光刻 - 电子工程专辑

光刻

【技术沙龙】浙江大学赵俊杰团队：聚合物区域选择性沉积实现非光刻“自对准”图案化制造

研究背景集成电路的持续微缩化过程中层间套刻控制已成为制造中的核心挑战之一——器件中每一层结构必须与前一层精确对准，但在先进制程节点中，误差容限已极其微小。在7纳米以上的制程中，套刻误差的容限约为最小特征尺寸的四分之一；然而在7纳米及更先进节点中，这一容差已收紧至关键尺寸的约六分之一甚至更低1。如此严苛的要求正逼近传统光刻技术的极限。多重图案化技术(如LELE、LELELE)及极紫外(EUV)光刻的

求是缘半导体联盟 2025-04-29 36浏览
【光电集成】为啥光刻以shot为单位曝光？

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光引未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光引未来----来源：漫谈大千世界申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒

今日光电 2025-04-18 50浏览
英特尔前CEO基辛格加入xLight，投身EUV光刻！

近日，英特尔前CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)加入xLight，担任董事会执行董事长。这是一家开发自由电子激光(FEL)技术作为极紫外(EUV)光刻系统光源的初创公司。使用粒子加速器为光刻机生成光已经有过讨论，但xLight声称它可以在2028年生产出这样的光源，同时保持与现有工具的兼容性。基辛格在LinkedIn的一篇帖子中写道：“作为我在Playground Global的

皇华电子元器件IC供应商 2025-04-14 609浏览
能生产3nm！中国成功研发全新DUV光刻：完全不同于ASML

据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，

芯通社 2025-03-26 2097浏览
能生产3nm！中国成功研发全新DUV光刻：完全不同于ASML

据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，

硬件世界 2025-03-25 3690浏览
能生产3nm！中国成功研发全新DUV光刻：完全不同于ASML

据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。据悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻机都采用了氟化氙(ArF)准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120W，频率8k-9kHz，再通过光学系统调整，

文Q聊硬件 2025-03-25 489浏览
深紫外MicroLED技术突破，无掩模光刻迎来新机遇

CINNO Research产业资讯，深紫外（UVC）光技术，特别是在210至280纳米波长区间内，正日益在病毒消杀、半导体制造领域的光刻等多个应用场景中展现出其重要性。尽管传统的汞蒸气灯长期作为紫外光刻的主流光源，但紫外发光二极管（UV-LED）技术因其高效能、长寿命及环境友好性而日益受到关注。在这一领域，一个核心挑战在于研发出能在小尺寸下仍具备足够功率输出的氮化铝镓（AlGaN）深紫外Micr

CINNOResearch 2025-03-07 271浏览
【光电智造】光的干涉和衍射效应对光刻成像结果的影响

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光引未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光引未来----来源：光刻人笔记申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对新媒体

今日光电 2025-02-26 85浏览
碳纳米管如何变革EUV光刻领域

（本文编译自ElectronicDesign）碳纳米管为防止极紫外光刻（EUV lithography）中的缺陷提供了一种颠覆性的解决方案，助力半导体行业朝着极致微型化发展，并提升芯片可靠性。在人工智能和高度互联技术普及的推动下，半导体行业规模预计在未来十年内将翻倍。然而，尽管微型芯片作为支撑从智能手机到救生医疗设备等一切产品的微小动力源，正面临着前所未有的需求增长，但它们也面临着迫在眉睫的技术瓶

TechSugar 2025-01-17 456浏览
解散EUV团队？SK海力士和三星在光刻上分道扬镳

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略，引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。作为年终组织重组的一部分，三星电子在全球制造和基础设施总部下成立了一个新的工作组（TF）团队，名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提高超精细半导体制造

电子工程世界 2024-12-31 124浏览
全新的干式剥离光刻范式：突破湿法工艺的限制，实现“绿色制造”

近日，湖南大学段辉高教授团队针对光刻工艺中湿法溶剂去胶带来的环境和可持续发展问题，开发出一种全新的干式剥离光刻范式。图 | 段辉高其通过力学剥离替代传统的湿法溶剂剥离工艺，实现了无需化学溶剂的图形转移，仅利用普通日用品“胶带”即可完成去胶过程。该方法从源头上消除了去胶过程中有害化学品的使用，不仅降低了化学足迹，还简化了工艺流程。该范式具有 100% 的工艺良率，兼容多尺度结构（纳米至晶圆级）及多工

MEMS 2024-12-25 219浏览
跳过光刻工序，也能生产芯片？

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！在科技革新的浪潮中，科学家们借助液态金属实现了重大突破，成功研发出一种制造自组装电子产品的全新方法。研究团队以涵盖纳米级至微米级晶体管和二极管的原型成果为依托，有力地表明该项研究有望大幅简化电子产品的生产流程，为行业发展开辟崭新路径。北卡罗来纳州立大学材料科学与工程学教授马丁·索（Martin Thuo）指出，当下现有的芯片制造技术工序繁杂，极度依

电子工程世界 2024-12-19 122浏览
借助MicroLED，中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展

知识酷Pro 👆学显示行业知识找小酷！第1721篇推文近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本

BOE知识酷 2024-10-14 486浏览
中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展

近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本技术提出利用每颗micro-LED具有高能量密度、高分

DT半导体材料 2024-10-10 528浏览
借助MicroLED，中国科大在无掩膜深紫外光刻技术研究中取得新进展

知识酷Pro 👆学显示行业知识找小酷！第1716篇推文近日，中国科学技术大学微电子学院特任教授孙海定iGaNLab课题组开发了一种具有光能量自监测、自校准、自适应能力的三维垂直集成深紫外发光器件阵列，并将它们成功应用于新型无掩膜深紫外光刻技术中。该研究首次提出将深紫外微型发光二极管（micro-LED）阵列作为光源应用于无掩膜深紫外光刻技术。在被广泛应用于集成电路芯片制造的步进式光刻机技术之外，本

BOE知识酷 2024-10-10 441浏览
IWAPS2024|第八届国际先进光刻技术研讨会日程公布

第八届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS 2024）-IWAPS 2024- 来这里，聆听来自产业界和学术界的最新研发成果，探讨最新技术动态！国际先进光刻技术研讨会（IWAPS），基于中国，辐射全球。在国际光刻专家的鼎力支持下，在全球企业、高校、协会等支持下，IWAPS已形成了涵盖光刻设备、工艺、检测和测量、掩模和材料、计算光刻、设计与工艺协同优化、新型光刻技术等主题的国际先进光刻交流平台

CINNOResearch 2024-09-28 861浏览
国内首条光子芯片中试线启用，覆盖从光刻到封装全闭环工艺

9 月 26 日消息，据上海交通大学无锡光子芯片研究院消息，9 月 25 日，在 2024 集成电路（无锡）创新发展大会上，上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线正式启用。上海交通大学无锡光子芯片研究院介绍称，光子芯片是新一代信息技术的核心，能满足新一轮科技革命中人工智能、物联网、云计算、生物医药等领域对传输、计算、存储、显示的技术需求。然而一直以来，国内光子芯片行业面临中试平

CINNOResearch 2024-09-27 1330浏览
突破！可改进EUV光刻

三星正在测试由东京电子提供的GCB设备，旨在改进其EUV光刻工艺。作者 | 张真据韩媒TheElec爆料，三星正在测试由东京电子（TEL）提供的气体团簇光束（GCB）设备，以期改进其极紫外（EUV）光刻工艺。东京电子方面证实，公司正在与客户正一同评估该设备性能，以决定是否将其用于晶圆代工厂。公开资料显示，东京电子是半导体制造设备的主要供应商，主营半导体的蚀刻、沉积和清洁环节，其客户包括先进逻辑及存

科创板日报 2024-09-03 668浏览
日本提出EUV光刻新方案！

国芯网[原:中国半导体论坛] 振兴国产半导体产业！不拘中国、放眼世界！关注世界半导体论坛↓↓↓8月12日消息，据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。在传统光学系统中，例如照相机、

中国半导体论坛 2024-08-12 600浏览
EUV光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本！

8月2日，冲绳科学技术大学院大学（OIST）的教授新竹俊（Tsumoru Shintake）提出了一种极紫外（EUV）光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作，从而降低成本，显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一，有助于半导体行业变得更加环境可持续。据了解，该技术能取得突破，是因为它解决了该领域之前被认为无法克服的两个问题。第一个是仅

飙叔科技洞察 2024-08-06 911浏览
极紫外(EUV)光刻新技术问世！大幅提升半导体制造效益

来源：日本冲绳科学技术大学院大学近日，日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新消息，Tsumoru Shintake 教授团队提出了一种超越半导体制造标准的极紫外 (EUV) 光刻技术。该研究团队称，该技术超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可使用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。这将有助于半导体行业实现更加

DT半导体材料 2024-08-05 1192浏览
安徽首片！晶合集成光刻掩模版成功亮相

7月22日，由晶合集成生产的安徽省首片半导体光刻掩模版成功亮相，不仅填补了安徽省在该领域的空白，进一步提升本土半导体产业的竞争力，更标志着晶合集成在晶圆代工领域成为台积电、中芯国际之后，可提供资料、光刻掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。掩模版是连通芯片设计和制造的纽带，用于承载设计图形，通过光线透射将设计图形转移到光刻胶上，是光刻工艺中不可或缺的部件。晶合集成一直专注于高精度光刻掩模版研发和

CINNOResearch 2024-07-22 786浏览
EUV光刻，新里程碑

在进入High NA EUV光刻时代的前夕，imec计算技术与系统/计算系统扩展高级副总裁Steven Scheer谈到了ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对半导体行业的意义。Steven Scheer表示：“位于荷兰费尔德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 联合光刻实验室的开业，标志着High NA EUV 大规模生产应用准备工作取得里程碑式进展。领先的内存和逻辑芯片

滤波器 2024-07-13 598浏览
【光电集成】深紫外光刻（Cornerstone）DUV南安普顿大学

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。追光逐电，光赢未来...欢迎来到今日光电！----追光逐电光赢未来---- 来源：光电读书申明：感谢原创作者的辛勤付出。本号转载的文章均会在文中注明，若遇到版权问题请联系我们处理。 ----与智者为伍为创新赋能----【说明】欢迎企业和个人洽谈合作，投稿发文。欢迎联系我们诚招运营合伙人，对

今日光电 2024-06-23 593浏览
英特尔详解Intel3工艺：应用更多EUV光刻，同功耗频率提升至多18%

近日，英特尔介绍了 Intel 3 工艺节点的技术细节。Intel 3 是英特尔最后一代 FinFET 晶体管工艺，相较 Intel 4 增加了使用 EUV 的步骤，也将是一个长期提供代工服务的节点家族，包含基础 Intel 3 和三个变体节点。其中 Intel 3-E 原生支持 1.2V 高电压，适合模拟模块的制造；而未来的 Intel 3-PT 进一步提升了整体性能，并支持更精细的 9μm 间

52RD 2024-06-20 2391浏览

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