功率器件 - 电子工程专辑

功率器件

中国电科十三所蔚翠研究员：金刚石微波功率器件研究—CarbonSemi2025

随着5G通信、卫星载荷及高能物理装置对射频功率器件的需求迈入太赫兹频段与千瓦级功率门槛，以金刚石为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度5.47 eV，击穿场强>10 MV/cm，热导率2200 W/m·K）被视为突破现有氮化镓（GaN）器件性能极限的核心材料。然而，金刚石器件产业化面临核心挑战，掺杂面临激活率低，氢终端金刚石表面导电层的载流子迁移率受限于衬底和表面杂质，以及表面损伤，导致空穴迁移率低

DT半导体材料 2025-03-25 340浏览
三家企业联合攻关8英寸外延片功率器件工艺

【DT半导体】获悉，3月18日，重投天科与鹏进高科、尚阳通科技正式签署合作协议，共同聚焦于8英寸外延片功率器件工艺的联合攻关。这一合作标志着国内半导体企业在关键材料技术领域的深度协同，旨在突破高端功率器件制造中的关键技术瓶颈。8英寸外延片是半导体制造中的重要基础材料，其性能直接影响功率器件的效率和可靠性。当前，高端外延片市场仍被国外企业占据较大份额，国内企业在该领域的突破对于实现半导体产业的自主可

DT半导体材料 2025-03-21 57浏览
GaN功率器件怎样最大提升LiDAR传感器性能？

（本文编译自electronicdesign）氮化镓（GaN）功率器件正逐渐成为LiDAR传感器的核心模块之一，这得益于其具有超快的开关速度和较低的寄生效应。这些特性使得氮化镓功率器件能够在高总线电压和窄脉冲宽度的情况下实现高峰值电流。为了迎接自动驾驶汽车的未来，汽车系统中必须采用更先进的传感器。在用于检测自动驾驶汽车周围物体的众多传感器中，激光雷达（LiDAR）是应用较为广泛的一种。它通过激光发

TechSugar 2025-03-13 106浏览
西电张进成教授、张金风教授在金刚石高压功率器件领域取得重要进展

【DT半导体】获悉，近日，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、张金风教授研究组在超宽禁带半导体金刚石功率器件方向取得重要进展。在国际知名期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表了题为“Integration of Oxidized Silicon- and Hydrogen-terminated Diamond p-channels for Normally-of

DT半导体材料 2025-03-10 415浏览
IGBT及SiC功率器件在新能源汽车中的应用

随着新能源汽车技术的快速发展，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）功率器件在汽车中的应用越来越广泛。这两种器件各自具有独特的性能优势，能够显著提升新能源汽车的性能和效率。1. IGBT在新能源汽车中的应用IGBT是一种复合型功率半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降特性，广泛应用于新能源汽车的以下领域：主驱逆变器：IGBT是传统主驱逆变器的核心器件，用于将

EV汽车邦 2025-03-07 1379浏览
GaN功率器件：如何改进架构并推广应用？

芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出强大的竞争力。通过与硅（Si）和碳化硅（SiC）等材料的结合，GaN 器件架构的改进正在推动电力电子领域的革命性进展，我们一起探讨基于 GaN 的新型

汽车电子设计 2025-01-26 244浏览
功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8 300mil宽体封装的EiceDRIVER™ 1ED3241MC12H和1ED3251MC1

英飞凌工业半导体 2025-01-20 320浏览
功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体的电流密度随着功率半导体芯片损耗降低，最高工作结温提升，器件的功率密度越来越高，也就是说，相同的器件封装可以采用更大电流规

英飞凌工业半导体 2025-01-13 353浏览
功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率器件的输出电流能力器件的输出电流能力首先是由芯片决定的，但是IGBT芯片的关断电流能力很强，在单管里是标称电流的3倍或4倍，模块

英飞凌工业半导体 2025-01-06 339浏览
功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数？在功率器件的热设计基础系列文章《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》和《功

英飞凌工业半导体 2024-12-23 808浏览
年产值达6亿元！这2个功率器件项目投产在即

近日，江西、四川省加速推进功率器件项目建设，详情请往下看：○ 江西都昌：东都IGBT项目投产在即，预计年产能15000片，可实现销售收入3亿元；○ 深矽微科技：功率器件封装生产基地项目设备正式入场，项目满产后可实现年产值3亿元以上。[关注“行家说功率半导体与新能源”，快速掌握产业最新动态]江西都昌：IGBT项目营收达3亿元12月18日，据“都昌县融媒体中心”消息，连日来，东都IGBT项目进入扫尾阶

行家说汽车半导体 2024-12-20 428浏览
满足可持续和绿色技术需求的功率器件

在当今全球面临气候变化、资源匮乏和环境污染等多重挑战的背景下，可持续和绿色技术已成为推动社会进步和经济增长的重要引擎。在这一转型过程中，功率器件作为能效提升和能源管理的核心技术，发挥着至关重要的作用。本文将为您介绍可持续和绿色技术的发展需求，以及由Yageo（国巨）与其子公司Kemet（基美）与Pulse（普思）所生产的功率器件的产品特性。越来越受到关注的可持续和绿色技术

艾睿电子技术和方案 2024-12-19 85浏览
功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

样品活动进行中，扫码了解详情👇👇/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为

英飞凌工业半导体 2024-12-16 1327浏览
功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲清瞬态热阻曲线的应用。浪涌电流二极管

英飞凌工业半导体 2024-12-10 999浏览
年会展商！紫光同芯，汽车MCU+汽车SE+功率器件组团亮相

高工智能汽车 2024-12-05 91浏览
功率器件热设计基础（七）——热等效模型

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的

英飞凌工业半导体 2024-12-02 587浏览
满产达6万片！又一功率器件项目竣工通线

插播：12月11-12日，合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、悉智科技、英飞凌、纳微半导体、晶能微电子、烁科晶体、同光股份、中电化合物、致领半导体、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备以及芯联集成等企业将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请扫下方二维码↓↓↓11月28日，据“宁波前湾新区发布”消息，宁波众芯半导体光电和功率器件IDM项目竣工通线。据

行家说汽车半导体 2024-11-29 83浏览
功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——Rth/Zth基础：IEC 60747-9即GB/T 29332半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体

英飞凌工业半导体 2024-11-25 328浏览
Microchip推出广泛的IGBT7功率器件组合，专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计

为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）近日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。这一新产品组合具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的器件尺寸，旨在满足可持续发展、电动汽车和数据中心等高增长细分市场的需求。高

Microchip微芯 2024-11-19 198浏览
年产值超10亿元！这2个功率器件项目投产、签约

插播：12月11-12日，华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】，带来近30场主题演讲，报名请点文末“阅读原文”。上周，四川、陕西省传来功率半导体相关新动态，涉及项目投产、签约等，详情请往下看：[关注“行家说功率半导体与新能源”，

行家说汽车半导体 2024-11-18 259浏览
功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容Cth像热阻Rth一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的

英飞凌工业半导体 2024-11-18 452浏览
功率器件的栅极电阻，该选谁？

在功率电子系统中，特别是随着氮化镓 ( GaN ) 和碳化硅 ( SiC ) 等宽带隙半导体器件的应用越来越多，栅极电阻的选择显得更为关键。一般来讲，栅极电阻的大小直接影响着器件的开关速度和功率损耗。不恰当的设计可能会导致更大的开关损耗，EMI 和振铃效应等噪声问题，因此在选型时需要仔细考量。同时除了电阻值，在栅极电阻的选型时，还需要综合考虑更多因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、

Vishay威世科技 2024-11-15 714浏览
功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法

/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给

英飞凌工业半导体 2024-11-11 808浏览
中芯国际：布局功率器件产能响应新需求

中芯国际赵海军表示，12英寸部分节点价格较好，产品组合优化，三季度公司平均销售单价环比上升。第四季度预计将释放约3万片12英寸的月产能，届时产能利用率及出货将有所下降。作者 | 郭辉“与此前的观察一致，上半年国内客户为争取市场份额，备货建立库存，国外客户因地缘政治考虑对冲市场风险，将本应在第三季度出的货拉到第二季度。而在第三季度，12英寸出货净增量填补了8英寸出货减少，使得季度出货环比基本持平。价

科创板日报 2024-11-08 329浏览
英飞凌再次荣膺2024年全球电子产品奖，CoolSiC™MOSFET2000V功率器件和模块备受瞩目

11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK™ 3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Dev

英飞凌工业半导体 2024-11-06 533浏览

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感谢分享，让我学到了很多理论知识

笨小孩cj 评论文章 2025-04-03

天天挂在嘴边的级联噪声系数公式，是怎么推导来的？
AES11

用户17433... 评论文章 2025-03-31

欧阳明高最新百人会报告PPT（附下载）：《电动乘用车发展的新阶段、新挑战与新路径》

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