功率晶体管 - 电子工程专辑

功率晶体管

应用指南导读|优化HVCoolGaN™功率晶体管的PCB布局

作为宽禁带半导体，氮化镓（GaN）以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而，GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力，我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗，确保电路正常、可靠地运行，并且不会引起不必要的电磁干扰（EMI）。《优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局》应用指南，主要讨论了在使用高压氮化镓（GaN）

英飞凌工业半导体 2025-01-03 156浏览
GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 867433881高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2024-05-30 515浏览
氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究进展

摘要超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势，在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景。尽管Ga2O3材料与器件研究已取得很大进展，但其极低的热导系数和缺少有效的p 型掺杂方法成为限制其复杂器件结构制备和器件性能提升的主要瓶颈。针对上述两大关键瓶颈，本文综述了利用异质材料集成的方法实现高导热衬底Ga2O3

DT半导体材料 2023-07-26 1160浏览
GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 436308744高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2022-12-07 994浏览
2022年功率晶体管销售额将达到245亿美元，增长11%

进入2022年以来，芯片市场的供需紧张关系在逐季缓解，但依旧面临需求分化加剧，比如消费级芯片需求的萎缩迫使渠道商清理库存，而汽车电子、工控等功率半导体的供应需求仍然紧张。还比如硅基MOSFET(低压为主)功率器件价格呈现明显下降趋势，而IGBT模块、SiC器件等产品受新能源市场高需求提振，整体价格表现较为强势。根据IC Insights发布最新报告指出，由于供应紧张、器件短缺正在推动功率晶体管的平

全芯时代 2022-10-11 862浏览
GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解

欢迎加入技术交流QQ群（2000人）：电力电子技术与新能源 892913659高可靠新能源行业顶尖自媒体在这里有电力电子、新能源干货、行业发展趋势分析、最新产品介绍、众多技术达人与您分享经验，欢迎关注微信公众号：电力电子技术与新能源(Micro_Grid)，论坛：www.21micro-grid.com，建立的初衷就是为了技术交流，作为一个与产品打交道的技术人员，市场产品信息和行业技术动态也是必不

电力电子技术与新能源 2022-09-17 977浏览
一文搞懂GaN功率晶体管的可靠性

来源：芯TIP报告主题：一文搞懂GaN功率晶体管的可靠性报告作者：Gaudenzio Meneghesso, Matteo Meneghini, and Enrico Zanoni报告内容包含：（具体内容详见下方全部报告内容）GaN 基 HEMT 简介高漏极偏压下的击穿机制寄生（捕获）机制-->可恢复的退化• 电流/Ron 崩溃• 分析 GaN-HEMT 缺陷的方法• GaN 深层次的数据库永久性

云脑智库 2022-08-28 1608浏览
GaN功率晶体管:器件、技术和可靠性详解

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电力电子技术与新能源 2022-07-31 1056浏览
更新版：氮化镓功率晶体管——器件、电路与应用（原书第3版）

◆编辑推荐◆1）美国EPC公司CEO、国际整流器公司原CEO权威著作，全彩色印刷，理解GaN晶体管结构、特性和应用的实用指南。2）系统全面介绍氮化镓（GaN）技术及其应用的经典著作，获得了国际上众多知名专家的推荐。3）第3版更新了35%的内容，包括散热管理、多电平变换器、高谐振无线电源和激光雷达等新章节。4）在使用GaN晶体管构建功率变换系统时，提供了有关特定电路的实用设计。5）适合从事GaN功率

EETOP 2022-03-05 2578浏览
功率晶体管电流放大系数分析

功率晶体管工艺流程：编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一硼注入——前处理——基区扩散——后处理——QC检查（Xj、R□）——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化与扩散——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——磷

半导体技术人 2021-02-04 1605浏览
为氮化镓(GaN)功率晶体管匹配门极驱动器

点击上方蓝字“安森美半导体”，关注我们节能举措，如企业服务器和云数据中心电源的“80+Titianium”，以及外部电源适配器的欧盟行为准则(CoC) Tier 2，正使电源设计人员转而选择GaN开关技术，以实现更高能效的设计。由于GaN并不是现有硅技术的直接替代品，为了获得最大的优势，驱动器和布板必须与新技术相匹配。对比GaN和硅开关GaN是高速器件，因其电容很低，且可在没有反向恢复电荷的情况下

安森美半导体 2019-08-28 1919浏览

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56089689_... 评论文章 2025-01-07

砺芯慧感：量产薄膜铂电阻传感器，打破国外30年垄断
我这，原先V10.5跑的好好的代码，更新V11后，单片机初始化时就不断重启

vaov_3734... 评论文章 2025-01-06

FreeRTOSV11.0升级了多项重要功能，兼容V10版本

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