兰费尔德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 联合光刻实验室的开业，标志着High NA EUV 大规模生产应用准备工作取得里程碑式进展。领先的内存和逻辑芯片

滤波器 2024-07-13 510浏览
【光电集成】深紫外光刻（Cornerstone）DUV南安普顿大学

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来---- 来源：光电读书申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对

今日光电 2024-06-23 526浏览
英特尔详解Intel3工艺：应用更多EUV光刻，同功耗频率提升至多18%

近日，英特尔介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的步骤，也将是一个长期提供代工服务的节点家族，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，适合模拟模块的制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，并支持更精细的 9μm 间

52RD 2024-06-20 650浏览
华特气体去年光刻气海外销售突破较大新型氟碳类气体、氢化物等已放量|直击业绩会

公司通过收购的海外公司赋能公司的多款产品已通过新加坡“3D NAND制造厂商”的认证。在2023年消费电子行业增速放缓、半导体销售回落的背景下。去年，半导体和显示器专用气体公司SOLE MATERIALS CO.,LTD和新能源发电公司晶澳太阳能成为公司新进前五大客户。作者 | 吴旭光“光刻气是公司的拳头产品，公司自主研发的Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne和Kr/F/Ne4种光刻气是国内唯一

科创板日报 2024-06-03 494浏览
ASML考虑推出通用EUV光刻平台，覆盖不同数值孔径

据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 顾问、前任 CTO 马丁・范登布林克（Martin van den Brink）近日称，这家光刻机制造商考虑推出一个通用 EUV 光刻平台。范登布林克在本月 21~22 日举行的 2024 年度 imec ITF World 技术论坛上表示：我们提出了一个长期（也许十年）的路线图：我们将拥有一个包含 Low NA（0.33NA）、High NA（0

52RD 2024-05-23 783浏览
突然爆发！来自武汉，利润狂涨213%；国内唯一掌握芯片光刻CMP全套技术！

众所周知，国产半导体及国产芯片的核心痛点就在光刻机；虽然各种小道消息说，国产光刻机整机即将突破28nm制程，可目前没有官方消息证实已经突破。不过，在国产光刻配套领域一直没有停止研发和努力。鼎龙股份——就是国产半导体光刻技术以及相关材料方面的隐藏冠军。一、2024第一季度净利润狂涨213%根据5月14日，鼎龙股份举行的年度股东大会暨投资者交流会。今年第一季度，鼎龙股份实现营业收入7.08亿元，同比增

飙叔科技洞察 2024-05-21 812浏览
清华孙洪波团队：提出结晶光刻新技术，实现钙钛矿单晶的“驭光生长”

★欢迎星标果壳硬科技★2024年5月1日，清华大学孙洪波教授、李正操教授、林琳涵副教授团队在“Nature Communications”上发表了题为“Optofluidic crystallithography for directed growth of single-crystalline halide perovskites”的论文。激光控制结晶的优势及挑战近年来，卤化铅钙钛矿材料作为一

果壳硬科技 2024-05-20 700浏览
聚焦利基市场！镭创宏为客户提供全新的PCB/FPC光刻开窗修理代加工体验

镭创宏公司概况深圳市镭创宏精密科技有限公司，成立于2019年，位于广东省深圳市，是一家从事激光应用加工为主的企业，其在PCB/FPC激光光刻开窗修理应用技术上有独特见解，积累了丰富的经验，始终坚持以客户需求服务为导向，品质至上，提供具备竞争力的光刻技术解决方案，为客户创造价值，实现共赢。光刻技术介绍光刻技术发展描述随着电子产品对线路板的要求越来越高，制作难度越来越大，靠传统的工艺去改善产品精度的要

PCBworld 2024-05-13 664浏览
【光电集成】E-Beam光刻（Nanofabrication）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----来源：光电读书申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体

今日光电 2024-04-29 484浏览
三星电子会长李在镕访问蔡司总部，深化EUV光刻和先进半导体设备合作

据三星官方新闻稿，三星电子会长李在镕于当地时间 26 日访问蔡司位于德国奥伯科亨的总部，并于蔡司 CEO 卡尔・兰普雷希特等就加强两家公司的合作进行了讨论。▲ 李在镕（中）、兰普雷希特（左）与蔡司半导体制造技术部门 CEO 安德烈亚斯・佩歇尔（右）在蔡司总部外合影留念。图源三星新闻稿，下同蔡司是 ASML EUV 光刻机光学系统的独家供应商，每台 EUV 光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件，蔡

52RD 2024-04-29 706浏览
【光电集成】E-Beam光刻（Nanofabrication）

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来----来源：光电读书申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体

今日光电 2024-04-25 572浏览
两种超构透镜量产制造技术：深紫外光刻和纳米压印

超构透镜（Metalens）是一种能够操控光线的人工纳米结构，提供了一种相比传统透镜显著缩小光学元件尺寸和厚度的技术。该技术在近红外波段尤其有效，在被称为“自动驾驶汽车眼睛”的激光雷达（LiDAR）、微型无人机以及医用探测器等领域具有广阔的应用前景。尽管潜力巨大，但以目前的技术即使制造指甲盖大小的超构透镜也造价不菲，这为其商业化带来了挑战。据麦姆斯咨询介绍，韩国近期的一项研究突破表明，其生产成本有

MEMS 2024-04-09 954浏览
【科普】芯片制造工艺：光刻(下)--EUV极紫外光刻

从光学光刻的原理可知，减小光源波长可以提高分辨率。所以光学光刻经历了从436nm到365nm、248nm，再到193nm的过程，那么极紫外光刻系统为什么会选择13.5nm？极紫外光刻系统为什么会选用全反射式的，而不是之前几代的折射透镜方式？EUV极紫外光刻的原理是什么？有哪些难点？又是如何解决的？本文主要内容：EUV光刻的选择EUV光源曝光系统 3.1 真空带来的限制 3.2 多层膜 3.

滤波器 2024-03-22 1846浏览
【科普】芯片制造工艺：光刻(中)--新曝光方式之电子束、X射线、离子束

上一篇中提到：相移掩模、光学邻近效应校正、离轴照明等方法能弥补光学曝光的不足，但人们也在寻找新的曝光方法来完成纳米级的集成电路制造。本文详细介绍其中的电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光分别的原理和优势劣势，以及应用场景。本文目录：电子束X射线离子束电子束电子束(e-beam)曝光是利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的。光学曝光的分辨率受到光波长的限制，光波长经历了

滤波器 2024-03-18 1712浏览
【科普】芯片制造工艺：光刻(上)

光刻就是将掩膜上的几何图形转移到涂在半导体晶圆表面的光敏薄层材料（光刻胶）上的工艺过程。为了产生电路图形，还需要再一次把光刻胶上的图形转移到光刻胶下面的组成集成电路器件的各层上去（刻蚀）。本文内容：光学光刻-掩膜、光刻胶光学光刻-曝光(设备、原理)光学光刻-提高分辨率：3.1 减小λ：从436nm到13.5nm3.2 增大NA：浸没式光刻机3.3 减小K1：相移掩膜、光学邻近效应矫正、

滤波器 2024-03-16 1742浏览

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确实是非常有价值的工具，京东买一个电源适配器用这玩意儿测电压然后发现电压不足有质量问题，然后赔钱给我，多买几个可以发财了哈。

james1982... 评论文章 2024-12-03

万用表使用大全（20条测量方法，建议收藏！）
zanzanzan

洪正安评论文章 2024-11-29

Allegro17.4常用系统参数的设置

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