功率密度 - 电子工程专辑

功率密度

光电显示龙头，首推金刚石基超大功率密度封装！

【DT半导体】获悉，根据瑞丰光电，在传统LED照明领域，散热问题一直是制约性能提升的关键因素。特别是随着LED技术向高光效、高功率方向的快速发展，高功率LED封装技术因其结构和工艺的复杂性，对LED的性能、寿命产生直接影响。而高功率LED在复杂应用场景中，因散热不良导致的光衰加剧、稳定性下降等成为行业亟待解决的难题。针对传统高功率封装产品痛点，瑞丰光电开创性采用金刚石基板工艺，推出了行业突破性的大

DT半导体材料 2025-02-19 94浏览
经典导读：搭载1200VP7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度

经典导读经典导读"短视频专栏，致力于回顾并解读英飞凌工业半导体微信公众号上那些深受读者喜爱的经典文章。我们聚焦碳化硅SiC、IGBT、驱动等功率半导体应用主题等，英飞凌的资深工程师们通过视频真人导读方式，分享文章、视频等精彩内容中的技术要点与见解，与您一同重温这些经典之作，欣赏技术的魅力。本期英飞凌应用工程师周利伟精心挑选了《搭载1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度》文章：

英飞凌工业半导体 2024-06-13 633浏览
技术干货|微型隔离式直流/直流模块如何实现更高的功率密度

点击上方蓝字关注我们！一种优化汽车或工业设计的策略是缩小电源单元的尺寸，通过减少物理材料和分立元件的数量，在系统级别节省成本。传统的推挽式和反激式转换器等隔离式辅助电源解决方案采用笨重、庞大且易受振动影响的变压器，设计布局也因此变得复杂。带有外部变压器的隔离式辅助电源解决方案的设计也会影响性能效率，并会导致较高的辐射电磁干扰 (EMI)。得益于变压器设计方面的突破，集成电路设计人员能够将变压器和硅

德州仪器 2024-03-21 722浏览
新品发布|德州仪器全新产品系列不断突破电源设计极限，助力工程师实现卓越的功率密度

点击上方蓝字关注我们！采用热增强封装技术的 100V GaN 功率级，可将解决方案尺寸缩小 40% 以上，提高功率效率，并将开关损耗降低 50%。业界超小型 1.5W 隔离式直流/直流模块可为汽车和工业应用提供比之前高八倍以上的功率密度。德州仪器 (TI) 今日推出两个全新的功率转换器件产品系列，可帮助工程师在更小的空间内实现更高的功率，从而以更低的成本提供超高的功率密度。德州仪器新款 100V

德州仪器 2024-03-06 902浏览
越多越好！扩展IGBT7产品组合，实现bast-in-Class功率密度

我们已经介绍过关于采用标准TO-247封装的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7加EC7二极管续流产品的优点。秉承"越多越好"的宗旨，英飞凌最近拓展了 IGBT7和EC7技术的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：1.采用TO-247 PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)的辅助和主牵引驱动等应用2.

英飞凌工业半导体 2023-12-11 752浏览
英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC™产品组合，助力实现更高效率和功率密度

【2023年11月29日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC™ 1200V和2000V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiC MOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功

英飞凌工业半导体 2023-12-01 801浏览
借助实时微控制器优化可再生能源和工业系统的功率效率和功率密度

点击上方蓝字关注我们！电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度，这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。这些系统的主要设计挑战之一是在降低系统成本的同时，实现更出色的实时控制性能。要应对这一挑战，常用的方法是使用拥有超低延迟控制环路处理功能的模拟和控制外设的高度集成的微控制器 (MCU) 。实时控制性能：延迟是关键在深入应用实例之前，先让

德州仪器 2023-09-25 793浏览
搭载1200VP7芯片的PrimePACK™刷新同封装功率密度

继英飞凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后，英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200V IGBT7 P7芯片，并将其应用在PrimePACK™模块中，再次刷新了该封装的功率密度上限。目标应用领域：1200V P7模块首发型号有以下两个：相比于以前的IGBT4或IGBT5产品，新的IGBT7产品进一步拓展了PrimePACK™封装电流等级，而且极大地提升

英飞凌工业半导体 2023-09-13 1154浏览
突破光耦合的温度限制，实现功率密度非常高的紧凑型电源设计

对于电气隔离电源，您必须确定电气隔离控制器IC在初级或次级的哪一端将会导通，如果它位于次级端，则必须通过电气隔离提供对初级端电源开关的控制。一般而言，无论是初级端的控制器还是次级端的控制器，在两种架构中都需要可越过电气隔离进行信号传输的路径，通常为光耦合器(或光隔离器)。然而，它们会带来一些不利因素：它们的额定温度通常仅为85°C，电流传输比(CTR)随时间而改变，这意味着它们的传输行为在电路使用

亚德诺半导体 2023-08-20 2522浏览
【技术干货】图腾柱功率因数校正技术提升电源转换效率和功率密度

图腾柱功率因数校正技术提升电源转换效率和功率密度目前市面上的各种电器大多需要进行AC-DC电源转换，因此若能提升AC-DC电源转换效率，将有助于降低家庭的电力消耗与企业的运营成本，也有利于提升像是储能系统、电池充电等应用的运作效率。本文将为您介绍功率因数校正技术的特性，以及由安森美（onsemi）推出的NCP1681 PFC控制器的产品特性与优势。功率因数校正技术改善AC-DC电源转换效率世界上的

艾睿电子 2023-06-13 494浏览
Angew：一种可充放电的“生物质电池”，存储/释放电力联产高值化学品，功率密度可达107mWcm-2

点击左上角“锂电联盟会长”，即可关注！文章信息创制了一种可充放电的“生物质电池”，实现了存储/释放电力的同时，生产高值化学品，功率密度可达107 mW cm-2第一作者：李敬通讯作者：段昊泓单位：清华大学研究背景可再生能源（如太阳能和风能）具有间歇性和不均匀分布的特点，限制了其大规模使用。储能技术是消纳不断增加的可再生能源容量的关键环节，迫切的储能需求同时也促进了电池技术的蓬勃发展，如

锂电联盟会长 2023-06-10 1456浏览
干货分享｜解锁TI培训课程——功率密度的基本原理详解系列视频

点击上方蓝字关注我们！随着功率需求的增加，电路板面积和厚度日益成为限制因素。在更小的空间内实现更大功率，才能推动每项技术的新进展。这是功率密度的目标所在：更小的封装、更高的电流、更少的权衡。通过采用德州仪器 (TI) 的先进工艺、封装和电路设计技术，目前能以更小的外形尺寸实现更高的功率等级。在本期 TI 培训课程推荐中，我们为大家带来了功率密度的基本原理详解系列视频。该课程概述了如何通过高功率密度

德州仪器 2023-04-20 992浏览
功率密度和功率谱密度有什么区别？

点这里👇关注我，记得标星哦～一个定义为转换器的速率输出功率，而另一个定义为信号功率含量与频率的关系。本文对两者作进一步区分。功率密度功率密度的基本定义是设备的额定（或标称）输出功率除以设备所占体积（体积=x·y·z）（图1）。功率密度的常用测量单位可以是瓦特每立方米 (W/m3 )或瓦特每立方英寸 (W/in.3 )。功率谱密度基础知识功率谱密度 (PSD) 是信号功率内容与频率的关系度量。P

EETOP 2023-04-13 2541浏览
电源功率密度的设计需求越来越高，该如何应对？

点击蓝字关注我们在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。提高大功率单相输入电源的效率和功率密度是当今设计人员面临的一个挑战，特别是考虑到中等负荷条件下（20%至50%）的效率。这种功率水平的电源需要功率因素校正。使用无桥PFC来取代输入整流桥可以提高效率，然而MOSFET体二极管的慢

安森美 2023-04-04 943浏览
良率90%！国产沟槽SiCMOSFET功率密度领先国际企业20%

加入碳化硅大佬群，请加VX：hangjiashuo666过去一年，产业领袖企业是如何抓住历史机遇勇立潮头？2023年，他们又将如何迈出新时代步伐？为此，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《产业领袖开年说——2023，全力奔跑》专题报道，本期嘉宾是安海半导体副总经理曾昭雄。接下来，还将有更多的领军企业参与“行家开年说”，敬请期待。受访者：曾昭雄安海半导体副总经理行家说三代半：过去一年，贵公司致力于哪

第三代半导体风向 2023-02-27 927浏览
通过栅极驱动器提高开关电源功率密度

作者：Hubert Baierl，英飞凌科技市场总监校对：柯春山英飞凌科技高级主任工程师像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3kW 开关电源 (SMPS)中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in³。这之所以可以实现是因为我们在图腾柱 PFC 级中明智地选择了超结 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS™），碳化硅 (SiC) MOSFET（

英飞凌工业半导体 2023-01-05 1167浏览
山东科大高材生突破电机：每分钟十万转，功率密度7kW/kg，所用稀土材料减少70%

邓思邈发自副驾寺智能车参考 | 公众号 AI4Auto这个永磁同步电机，转速竟然达到了每分钟10万转。两倍于曾经最好记录保持者，甚至被称赞为世界上转速最快的电机。而且能量转换效率达到95%，功率密度最高可以达到7kW/kg，对电动车续航提升有明显改善作用。研究团队来自澳大利亚新南威尔士大学，其中就包括一名华人小哥，还是山东科技大学校友。每分钟十万转电机？据研究人员介绍，这是世界上转速最快的内置

智能车参考 2022-10-30 1086浏览
河北半导体研究所：具有最先进的高射频功率密度的(001)金刚石上的氢端金刚石MOSFET

金刚石具有良好的电学和热学性能，被认为是高频、大功率电子器件的终极半导体材料，金刚石场效应晶体管（FET）具有广阔的应用前景。高频大功率电子器件基本上要求具有低缺陷密度的晶圆级单晶半导体材料。金刚石(0 0 1)是最有希望通过CVD工艺将晶体尺寸扩展到晶圆尺度的单晶金刚石。在单晶金刚石(0 0 1)上发展高性能金刚石FET是金刚石的关键需求。河北省半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）冯

DT半导体材料 2022-10-17 1910浏览
功率半导体冷知识：功率器件的功率密度

功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。我们一路追求单位芯片面积的输出电流能力，实现方法是：1.减小导通损耗和动态损耗2.减小寄生电感，发挥芯片的开关速度3.提高允许的最高工作结温4.降低结到壳的热阻Rthjc芯片技术的发展方向是降低导通损耗和动态损耗。封装的发展方向减小寄生电感，允许芯片快速开关而不震荡；提高封装工艺的可靠性，提高功率

英飞凌工业半导体 2022-05-31 1959浏览
IGBT7芯片助力EconoDual™3封装实现功率密度飞跃

EconoDUAL™ 3是由英飞凌开发的中功率IGBT封装，2005年上市之后，便成为全球最受欢迎的IGBT封装。TRENCHSTOP™ IGBT7是目前英飞凌最新一代IGBT芯片，为现有的EconoDUAL™ 3带来最高的功率密度和性能。EconoDUAL™ 3封装的最大电流，从600A，扩展到了750A，最高可达900A，堪称大跨步式提升！想要了解更多信息，请点击以下视频。▲点击上方视频，即可

英飞凌工业半导体 2022-05-10 1731浏览
技术干货｜创新型封装如何推动提高负载开关中的功率密度

点击上方蓝字关注我们！从智能手机到汽车，消费者要求将更多功能封装到越来越小的产品中。为了帮助实现这一目标，TI 优化了其半导体器件（包括用于子系统控制和电源时序的负载开关）的封装技术。封装创新支持更高的功率密度，从而可以向每个印刷电路板上安装更多半导体器件和功能。晶圆级芯片封装方式 (WCSP)目前，尺寸最小的负载开关采用的是晶圆级芯片封装方式 (WCSP)。图 1 展示了四引脚 WCSP 器件的

德州仪器 2022-04-26 1100浏览
直播报名 | 最新 C2000™ 产品帮您实现更低成本，更高电源功率密度和效率的设计

点击上方蓝字关注我们！您是否了解 TI C2000™ 最新系列产品？新成员 F28003x 将提供更高的运算性能以及更大的 FLASH 空间，它有哪些新功能和新亮点？又适合应用于哪些产品设计呢？11 月 30 日（周二）14:00 - 15:30TI 在线直播将为您全面介绍C2000™ 家族新成员 F28003x，助您实现更低成本，更高电源功率密度和效率的设计！👇查看下方图片，接收您的邀请函👇如需

德州仪器 2021-11-22 1143浏览
压铸模PIM技术以更小的封装提供更高的能效和功率密度，快速get！

点击蓝字关注我们

安森美半导体 2021-01-18 1742浏览
来啦！干货满满的功率密度技术剖析！

功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面：降低损耗，最优拓扑和控制选择，有效的散热，通过机电元件集成来减小系统体积，

德州仪器 2020-08-19 1843浏览
视频教程 | 了解功率密度的基本技术

这个由五部分组成的培训视频系列将解释功率密度在现代电源供电解决方案中的重要性和价值。显然需要提高功率密度，但是今天是什么限制了设计人员提高功率密度呢？观看这个由五部分组成的培训系列，其中我们概述了如何通过检查高功率密度解决方案的四个关键方面以及支持这些特定要求的相关TI技术和产品来实现更高的功率密度。观看视频请点击“阅读原文”

电子工程世界 2020-08-15 831浏览

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最后输出电阻的计算应该有问题，正确的应该是RO=（((R1//R2)+rbe)/(1+beta)) //R3,约等于（((R1//R2)+rbe)/(1+beta))

jy1900 评论文章 2025-03-21

一篇短文搞定共集电极放大电路
NMOS和PMOS的D、S极都是反的，搞错了吧，全网的图全是错的，我以为是个人认知的错误，结果通过Deepseek搜索的答案是我的想法是一致的。

retsen 评论文章 2025-03-20

电路又冒烟了，如何防反接？

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