工艺分析 - 电子工程专辑

工艺分析

电动汽车高压线束连接工艺分析

【摘要】电动汽车高压线束电缆与端子之间的连接品质对高压电气系统的安全可靠运行有着重要影响，目前常用的连接方式主要有压接与焊接两种。文章首先从阐述电动汽车高压线束的主要性能要求入手，然后对超声波焊接工艺、压接工艺的主要特点和工艺参数进行分析，并选用35mm2的线束电缆分别进行超声波焊接试验和压接试验，测试两种连接方式的连接强度、连接电阻和电压降，最后通过试验结果证明超声波焊接工艺确实能够保证高压线束

线束中国 2024-10-18 417浏览
【技研】汽车顶衬工艺分析

戳蓝字“汽车技研”即可关注我们！【免责声明】内容来源网络，仅供参考学习，版权归原创作者所有，如因作品内容、版权等存在问题，烦请联系汽车技研小编进行删除或洽谈版权使用事宜。小编微信号：QCJYLB。

汽车技研 2024-10-14 246浏览
晶圆划片工艺分析

知识酷 👆显示技术 | 显示资讯 | 知识管理第1643篇推文划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等

BOE知识酷 2024-05-29 601浏览
端子材料与焊接工艺分析

功率半导体封装技术的进步很大程度上来源于材料与制造工艺的发展。为了降低模块异质材料间热膨胀系数的差异，提高其功率循环能力与长期运行可靠性，业内提出全铜工艺技术，主要包含芯片铜金属化、铜引线键合互连和模块铜功率端子超声焊接三部分技术。个别应用场景对pin连接的可靠性提出了更高的要求。Pin针超声焊被开发为一种新的连接方法，在相同金属间的连接中具有无与伦比的优势。由于超声波金属焊接不需要助焊

线束中国 2024-05-24 725浏览
晶圆划片工艺分析

划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工

半导体工艺与设备 2024-05-24 607浏览
晶圆划片工艺分析

划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工

半导体工艺与设备 2024-05-13 743浏览
晶圆划片工艺分析

划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工

滤波器 2024-03-24 630浏览
电动汽车高压线束连接工艺分析

【摘要】电动汽车高压线束电缆与端子之间的连接品质对高压电气系统的安全可靠运行有着重要影响，目前常用的连接方式主要有压接与焊接两种。文章首先从阐述电动汽车高压线束的主要性能要求入手，然后对超声波焊接工艺、压接工艺的主要特点和工艺参数进行分析，并选用35mm2的线束电缆分别进行超声波焊接试验和压接试验，测试两种连接方式的连接强度、连接电阻和电压降，最后通过试验结果证明超声波焊接工艺确实能够保证高压线束

线束中国 2023-11-22 1033浏览
【半导光电】晶圆划片工艺分析

今日光电有人说，20世纪是电的世纪，21世纪是光的世纪；知光解电，再小的个体都可以被赋能。欢迎来到今日光电！----与智者为伍为创新赋能----划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：1）厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；2）厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可

今日光电 2023-04-02 1833浏览
晶圆划片工艺分析

划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低；厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工

半导体工艺与设备 2023-03-28 2281浏览
半导体单晶抛光片清洗工艺分析

半导体工艺与设备 2022-10-10 825浏览
半导体单晶抛光片清洗工艺分析

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今日半导体 2022-08-24 843浏览
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凡亿PCB 2021-07-17 1221浏览

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