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功率器件
功率器件热设计基础(七)——热等效模型
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念,自然就会想到在导热材料串并联时,就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成,各层都有一定的
英飞凌工业半导体
2024-12-02
14浏览
满产达6万片!又一功率器件项目竣工通线
插播:12月11-12日,合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、悉智科技、英飞凌、纳微半导体、晶能微电子、烁科晶体、同光股份、中电化合物、致领半导体、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备以及芯联集成等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请扫下方二维码↓↓↓11月28日,据“宁波前湾新区发布”消息,宁波众芯半导体光电和功率器件IDM项目竣工通线。据
行家说汽车半导体
2024-11-29
31浏览
功率器件热设计基础(六)——瞬态热测量
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——Rth/Zth基础:IEC 60747-9即GB/T 29332半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体
英飞凌工业半导体
2024-11-25
40浏览
Microchip推出广泛的IGBT7功率器件组合,专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计
为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技公司)近日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。这一新产品组合具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的器件尺寸,旨在满足可持续发展、电动汽车和数据中心等高增长细分市场的需求。高
Microchip微芯
2024-11-19
119浏览
年产值超10亿元!这2个功率器件项目投产、签约
插播:12月11-12日,华太电子、合盛新材料、安世半导体、三安半导体、士兰微、意法半导体、平湖实验室、罗姆、致领半导体、恒普技术、思锐智能、创锐光谱、快克芯装备、烁科晶体、瑞霏光电、华卓精科及高泰新材等企业将出席【行家说三代半年会】,带来近30场主题演讲,报名请点文末“阅读原文”。上周,四川、陕西省传来功率半导体相关新动态,涉及项目投产、签约等,详情请往下看:[关注“行家说功率半导体与新能源”,
行家说汽车半导体
2024-11-18
174浏览
功率器件热设计基础(五)——功率半导体热容
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。热容热容Cth像热阻Rth一样是一个重要的物理量,它们具有相似的量纲结构。热容和电容,都是描述储存能力物理量,平板电容器电容和热容的
英飞凌工业半导体
2024-11-18
156浏览
功率器件的栅极电阻,该选谁?
在功率电子系统中,特别是随着氮化镓 ( GaN ) 和碳化硅 ( SiC ) 等宽带隙半导体器件的应用越来越多,栅极电阻的选择显得更为关键。一般来讲,栅极电阻的大小直接影响着器件的开关速度和功率损耗。不恰当的设计可能会导致更大的开关损耗,EMI 和振铃效应等噪声问题,因此在选型时需要仔细考量。 同时除了电阻值,在栅极电阻的选型时,还需要综合考虑更多因素,如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、
Vishay威世科技
2024-11-15
207浏览
功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题,从芯片表面测量温度,可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给
英飞凌工业半导体
2024-11-11
230浏览
中芯国际:布局功率器件产能响应新需求
中芯国际赵海军表示,12英寸部分节点价格较好,产品组合优化,三季度公司平均销售单价环比上升。第四季度预计将释放约3万片12英寸的月产能,届时产能利用率及出货将有所下降。作者 | 郭辉“与此前的观察一致,上半年国内客户为争取市场份额,备货建立库存,国外客户因地缘政治考虑对冲市场风险,将本应在第三季度出的货拉到第二季度。而在第三季度,12英寸出货净增量填补了8英寸出货减少,使得季度出货环比基本持平。价
科创板日报
2024-11-08
182浏览
英飞凌再次荣膺2024年全球电子产品奖,CoolSiC™MOSFET2000V功率器件和模块备受瞩目
11月5日,英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK™ 3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能,荣获2024年全球电子成就奖(World Electronics Achievement Awards, WEAA)“年度高性能无源/分立器件”(High Performance Passive/Discrete Dev
英飞凌工业半导体
2024-11-06
314浏览
功率器件热设计基础(三)——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际,比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的
英飞凌工业半导体
2024-11-04
225浏览
【技术干货】满足可持续和绿色技术需求的功率器件
满足可持续和绿色技术需求的功率器件在当今全球面临气候变化、资源匮乏和环境污染等多重挑战的背景下,可持续和绿色技术已成为推动社会进步和经济增长的重要引擎。在这一转型过程中,功率器件作为能效提升和能源管理的核心技术,发挥着至关重要的作用。本文将为您介绍可持续和绿色技术的发展需求,以及由Yageo(国巨)与其子公司Kemet(基美)与Pulse(普思)所生产的功率器件的产品特性。越来越受到关注的可持续和
艾睿电子
2024-10-30
181浏览
快讯|佳能推出用于小型晶圆的FPA-3030i6半导体光刻系统,采用新开发的镜头和多种选件,满足对功率器件日益增长的需求
FPA-3030i6佳能公司今天宣布推出 FPA-3030i6 i-line 步进式光刻机,这是一种新型半导体光刻系统,用于处理直径为 8 英寸(200 毫米)或更小的晶圆。FPA-3030i6采用了新开发的高透过率、高耐久性的投影镜头,可降低高曝光量工艺中的镜头像差,缩短曝光时间,提高生产效率。该镜头采用高透光率玻璃材料制成,与之前的步进式机型[iii]相比,可将曝光过程中发生的镜头像差减少
碳化硅芯观察
2024-10-28
321浏览
功率器件的热设计基础(二)——热阻的串联和并联
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。第一讲《功率器件热设计基础(一)----功率半导体的热阻》,已经把热阻和电阻联系起来了,那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做
英飞凌工业半导体
2024-10-28
314浏览
功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗,损失的能量会转化为热能,表现为半导体器件发热,器件的发热会造成器件各点温
英飞凌工业半导体
2024-10-21
450浏览
总投资超110亿元!中车等2个功率器件投产、签约
插播:2024【极光奖】申报开始啦!欢迎大家踊跃申报!!详情请点文末“阅读原文”。近日,国内多家企业加快建设功率半导体项目,其中涉及功率器件、封测项目,详情请往下看:○ 中国中车:中低压功率器件产业化(宜兴)建设项目竣工投产,一期投资59亿元:○ 全芯微半导体:芯片封测基地签约浙江湖州,项目总投资52亿元。[关注“行家说功率半导体与新能源”,快速掌握产业最新动态]中车时代:功率器件项目投产10月1
行家说汽车半导体
2024-10-18
542浏览
涨知识丨GaN功率器件的功能与优点有哪些?
点击蓝字 关注我们GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及,大大提升了电源的效率和功率密度,其优点和用量递增,也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美(onsemi)新推出的iGaN NCP5892x系列,集成eGaN与驱动电路一体化,让电源工程师在GaN的应用更简单容易。在近日的研讨会中,安森美产品营销工程师Edward Weng详细介绍了NCP5892x的功能和优点,分享不同应用的参
安森美
2024-09-26
693浏览
功率器件模块封装结构演进趋势
前言作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT应用非常广泛,如家用电器、电动汽车、铁路、充电基础设施、充电桩,光伏、风能,工业制造、电机驱动,以及储能等领域。IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块,诞生于20世纪80年代,并在90年代进行新一轮的改革升级,通过新技术的发展,现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、大电流热稳定性好等等众多特点于一身,而这些技术特点正式
半导体工艺与设备
2024-09-13
699浏览
技术|航空和航天应用需要怎样的SiC功率器件?
飞机、航天和卫星系统的功率转换要求一直在快速发展。趋势是更小、更轻、更高效的转换器提供更高的功率和电压水平。宽禁带半导体(例如碳化硅和氮化镓)在功率转换器中具有多种优势,例如更高的功率密度和效率,因此非常适合太空应用。需要仔细考虑这些 WBG 设备的抗辐射性。在本文中,我们将总结在飞机和航天功率转换应用中使用 SiC 设备的优势和挑战。主要参考 CoolCAD Electronics 团队在 PC
碳化硅芯观察
2024-09-12
514浏览
ROHM与联合汽车电子签署SiC功率器件长期供应协议
关注公众号,点击公众号主页右上角“ ··· ”,设置星标,实时关注智能汽车电子与软件最新资讯今日,ROHM发布新闻称,与中国领先的一级汽车供应商联合汽车电子有限公司(UAES)最近签订了SiC功率器件的长期供应协议。自 2015 年以来,ROHM 和 UAES 就利用 SiC 功率器件的汽车应用展开合作并进行细致的技术交流。2020 年,随着 UAES 在中国上海总部成立联合 SiC 技术实验室,
智能汽车电子与软件
2024-09-06
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合作|ROHM与联合汽车电子签署SiC功率器件长期供应协议
今日,ROHM发布新闻称,与中国领先的一级汽车供应商联合汽车电子有限公司(UAES)最近签订了SiC功率器件的长期供应协议。自 2015 年以来,ROHM 和 UAES 就利用 SiC 功率器件的汽车应用展开合作并进行细致的技术交流。2020 年,随着 UAES 在中国上海总部成立联合 SiC 技术实验室,这种合作关系进一步加深。2021 年,ROHM 先进的 SiC 功率器件和外围元件受到 UA
碳化硅芯观察
2024-09-05
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士兰微“双向功率器件及其制造方法”专利获授权
天眼查显示,杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“双向功率器件及其制造方法”的专利,授权公告号为CN110310982B,授权公告日为2024年8月16日,申请日为2019年7月22日。 公开了一种双向功率器件及其制造方法,双向功率器件包括半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于所述沟槽侧壁上的栅介质层;位于所述沟槽下部的控制栅;位于所述沟槽上部的分压介质层;其中,所述控制栅与所述半导体层之间由
半导体前沿
2024-09-01
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视频干货|安森美功率器件多系列产品详解,光储充应用轻松拿捏
点击蓝字 关注我们🎁点击下载安森美(onsemi)系统方案指南合集赢京东卡。加速脱碳正在推动需求转向安装更多能源基础设施系统,包括由直流快速充电器 (DCFC)、太阳能逆变器和电池储能系统 (BESS)的光储充系统。安森美利用数十年的创新技术经验,提供可靠、高效和优质的下一代功率半导体,缩短光储充解决方案的开发时间,同时超越您的功率密度并超越功率损耗预算。在本次网络研讨会中,安森美电源方案事业部产
安森美
2024-08-22
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立即预约|GaN功率器件的发展和应用,安森美专家一站式解答
点击蓝字 关注我们GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及,大大提升了电源的效率和功率密度,其优点和用量递增,也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美(onsemi)新推出的iGaN NCP5892x系列,集成eGaN与驱动电路一体化,让电源工程师在GaN的应用更简单容易,本期研讨会将介绍iGaN NCP5892x的功能和优点,分享不同应用的参考设计。直播时间9月5日 10:00直播专家
安森美
2024-07-22
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10.5亿元、200万只!这2家功率器件企业加速扩产
随着新能源汽车的高速发展,IGBT作为电力电子器件的核心组件之一,将迎来其发展黄金期。国内功率半导体企业积极布局产业链,扩大市场规模:○ 芯派科技:芯派智能电源电驱系统创新中心项目一期即将完成建设,项目总投资10.5亿元;○ 中恒微:旗下已有3条自动化车规级生产线,年产能达200万只功率半导体。[关注“行家说动力总成”,快速掌握产业最新动态]芯派科技:功率器件项目一期将完成7月15日,据“芯派科技
行家说汽车半导体
2024-07-17
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